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一款高三階交調(diào)點(diǎn)的GaAs射頻放大器
- 介紹了一款滿足于5G通信發(fā)展要求，工作頻率高增益，高線性度，高三階交調(diào)點(diǎn)的射頻放大器的設(shè)計(jì)。采用砷化鎵異質(zhì)結(jié)晶體管（GaAs HBT）工藝，基于達(dá)林頓結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)。在原有結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，添加了偏置結(jié)構(gòu)，一方面提高了放大器工作狀態(tài)的線性度，提高了三階交調(diào)點(diǎn)指標(biāo)；另一方面保證晶體管工作電流在-55℃，125℃工作狀態(tài)下保持穩(wěn)定。放大器能夠工作在10 MHz~4 GHz，輸出三階交調(diào)點(diǎn)達(dá)到40 dBm，線性度高，適用于5G通信信號(hào)處理系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字： 202306 射頻放大器 GaAs HBT 三階交調(diào)點(diǎn) 高線性度
一款應(yīng)用于Wi-Fi?6E設(shè)備的GaAs?HBT功率 放大器
- 摘要：針對(duì)WIFI 6E頻段的設(shè)備需求，設(shè)計(jì)了一款工作在5.9?GHz~7.2?GHz的寬帶砷化鎵異質(zhì)結(jié)雙極型晶體 管（GaAs HBT）功率放大器。功率放大器為三級(jí)放大拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，采用自適應(yīng)偏置電路結(jié)構(gòu)解決HBT晶體管在 大功率輸入下偏置點(diǎn)變化及自熱效應(yīng)引起增益及線性度惡化的問題。測(cè)試結(jié)果表明，在5.9?GHz~7.2?GHz頻段 內(nèi)，功率放大器增益＞27?dB，輸出飽和功率＞1?W，附加效率＞24 %，芯片面積：1.24?mm×1.27?mm。關(guān)鍵詞：功率放大器；WIFI 6E；GaAs HBT近
- 關(guān)鍵字： 202206 功率放大器 WIFI 6E GaAs HBT
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管
- 2011年9月13日 日本東京訊—高級(jí)半導(dǎo)體廠商瑞薩電子株式會(huì)社（TSE：6723，以下簡(jiǎn)稱“瑞薩電子”）宣布推出新款SiGe:C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04，可作為低噪聲放大晶體管用于無線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、衛(wèi)星無線電及類似應(yīng)用。本裝置的制程采用全新開發(fā)的硅鍺：碳(SiGe:C)材料 (注2) 并達(dá)到領(lǐng)先業(yè)界的低噪聲效能。
- 關(guān)鍵字： 瑞薩 晶體管 SiGe:C HBT
Avago 推出新高性能寬帶InGaP HBT增益方塊
- Avago Technologies(安華高科技)今日宣布推出兩款新經(jīng)濟(jì)型容易使用的通用InGaP異質(zhì)結(jié)雙極晶體管(HBT, Hetero-Junction Bipolar Transistor) MMIC增益方塊放大器產(chǎn)品，適合各種不同的無線通信應(yīng)用。于DC到6,000MHz頻帶工作，Avago的AVT-51663/53663增益方塊可以作為寬帶增益方塊或驅(qū)動(dòng)放大器使用，這些面向移動(dòng)通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用設(shè)計(jì)的增益方塊也可以使用在如基站、WiMAX、WLAN、CATV、衛(wèi)星電視和機(jī)頂盒等各種其他無線通信應(yīng)
- 關(guān)鍵字： Avago 放大器 晶體管 HBT
砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
Ge組分對(duì)SiGe HBT主要電學(xué)特性的影響
- 0 引言 SiGe基區(qū)異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管(SiGe HBT)是利用SiGe合金特性制成的器件。自1987年采用MBE技術(shù)首次制作出SiGe基區(qū)HBT以來，SiGe集成電路的規(guī)模和電路的速度不斷發(fā)展，電流增益和頻率響應(yīng)等性能已經(jīng)接近或達(dá)到了化合物異質(zhì)結(jié)器件的水平。而SiGe異質(zhì)結(jié)技術(shù)和傳統(tǒng)的Si集成電路相比，在工藝上并未增加大的復(fù)雜性，且成本低于化合物半導(dǎo)體器件。最新的SiGe HBT的研究表明已研制出超過200 GHz電流增益峰值達(dá)到400的晶體管，并且低溫下fT達(dá)到200 GHz的SiGeHBT也
- 關(guān)鍵字： HBT
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