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砷化鎵IDM廠調(diào)高財測 臺系業(yè)者雨露均沾
- 隨著下游需求回溫，自2010年初以來，整體砷化鎵 (GaAs)市場需求回升。而在TriQuint、Skyworks及RFMD等全球砷化鎵IDM業(yè)者紛紛上調(diào)2010年度財測后，Avago也宣告調(diào)高 2010年2~4月的營收預(yù)估值。受惠于此，臺系砷化鎵晶圓代工廠宏捷科技以及穩(wěn)懋半導(dǎo)體的單月營收皆持續(xù)攀升，市場預(yù)期業(yè)者的第2季也可望持續(xù)優(yōu)于第1 季表現(xiàn)。 受惠于智能型手機(jī)(smartphone)出貨量持續(xù)成長，帶動功率放大器(PA)的需求，也反應(yīng)在全球各家砷化鎵IDM業(yè)者的財測中。而臺系晶圓代工廠以及
- 關(guān)鍵字： GaAs 晶圓代工
Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟(jì)型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動放大器使用，這些面向移動通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機(jī)頂盒等各種其他無線通信應(yīng)
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高性能微波/毫米波GaAs器件提高3G/4G回程網(wǎng)絡(luò)的速度和容量
- 數(shù)據(jù)通信量的增加正在成為回程網(wǎng)絡(luò)的瓶頸 近年來，寬帶用戶數(shù)量明顯增加，并出現(xiàn)了大量手持移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備(MID)。數(shù)據(jù)和視頻應(yīng)用已超過話音(參見圖1)，導(dǎo)致傳輸網(wǎng)絡(luò)的需求量前所未有地急劇增長。市調(diào)專業(yè)機(jī)構(gòu)ABIResearch最新報告顯示，2009年移動通信用戶總量將達(dá)到43億，2013年將接近54億。因此，數(shù)據(jù)在移動通信中所占比例將迅速增長。保持這種增長勢頭很大程度上取決于移動用戶能否獲得積極的寬帶體驗。為保證各類通信的服務(wù)質(zhì)量(QoS)，收集和傳送數(shù)據(jù)的回程網(wǎng)絡(luò)必須與用戶需求保持同步。
- 關(guān)鍵字： TriQuint 3G 4G GaAs
NJR開發(fā)GaAs MMIC NJG1139UA2 適合于便攜式數(shù)字電視
- 日本無線(NJR)現(xiàn)開發(fā)完成了GaAsMMICNJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，...
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新日本無線開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2
- 新日本無線現(xiàn)開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數(shù)字電視。 【開發(fā)背景】 近年來，隨著便攜式設(shè)備和汽車導(dǎo)航儀等可接收地面數(shù)字廣播的產(chǎn)品越來越多，為了提高終端的接收靈敏度、市場需求具有高增益/高線性度/低噪音指數(shù)的低噪音放大器(以后稱作LNA)。為了適應(yīng)市場的要求，新日本無線開發(fā)了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封裝，減少了外部元件，并為了更加容易使用而開
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砷化鎵產(chǎn)業(yè)恢復(fù)減慢 未來市場規(guī)模將低預(yù)期
- Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體研究部門發(fā)布最新報告“砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)預(yù)測 : 2008-2013”。分析指出，全球經(jīng)濟(jì)衰退造成砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)2008年的年增長率由先前預(yù)測的9%降至6%;而2009年砷化鎵 (GaAs) 市場的預(yù)計收益為35億美元，比2008年下降5%，完全抵消前一年的增長。 Strategy Analytics 的砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體技術(shù)市場研究部主管 Asif Anwar
- 關(guān)鍵字： GaAs 半導(dǎo)體 消費電子 光纖
砷化鎵外延襯底市場規(guī)模將超過4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測報告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場預(yù)測2008-2013”。報告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場年增長率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計2009年該市場將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場對砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場在2010年將恢復(fù)增長。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
Strategy Analytics：VSAT 經(jīng)受住經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴考驗
- Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導(dǎo)體技術(shù) (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務(wù)發(fā)布最新研究報告“來自 Satcom/VSAT 市場的 GaAs 設(shè)備機(jī)會：2008-2013”。報告指出長設(shè)計周期，加之被抑制的消費需求，將使得 VSAT 比大多數(shù)其他通信市場能夠更好的經(jīng)受住目前經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴的考驗，并且轉(zhuǎn)化為對砷化鎵 (GaAs) 設(shè)備的穩(wěn)定需求。 砷化鎵 (GaAs) 半導(dǎo)體技術(shù)廣泛用于空間
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DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關(guān)
- 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計的一款寬帶反射型MMIC SPST開關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計平臺開展了寬帶SPST開關(guān)設(shè)計。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時，對電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對電路設(shè)計流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數(shù)量對插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關(guān)電路成功開發(fā)。
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帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現(xiàn)開始發(fā)放樣品
- 新日本無線已開發(fā)完成了最適用于1SEG信號用調(diào)諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現(xiàn)開始樣品供貨。 近年來，手機(jī)和車載導(dǎo)航等能接收1SEG信號產(chǎn)品在不斷地增加，因終端接收信號靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場需要。新日本無線為滿足這種市場需求，開發(fā)了NJG1134HA8（08年3月27日發(fā)表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場所求的更高靈敏度，所開發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。 該產(chǎn)品是可支持47
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Ge組分對SiGe HBT主要電學(xué)特性的影響
- 0 引言 SiGe基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術(shù)首次制作出SiGe基區(qū)HBT以來，SiGe集成電路的規(guī)模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應(yīng)等性能已經(jīng)接近或達(dá)到了化合物異質(zhì)結(jié)器件的水平。而SiGe異質(zhì)結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復(fù)雜性，且成本低于化合物半導(dǎo)體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達(dá)到400的晶體管，并且低溫下fT達(dá)到200 GHz的SiGeHBT也
- 關(guān)鍵字： HBT
Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器
- Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無線應(yīng)用。 HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無需外部匹配電路，從而成為競爭對手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應(yīng)用AH-1與AM-1增益單元。 HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
- 關(guān)鍵字： 放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器
- Hittite Microwave Corporation近日推出一個新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設(shè)計者可以實現(xiàn)頻率覆蓋22到46GHz的連續(xù)輸出。這一器件在時鐘發(fā)生器，點對點無線電、軍事和航空、VSAT以及測試設(shè)備應(yīng)用中，還具有優(yōu)越的基波和諧波抑制。 HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術(shù)，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉(zhuǎn)換損耗倍頻器和一個輸出緩沖放大器組成。當(dāng)用+5 dBm輸入信號驅(qū)動時，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
- 關(guān)鍵字： Hittite 倍頻器 有源 GaAs PHEMT
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