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VxWorks文件系統(tǒng)和Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- VxWorks文件系統(tǒng)和Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn),0 引言
在VxWorks的應(yīng)用系統(tǒng)中，基于flash的文件系統(tǒng)通常都采用DOS+FAT+FTL的結(jié)構(gòu)。
一般情況下，磁盤文件系統(tǒng)大多是基于sector的文件系統(tǒng)，磁盤按照物理上分為柱面、磁盤、扇區(qū)，扇區(qū)是基于塊的文件系統(tǒng)操作的 - 關(guān)鍵字： 設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn) TFFS Flash 文件 系統(tǒng) VxWorks
基于DSP的外部Flash存儲器在線編程的軟硬件設(shè)計(jì)
- 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
- 關(guān)鍵字： DSP Flash 存儲器 在線編程 軟硬件設(shè)計(jì)
“BIWIN首屆Nand Flash應(yīng)用高峰論壇”側(cè)記
- 2012年，隨著智能手機(jī)、平板電腦、Ultrabook的井噴式爆發(fā)，有一種半導(dǎo)體器件會受到產(chǎn)業(yè)的萬眾矚目----這就是Nand Flash，Gartner預(yù)估今年NAND Flash市場增長18%! 年初以來，NAND Flash大廠英特爾、東芝、海力士、三星、美光等均有擴(kuò)增新產(chǎn)能計(jì)劃，各大廠工藝紛紛轉(zhuǎn)向20nm，三星西安建廠發(fā)力10nm Nand Flash!可以說，一場圍繞Nand Flash應(yīng)用的存儲大變革正在進(jìn)行，Nand Flash應(yīng)用變革給本土業(yè)者帶來哪些機(jī)遇?智能手機(jī)、平板電腦供應(yīng)商如何看待
- 關(guān)鍵字： BIWIN Nand Flash
基于Flash存儲器的嵌入式文件系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要:針對Flash存儲器的特點(diǎn)，設(shè)計(jì)了一種適合開源實(shí)時(shí)操作的嵌入式文件系統(tǒng)。該系統(tǒng)設(shè)計(jì)依據(jù)日志文件系...
- 關(guān)鍵字： Flash 存儲器 嵌入式 文件系統(tǒng)
存儲技術(shù)變局為中國制造帶來了什么機(jī)遇？
- 縱觀半導(dǎo)體發(fā)展歷史，一種新興技術(shù)的出現(xiàn)，影響的不只是個(gè)別公司的興衰，更是推動了某個(gè)產(chǎn)業(yè)的轉(zhuǎn)型，新技術(shù)是變革者趕超傳統(tǒng)技術(shù)列強(qiáng)的利器，也是產(chǎn)業(yè)升級的動力源，當(dāng)年的光盤存儲技術(shù)興起，就帶動了中國整體光盤機(jī)產(chǎn)業(yè)，現(xiàn)在，我們又將迎來新一輪的存儲技術(shù)變局---以NAND FLASH為代表的半導(dǎo)體存儲技術(shù)會給我們的本土企業(yè)帶來了什么機(jī)遇?這里結(jié)合自己的體會聊做分析。
- 關(guān)鍵字： 泰勝微 存儲 NAND FLASH
串行FLASH存儲器在小型LED顯示系統(tǒng)中的應(yīng)用系統(tǒng)分析
- LED顯示屏由于其具有耗電少、使用壽命長、成本低、亮度高、故障少、視角大、可視距離遠(yuǎn)等特點(diǎn)，已經(jīng)成為新一代的信息傳播媒體工具。LED與LCD相比較最突出的特點(diǎn)是亮度高、成本低且屏幕尺寸可根據(jù)現(xiàn)場情況用標(biāo)準(zhǔn)LED單
- 關(guān)鍵字： 顯示系統(tǒng) 應(yīng)用系統(tǒng) 分析 LED 小型 FLASH 存儲器 串行
一種基于MCU內(nèi)部Flash的在線仿真器設(shè)計(jì)方法
- 摘要：提出了一種基于MCU內(nèi)部Flash的仿真器設(shè)計(jì)方法，并完成了設(shè)計(jì)和仿真。 ...
- 關(guān)鍵字： 微控制器 在線仿真 開發(fā)系統(tǒng) Flash SRAM
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲器，由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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