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	gan fet
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          基于優(yōu)化變換器的FET開關(guān)來(lái)改善能量效率
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　在計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點(diǎn)是AC/DC轉(zhuǎn)換上。不過(guò)，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設(shè)計(jì)人員開始認(rèn)識(shí)到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進(jìn)?！　C/DC平均系統(tǒng)
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          • 關(guān)鍵字：
                        改善  能量  效率  開關(guān)  FET  優(yōu)化  變換器  基于                          
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          設(shè)計(jì)主電源和備用電源之間的FET-OR電路開關(guān)
          
                                                            
            
                    	
          • 圖1為一具有“二極管或”功能的電路，用于主電源和備用電源之間必須自動(dòng)切換的場(chǎng)合，包括電池供電存儲(chǔ)器電...
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          • 關(guān)鍵字：
                        主電源  備用電源  FET-OR                          
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          “主流GaN”的發(fā)展和未來(lái)
          
                                                            
            
                    	
          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  恩智浦  氮化鎵  射頻功率晶體管                          
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          科銳推出突破性GaN基固態(tài)放大器平臺(tái)
          
                                                            
            
                    	
          • 科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布推出具有革新性功率與帶寬性能的全新Ku波段40V、0.25微米碳化硅襯底氮化鎵基(GaN-on-SiC)裸芯片產(chǎn)品系列。該創(chuàng)新型產(chǎn)品系列能夠使得固態(tài)放大器替代行波管，從而提高效率和可靠性。
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          • 關(guān)鍵字：
                        科銳  放大器  GaN                          
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          對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖的方法
          
                                                            
            
                    	
          • 圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上，因此 
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          • 關(guān)鍵字：
                        緩沖  方法  進(jìn)行  電壓  FET  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器                          
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          技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件（一）
          
                                                            
            
                    	
          • 與SiC和GaN相比，β-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源...
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          • 關(guān)鍵字：
                        SiC  功率元件  GaN  導(dǎo)通電阻                          
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          用智能MOSFET提升醫(yī)療設(shè)計(jì)可靠性及性能
          
                                                            
            
                    	
          • 所有關(guān)于醫(yī)療應(yīng)用的產(chǎn)品在要求高可靠性的同時(shí)，仍然需要提供終端用戶想要的新技術(shù)與功能。由于各醫(yī)療設(shè)備...
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          • 關(guān)鍵字：
                        智能MOSFET  醫(yī)療電子  FET                          
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          基于FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能定時(shí)器專用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少IC的數(shù)量，事先了
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET  輸入  OP放大器  模擬                            
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          硅上GaN LED分析
          
                                                            
            
                    	
          • 硅上GaN LED不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國(guó)一個(gè)研究小組通過(guò)原位工具監(jiān)測(cè)溫度和晶片曲率，制備出低位錯(cuò)密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中，使得內(nèi)量子效率接近40%。硅襯底在
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          • 關(guān)鍵字：
                        GaN  LED  分析                            
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          用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路介紹
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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          • 關(guān)鍵字：
                        VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算                            
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          20W-50W單端FET純甲類功放的設(shè)計(jì)制作
          
                                                            
            
                    	
          • 音響發(fā)燒友在孜孜不倦的追求目標(biāo)，就是自己的音響器材有更純真更自然的音質(zhì)表現(xiàn)，單端純甲類功放，音質(zhì)醇厚,偶次 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        單端  FET  甲類  功放                          
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          與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器電路
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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          • 關(guān)鍵字：
                        VOO  檢驗(yàn)  電路  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表                          
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          隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率 ...
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          • 關(guān)鍵字：
                        隔離式  FET  脈沖驅(qū)動(dòng)器                          
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          使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器電路及工作原理
          
                                                            
            
                    	
          • 電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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          • 關(guān)鍵字：
                        FET  結(jié)型  電壓控制  放大器電路                            
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          保護(hù)汽車?yán)鋮s風(fēng)扇模塊免受熱失控引起的損壞
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 在嚴(yán)苛的汽車環(huán)境中，各種功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認(rèn)為可承受極端的溫度變化和熱機(jī)械應(yīng)力。間歇性短路、寒冷的運(yùn)行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負(fù)載及多次短路久而久之會(huì)讓該器件疲損，致使其進(jìn)入開路、短路或阻性模式。
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          • 關(guān)鍵字：
                        RTP器件  FET                          
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