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          碳化硅擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進(jìn)

          • 近期,一眾國(guó)內(nèi)廠商擴(kuò)產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國(guó)半導(dǎo)體代工廠TSI以在2030年底之前擴(kuò)大自己的SiC產(chǎn)品組合;安森美半導(dǎo)體考慮投資20億美元擴(kuò)產(chǎn)碳化硅芯片;SK集團(tuán)宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運(yùn)行,將正式量產(chǎn)碳化硅,產(chǎn)能將擴(kuò)大近3倍。除此之外,據(jù)外媒報(bào)道,日本半導(dǎo)體巨頭瑞薩和德國(guó)晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴(kuò)產(chǎn)碳化硅的計(jì)劃。其中,瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。報(bào)道指出,按照計(jì)劃,瑞薩電子擬在目
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          X-FAB與萊布尼茨IHP研究所達(dá)成許可協(xié)議

          • 全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)與萊布尼茨IHP研究所今日共同宣布,將推出創(chuàng)新的130納米SiGe BiCMOS平臺(tái),進(jìn)一步擴(kuò)大與萊布尼茨高性能微電子研究所(IHP)的長(zhǎng)期合作關(guān)系。作為新協(xié)議的一部分,X-FAB將獲得IHP的尖端SiGe技術(shù)授權(quán),將這一技術(shù)的性能優(yōu)勢(shì)帶給大批量市場(chǎng)的客戶群體。130納米SiGe BiCMOS平臺(tái)新創(chuàng)建的130納米平臺(tái)顯著加強(qiáng)了X-FAB的技術(shù)組合,提供了獨(dú)特的解決方案,達(dá)到滿足下一代通信要求所需的更高
          • 關(guān)鍵字: X-FAB  萊布尼茨IHP  

          是誰在拉動(dòng)嵌入式存儲(chǔ)的技術(shù)革新和市場(chǎng)擴(kuò)張?

          • 近年來,受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響,存儲(chǔ)器件的價(jià)格呈現(xiàn)出較大的波動(dòng)態(tài)勢(shì)。 J.P. Morgan, Gartner and Deloitte等主要行業(yè)分析機(jī)構(gòu)的分析師都預(yù)測(cè)了半導(dǎo)體產(chǎn)能的短缺將持續(xù)整個(gè)2022年,甚至更長(zhǎng)。根據(jù)WSTS的數(shù)據(jù)分析,2022年全球存儲(chǔ)器件市場(chǎng)的規(guī)模將達(dá)到1716.82億美元,較之前預(yù)估的2022年增加135.21億美元,同比增長(zhǎng)將會(huì)達(dá)到8.5%。 圖 | WSTS的電子元器件市場(chǎng)預(yù)測(cè)(2021年11月)圖源:WSTS&nbs
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          Nexperia獲得Newport Wafer Fab的100%所有權(quán),正式更名為Nexperia Newport

          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布已完成收購Newport Wafer Fab (NWF)的交易,此舉可助力公司實(shí)現(xiàn)宏偉的增長(zhǎng)目標(biāo)和投資,進(jìn)一步提高全球產(chǎn)能。通過此次收購,Nexperia獲得了該威爾士半導(dǎo)體硅芯片生產(chǎn)工廠的100%所有權(quán)。Nexperia Newport將繼續(xù)在威爾士半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)中占據(jù)重要地位,引領(lǐng)新港地區(qū)和該區(qū)域其他工廠的技術(shù)研發(fā)。 Nexperia是Newport Wafer Fab所提供晶圓代工服務(wù)的客戶,并于2019年通過投資Neptune 6 Limite
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          Galaxy Fold Lite曝光:外屏縮小 售價(jià)砍半1099美元起

          • 昨天XDA大神Max Weinbach曝光了一款全新的三星折疊屏新機(jī)——Galaxy Fold e/Lite,今天它又帶來了這款折疊屏新機(jī)的更多消息。規(guī)格上這款Galaxy Fold Lite升級(jí)為驍龍865處理器,不過不支持5G網(wǎng)絡(luò),256GB存儲(chǔ)。外觀上變化較大,最顯眼的應(yīng)該是外屏可能同Galaxy Z Flip一樣小,換言之如果想要正常使用只能打開手機(jī)。屏幕則是塑料材質(zhì)而非Z Flip的UTG玻璃,鋁合金邊框+玻璃機(jī)身,有黑色和紫色可選。更重要的是它的價(jià)格,Max表示它的售價(jià)會(huì)直接在Galaxy F
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          傳三星將推出Galaxy Note10 Lite版 將有黑紅兩種配色

          • 據(jù)外媒sammobile消息,三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)。該款手機(jī)有望比Galaxy Note 10和Galaxy Note 10+更便宜。這款手機(jī)型號(hào)已經(jīng)確認(rèn),為“SM-N770F”,將有黑色和紅色兩種配色,將提供128 GB的內(nèi)置內(nèi)存,此外沒有關(guān)于規(guī)格的信息。三星正開發(fā)Galaxy Note10 Lite版系列手機(jī)就產(chǎn)品理念而言,Galaxy Note10 Lite比Galaxy Note 10(SM-N970)更接近Galaxy Note 3 Neo(SM-N750&n
          • 關(guān)鍵字: 三星  Galaxy Note10 Lite  

          外媒:華為Mate 30 Lite或首發(fā)鴻蒙操作系統(tǒng)

          • 眾所周知華為為了應(yīng)對(duì)潛在的風(fēng)險(xiǎn)多年來一直在開發(fā)自己的鴻蒙操作系統(tǒng)作為其“B計(jì)劃”。早前也有消息稱華為將于今年年末推出一款采用鴻蒙操作系統(tǒng)的移動(dòng)設(shè)備,根據(jù)最新消息顯示,這款機(jī)型很有可能是即將發(fā)布的華為Mate 30?Lite。
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          華為P20 Lite 2019曝光:采用挖孔屏方案

          • 5月14日消息,知名爆料人士Roland Quandt曝光了一款中端新品—華為P20 Lite 2019。 根據(jù)Roland Quandt曝光的渲染圖,華為P20 Lite 2019采用了挖孔屏方案,這是繼華為nova 4之后第二款采用該方案的華為手機(jī)。據(jù)悉,華為P20 Lite 2019采用了5.84英寸FHD+LCD顯示屏,后置三攝呈縱向排布,支持背部指紋識(shí)別。
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          GlobalFoundries傳紐約IBM晶圓廠找買家

          • GlobalFoundries 從新 CEO 上任以來,大刀闊斧進(jìn)行改革,宣布退出全球高端技術(shù)的開發(fā),又將新加坡 8 寸廠 Fab 3E 賣給臺(tái)積電旗下的世界先進(jìn)后,業(yè)界再度點(diǎn)名“下一刀”,是為購自 IBM 的紐約 12 寸廠尋找買家。據(jù)傳美系 IDM 大廠有興趣,看來新任 CEO 這把削減成本的大刀要一砍到底,GlobalFoundries 經(jīng)歷大改革后可否涅槃重生值得關(guān)注。Thomas Caulfield 接替任職逾 4 年的 Sanjay Jha,出任 GlobalFoundries 的新 CEO
          • 關(guān)鍵字: GlobalFoundries  Fab  IBM  

          SiC功率半導(dǎo)體器件需求年增29%,X-FAB計(jì)劃倍增6英寸SiC代工產(chǎn)能

          •   隨著提高效率成為眾需求中的重中之重,并且能源成本也在不斷增加,以前被認(rèn)為是奇特且昂貴的碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)等技術(shù),現(xiàn)已變得更具性價(jià)比。此外,隨著市場(chǎng)的增長(zhǎng),由于規(guī)模經(jīng)濟(jì)的關(guān)系,SiC或GaN晶體管和二極管在經(jīng)濟(jì)上也越來越具有吸引力?! 」β拾雽?dǎo)體(如二極管和MOSFET)可以通過幾種機(jī)制顯著節(jié)省能源。與傳統(tǒng)的硅器件相比,SiC二極管可以實(shí)現(xiàn)短得多的反向恢復(fù)時(shí)間,從而實(shí)現(xiàn)更快的開關(guān)。此外,其反向恢復(fù)電荷要少很多,從而可降低開關(guān)損耗。此外,其反向恢復(fù)電荷要少很多,從而可降低開關(guān)損耗。就其本身
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          不了解半導(dǎo)體FAB廠?看完這篇就懂了

          • 半導(dǎo)體FAB廠 FAQ100問影響工廠成本的主要因素有哪些?答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體hellip; Labor
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  FAB  

          Skorpios收購了一座位于美國(guó)德州的Fab

          •   據(jù)麥姆斯咨詢報(bào)道,美國(guó)系統(tǒng)級(jí)芯片廠商Skorpios Technologies近日宣布收購了半導(dǎo)體集成廠商N(yùn)ovati Technologies及其位于美國(guó)德州奧斯汀的Fab,本次交易的具體金額暫未披露。        Novati聞名于其在2.5D/3D集成、光子學(xué)、MEMS傳感器以及醫(yī)療應(yīng)用微流控領(lǐng)域的創(chuàng)新研究。Skorpios則擁有一套獨(dú)有的晶圓級(jí)工藝,能夠?qū)崿F(xiàn)硅和III-V族材料的單片集成,并作為工作介質(zhì)(active medium)制造硅光子IC。   在此次并購交易之
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          【E課堂】不了解半導(dǎo)體FAB廠?看完這篇就懂了

          •   影響工廠成本的主要因素有哪些?  答:Direct Material 直接材料,例如:蕊片 Indirect Material間接材料,例如氣體… Labor人力 Fixed Manufacturing機(jī)器折舊,維修,研究費(fèi)用……等 Production Support其它相關(guān)單位所花費(fèi)的費(fèi)用  在FAB內(nèi),間接物料指哪些?  答:Gas 氣體 Chemical 酸,堿化學(xué)液&nbs
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          力爭(zhēng)Fab主動(dòng)權(quán) 中國(guó)瘋狂建廠的背后

          •   當(dāng)下的華夏大地,正被一股天翻地覆的英雄氣概所籠罩。半導(dǎo)體集成電路正成為僅次于互聯(lián)網(wǎng)機(jī)器人的熱詞。沒有幾個(gè)人能說得清,有多少條8吋、12吋生產(chǎn)線在運(yùn)籌帷幄之中,又有多少大佬背著錢袋在這個(gè)“金礦”邊上徘徊。中國(guó)歷來的傳統(tǒng)是,黨指向哪里我們就沖向哪里。今天國(guó)家確定的目標(biāo),就是今后我們?yōu)橹畩^斗的戰(zhàn)場(chǎng)。最近我們的行業(yè)領(lǐng)軍人士已經(jīng)開始注意到潛在的風(fēng)險(xiǎn),我們?cè)谌?ldquo;傳統(tǒng)產(chǎn)能”的同時(shí),會(huì)不會(huì)帶來新的“高科技產(chǎn)能過剩”風(fēng)險(xiǎn)?這是我們每個(gè)行業(yè)從業(yè)者要認(rèn)
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          X-Fab將收購已進(jìn)入破產(chǎn)程序法國(guó)專業(yè)晶圓代工廠Altis

          •   模擬、混合訊號(hào)晶圓代工廠X-Fab集團(tuán)于9月30日宣布,將收購日前已進(jìn)入破產(chǎn)程序的法國(guó)專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor,借此將可讓Altis Semiconductor免于進(jìn)入破產(chǎn)程序。實(shí)際收購價(jià)格方面,X-Fab未進(jìn)一步對(duì)外透露。   根據(jù)外媒報(bào)導(dǎo),Altis Semiconductor前身為美國(guó)IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房,制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出,借由收購Altis Semiconductor將有助增
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