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基于FPGA和FLASH ROM的圖像信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)
- 摘要：以XC2V1500-FPGA為硬件架構(gòu)，設(shè)計(jì)了一種圖像信號(hào)發(fā)生器，作為自適應(yīng)光學(xué)系統(tǒng)波前處理機(jī)的信號(hào)源，為波前處理機(jī)的調(diào)試和算法驗(yàn)證提供支持。系統(tǒng)采用大容量的NAND型FLASH存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，存儲(chǔ)容量為1 GB。圖像數(shù)據(jù)通過(guò)
- 關(guān)鍵字： FLASH FPGA ROM 圖像信號(hào)發(fā)生器
基于Flash的遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 摘要：根據(jù)當(dāng)前基于Web遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控方案的不足，利用Flash的交互性強(qiáng)，本身導(dǎo)出的文件小，適合網(wǎng)絡(luò)傳輸、利用AS(Action Script)提高了與其他語(yǔ)言的交互性等特點(diǎn)，提出了基于Flash的遠(yuǎn)程工業(yè)監(jiān)控系統(tǒng)設(shè)計(jì)思路。提出了
- 關(guān)鍵字： 監(jiān)控系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 工業(yè) 遠(yuǎn)程 Flash 基于
C8051F的超大容量Flash存儲(chǔ)器擴(kuò)展方法介紹
- 摘要：NAND結(jié)構(gòu)Flash數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器件是超大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的理想選擇，當(dāng)前被廣泛應(yīng)用于U盤(pán)、MP3和數(shù)碼相機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)。本文對(duì)該類(lèi)型Flash的基本操作進(jìn)行研究并對(duì)實(shí)際應(yīng)用系統(tǒng)給予驗(yàn)證，揭示了NAND結(jié)構(gòu)Flash的操作規(guī)律。引
- 關(guān)鍵字： 方法 介紹 擴(kuò)展 存儲(chǔ)器 大容量 Flash C8051F
一種矢量信號(hào)發(fā)生器設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
- 摘要：充分利用DDR2 SDRAM速度快、FLASH掉電不消失、MATLAB/Simulink易產(chǎn)生矢量信號(hào)的特點(diǎn)，以FPGA為邏輯時(shí)序控制器，設(shè)計(jì)并實(shí)現(xiàn)了一種靈活、簡(jiǎn)單、低成本的矢量信號(hào)發(fā)生器。本文以產(chǎn)生3載波WCDMA為例，詳細(xì)介紹了矢量信號(hào)發(fā)生器的設(shè)計(jì)方案與實(shí)現(xiàn)過(guò)程，使用Verilog HDL描述并實(shí)現(xiàn)了DDR2 SDRAM的時(shí)序控制和FPGA的邏輯控制。
- 關(guān)鍵字： DDR2 SDRAM FLASH 201205
基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì)
- 基于NAND Flash的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)設(shè)計(jì),引言
傳統(tǒng)的存儲(chǔ)設(shè)備雖然具有價(jià)格低廉的優(yōu)勢(shì)，但是在高溫、高速、高沖擊的測(cè)試環(huán)境中，往往存在設(shè)備存放空間有限、測(cè)試參數(shù)較多、采集速率高、環(huán)境復(fù)雜等因素。為了得到準(zhǔn)確的測(cè)試數(shù)據(jù)，對(duì)存儲(chǔ)設(shè)備的性能也提出 - 關(guān)鍵字： 系統(tǒng) 設(shè)計(jì) 存儲(chǔ) 數(shù)據(jù) NAND Flash 基于
FLASH在MSP430F149嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- NAND Flash是采用NAND結(jié)構(gòu)技術(shù)的非易失存儲(chǔ)器，具有ROM存儲(chǔ)器的特點(diǎn)，存儲(chǔ)在該芯片中的數(shù)據(jù)可在斷電情況下維持1 ...
- 關(guān)鍵字： K9F1G08U0M MSP430F149 FLASH
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫(xiě)入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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