- 模擬、混合訊號晶圓代工廠X-Fab集團于9月30日宣布，將收購日前已進入破產(chǎn)程序的法國專業(yè)晶圓代工業(yè)者Altis Semiconductor，借此將可讓Altis Semiconductor免于進入破產(chǎn)程序。實際收購價格方面，X-Fab未進一步對外透露。
根據(jù)EETimes等外媒報導，Altis Semiconductor前身為美國IBM位于巴黎以南約40公里處的晶圓代工廠房，制程包含從8吋(200mm)晶圓產(chǎn)線到約130納米的CMOS制程。X-Fab指出，借由收購Altis Semicondu
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X-Fab Altis
- Molex 公司推出新型 Lite-Trapä SMT (表面貼裝技術) 線對板連接器系統(tǒng)，具有小巧的外觀尺寸，滿足纖薄型 LED 照明模塊的應用要求。該按鈕式連接器的高度僅為 4.20mm，與可拆卸電線式的連接器相比，是當今市場上外形最小巧的連接器之一并可實現(xiàn)最低的電線插入力。
Molex 產(chǎn)品經(jīng)理 J.B. Jin 評論說：“Molex 致力于創(chuàng)新，通過設計出可以在電路板上降低組件高度的連接器系統(tǒng)，良好滿足 LED 照明制造商的要求，從而實現(xiàn)更薄的設計，并減輕陰影或與光
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Molex Lite-Trap 連接器
- 全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出，2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節(jié)點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
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Fab 電子制造
- 全球Fab前道設備支出額預計在2013年將持平，大約在317億美元,2014年會有24%的增長，至393億美元,見2013年2月底出版的《SEMI全球設備預報》。該預報還指出，2013年全球fab廠設備支出增長點在于技術節(jié)點的更新，同時FAB廠建方面的支出會增加6.7%且主要集中在中國。該預報參考了2013年超過180家機構的設備支出。
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Fab 設備
- X-FAB Silicon Foundries日前發(fā)表XT018，世界首創(chuàng)180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質(zhì)(SOI)的工藝。這種完全隔離型的模塊化工藝讓不同電壓的區(qū)塊能夠整合在單一芯片上，大幅減少了印刷電路板的組件數(shù)量，也避免栓鎖效應(latch-up)更提供對抗電磁干擾的卓越性。
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X-FAB XT018 MOS
- X-FAB Silicon Foundries 宣布，已經(jīng)增加在總部位于德國的 MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI)公司持股，從25.5%提高到51%，成為后者的最大股東，并將MFI重新命名為X-FAB伊策霍微機電系統(tǒng)晶圓廠(X-FAB MEMS Foundry Itzehoe)。
上述動向反映了X-FAB對MEMS制造服務與技術的重視。伊策霍(Itzehoe)廠補強了X-FAB 微機電系統(tǒng)晶圓廠最近在艾爾福特宣布的MEMS功能與資源，增添微感測器、致動器、微光學結構與
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X-FAB 微感測器 MEMS
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
此舉表明X-FAB注重于MEMS生產(chǎn)服務與技術。Itzehoe工廠補充了最近公布的埃爾福特X-FAB MEMS晶圓廠的MEMS的生產(chǎn)能力及資源，添加了微感應器、制動器、微光學結構與密封晶片級封裝工藝的相關技術。
X-FAB MEMS Found
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X-FAB 微感應器 MEMS
- X-FAB SiliconFoundries日前宣布其已增持德國MEMS Foundry Itzehoe GmbH (MFI) 的股份，從25.5%提高到51%，成為其大股東，同時將MFI更名為X-FAB MEMS Foundry Itzehoe。
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X-FAB MEMS MFI
- 瑞典斯德哥爾摩，2012年10月11日–為3G和4G基礎架構設備提供操作系統(tǒng)方案的全球領先供應商Enea?(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。
Polyhedra產(chǎn)品特別針對嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設計，對該領域而言，容錯系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對許多用戶而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個迅速而靈活的關系數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)，用于個人或公司內(nèi)部用途。
相較于Polyhedra 的32位模式完整版，
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Enea 內(nèi)存 Polyhedra Lite
- 為3G和4G基礎架構設備提供操作系統(tǒng)方案的全球領先供應商Enea®(NASDAQ OMX Nordic:ENEA)，今日宣布推出內(nèi)存數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)Polyhedra的免費版本Polyhedra Lite。
Polyhedra產(chǎn)品特別針對嵌入系統(tǒng)的開發(fā)者而設計，對該領域而言，容錯系統(tǒng)等功能非常重要。然而，對許多用戶而言，高有效性并非頭等大事，他們只是想要一個迅速而靈活的關系數(shù)據(jù)庫系統(tǒng)，用于個人或公司內(nèi)部用途。
相較于Polyhedra 的32位模式完整版，Polyhedra Lite是一
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Enea Polyhedra Lite
- 德國艾爾芙特 – X-FAB Silicon Foundries，日前宣布為了MEMS的營運將在未來的三年投資5000萬美金以上在無塵室、新設備、研發(fā)與人員，這些投資也反映X-FAB意義深遠地聚焦在MEMS以因應預期中MEMS的成長。
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X-FAB MEMS
- X-FAB Silicon Foundries 在XH018 0.18um高壓工藝上增加高可靠性的嵌入式閃存(eFlash)方案。此方案提供了業(yè)界最少的光罩版數(shù)，32層，其中包含數(shù)字、模擬、高壓元件、并閃存，而閃存只要額外2層光罩。對高階片上混合信號系統(tǒng)芯片(SoCs)，此方案具有極高的性價比，其中的45V高壓元件與嵌入式內(nèi)存，EEPROM、非揮發(fā)性隨機內(nèi)存(NVRAM) 、嵌入式閃存(eFlash)，更適用于高速微處理器、數(shù)字電源、和車用電子。
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X-FAB 嵌入式閃存
- 據(jù)iSuppli公司，通過采用有針對性的技術、靈活的生產(chǎn)擴張戰(zhàn)略和明智的收購行動，歐洲半導體代工廠商X-FAB Semiconductor Foundries AG和LFoundry GmbH已經(jīng)在市場中占有一席之地，成為模擬與混合信號半導體供應商。
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X-FAB 晶圓代工
- 蘋果應該考慮自己建個fab，不是在開玩笑，而是算一個建議。甚至可以打個賭Steve Jobs一定考慮過這件事。
蘋果應該考慮建自己的fab，生產(chǎn)iPad及iPhone用的A4處理器，由此自己的處理器性能可以不斷的提高。
顯然，建fab要化很多錢，這么多年蘋果把自己看作是一家傳統(tǒng)的OEM，買進元件，把它們組裝成產(chǎn)品或者系統(tǒng)，而讓它的芯片供應商來承擔fab的風險，但是為什么蘋果不能改變一下思路呢?
因為蘋果與傳統(tǒng)的OEM不同，它的產(chǎn)品有iPod、iPhone、iPad等，而且預計未來會有
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蘋果 處理器 fab
- X-FAB Silicon Foundries，業(yè)界領先的模擬/混合信號晶圓廠及“超越摩爾定律”技術的專家，今天公布了業(yè)界首款100V高壓0.35微米晶圓廠工藝。它能用于電池管理,提供新類型的可靠及高性能電池監(jiān)控與保護系統(tǒng)。它也非常適合用于功率管理設備，以及用于使用壓電驅(qū)動器的超聲波成像和噴墨打印機的噴頭。此外，X-FAB加入了新興改良式N類與P類雙擴散金屬氧化物半導體(DMOS)晶體管，對于達到100V的多運作電壓，導通電阻可降低45%，晶片的占位能夠降低40%，從而降低了晶
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X-FAB 晶圓代工
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