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新日本無(wú)線開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2
- 新日本無(wú)線現(xiàn)開發(fā)完成了GaAs MMIC NJG1139UA2，并已開始供貨了。該產(chǎn)品是設(shè)有旁通電路的寬帶低噪音放大器，最適合于便攜式數(shù)字電視。 【開發(fā)背景】 近年來(lái)，隨著便攜式設(shè)備和汽車導(dǎo)航儀等可接收地面數(shù)字廣播的產(chǎn)品越來(lái)越多，為了提高終端的接收靈敏度、市場(chǎng)需求具有高增益/高線性度/低噪音指數(shù)的低噪音放大器(以后稱作LNA)。為了適應(yīng)市場(chǎng)的要求，新日本無(wú)線開發(fā)了NJG1129MD7(08年12月公布)。NJG1139UA2是在此之上采用了小型化封裝，減少了外部元件，并為了更加容易使用而開
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線 放大器 GaAs
砷化鎵產(chǎn)業(yè)恢復(fù)減慢 未來(lái)市場(chǎng)規(guī)模將低預(yù)期
- Strategy Analytics 砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體研究部門發(fā)布最新報(bào)告“砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)預(yù)測(cè) : 2008-2013”。分析指出，全球經(jīng)濟(jì)衰退造成砷化鎵 (GaAs) 行業(yè)2008年的年增長(zhǎng)率由先前預(yù)測(cè)的9%降至6%;而2009年砷化鎵 (GaAs) 市場(chǎng)的預(yù)計(jì)收益為35億美元，比2008年下降5%，完全抵消前一年的增長(zhǎng)。 Strategy Analytics 的砷化鎵 (GaAs) 及化合物半導(dǎo)體技術(shù)市場(chǎng)研究部主管 Asif Anwar
- 關(guān)鍵字： GaAs 半導(dǎo)體 消費(fèi)電子 光纖
砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4億美元
- Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。 一直
- 關(guān)鍵字： GaAs 外延襯底 FET HBT
Strategy Analytics：VSAT 經(jīng)受住經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴考驗(yàn)
- Strategy Analytics 砷化鎵及化合物半導(dǎo)體技術(shù) (GaAs and Compound Semiconductor Technologies) 研究服務(wù)發(fā)布最新研究報(bào)告“來(lái)自 Satcom/VSAT 市場(chǎng)的 GaAs 設(shè)備機(jī)會(huì)：2008-2013”。報(bào)告指出長(zhǎng)設(shè)計(jì)周期，加之被抑制的消費(fèi)需求，將使得 VSAT 比大多數(shù)其他通信市場(chǎng)能夠更好的經(jīng)受住目前經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴的考驗(yàn)，并且轉(zhuǎn)化為對(duì)砷化鎵 (GaAs) 設(shè)備的穩(wěn)定需求。 砷化鎵 (GaAs) 半導(dǎo)體技術(shù)廣泛用于空間
- 關(guān)鍵字： GaAs 衛(wèi)星通信 微波集成電路
DC～40 GHz反射型GaAs MMIC SPST開關(guān)
- 介紹了基于GaAs PHEMT工藝設(shè)計(jì)的一款寬帶反射型MMIC SPST開關(guān)的相關(guān)技術(shù)，基于成熟的微波單片集成電路設(shè)計(jì)平臺(tái)開展了寬帶SPST開關(guān)設(shè)計(jì)。工作頻率范圍為DC~40 GHz，插入損耗≤0．8 dB，隔離度≥25 dB，駐波比≤1．4：l。同時(shí)，對(duì)電路的通孔特性進(jìn)行了分析，對(duì)電路設(shè)計(jì)流程進(jìn)行了闡述。要獲得期望帶寬的開關(guān)，如何選擇控制器件的通孔連接方式，以及通孔數(shù)量對(duì)插入損耗等性能的影響。最終，具有小尺寸和優(yōu)異微波性能的GaAs微波單片集成單刀單擲開關(guān)電路成功開發(fā)。
- 關(guān)鍵字： GaAs MMIC SPST GHz
帶有旁通性能1SEG用寬帶低噪聲放大器GaAs MMIC NJG1129MD7現(xiàn)開始發(fā)放樣品
- 新日本無(wú)線已開發(fā)完成了最適用于1SEG信號(hào)用調(diào)諧器模塊的寬帶低噪聲放大器（下稱LNA）GaAs MMIC NJG1129MD7，現(xiàn)開始樣品供貨。 近年來(lái)，手機(jī)和車載導(dǎo)航等能接收1SEG信號(hào)產(chǎn)品在不斷地增加，因終端接收信號(hào)靈敏度不足，故具有高增益／高線性／低噪聲的高性能LNA是市場(chǎng)需要。新日本無(wú)線為滿足這種市場(chǎng)需求，開發(fā)了NJG1134HA8（08年3月27日發(fā)表）。NJG1129MD7就是為了滿足市場(chǎng)所求的更高靈敏度，所開發(fā)了1SEG用寬帶LNA GaAs MMIC。 該產(chǎn)品是可支持47
- 關(guān)鍵字： 新日本無(wú)線 寬帶低噪聲放大器 GaAs MMIC NJG1129MD7
Hittite推出SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器
- Hittite Microwave Corporation近日推出兩款SMT封裝GaAs pHEMT MMIC增益單元放大器，適用于頻率在50-4GHz的汽車、寬帶，CATV，蜂窩/3G，WiMAX/4G以及固定無(wú)線應(yīng)用。 HMC636ST89E和HMC639ST89E是GaAs pHEMT高線性增益單元放大器，無(wú)需外部匹配電路，從而成為競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的理想替代品，如50MHz到4GHz的IF和RF應(yīng)用AH-1與AM-1增益單元。 HMC636ST89E高線性增益單元放大器額定為200 MHz到
- 關(guān)鍵字： 放大器 Hittite SMT GaAs pHEMT
Hittite Microwave推出22到46 GHz有源X2倍頻器
- Hittite Microwave Corporation近日推出一個(gè)新款GaAs MMIC有源X2倍頻器，從而使設(shè)計(jì)者可以實(shí)現(xiàn)頻率覆蓋22到46GHz的連續(xù)輸出。這一器件在時(shí)鐘發(fā)生器，點(diǎn)對(duì)點(diǎn)無(wú)線電、軍事和航空、VSAT以及測(cè)試設(shè)備應(yīng)用中，還具有優(yōu)越的基波和諧波抑制。 HMC598有源X2倍頻器使用GaAs PHEMT技術(shù)，以裸片形式提供。器件由輸入放大器、低轉(zhuǎn)換損耗倍頻器和一個(gè)輸出緩沖放大器組成。當(dāng)用+5 dBm輸入信號(hào)驅(qū)動(dòng)時(shí)，倍頻器提供22到30 GHz的+15 dBm典 型輸入功率。高輸出
- 關(guān)鍵字： Hittite 倍頻器 有源 GaAs PHEMT
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