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	hdr-cmos
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          采用ADS的CMOS雙平衡混頻器設(shè)計(jì)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 摘要：分析了Gilbert結(jié)構(gòu)有源雙平衡混頻器的工作機(jī)理，以及混頻器的轉(zhuǎn)換增益、線性度與跨導(dǎo)、CMOS溝道尺寸等相關(guān)電路參數(shù)間的關(guān)系，并據(jù)此使用ADS軟件進(jìn)行設(shè)計(jì)及優(yōu)化。在采用TSMC 0．25mu;m CMOS工藝，射頻信號(hào)為2．
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          • 關(guān)鍵字：
                        設(shè)計(jì)  平衡  CMOS  ADS  采用                          
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          基于CMOS工藝的鋰聚合物電池保護(hù)電路設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 1　引言　　鋰電池產(chǎn)品以高能量密度、長(zhǎng)循環(huán)壽命、快速充放電、高電池電壓、工作溫度范圍廣、無(wú)記憶等優(yōu)異特性占據(jù)了市場(chǎng)很大份額。然而，鋰電池產(chǎn)品在充放電過(guò)程中的過(guò)充電、過(guò)放電、放電過(guò)電流及其它異常狀態(tài)(例如
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          • 關(guān)鍵字：
                        保護(hù)  電路設(shè)計(jì)  電池  聚合物  CMOS  工藝  基于                          
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          卓然發(fā)布單晶片COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器
          
                                                            
            
                    	
          • 為數(shù)億部數(shù)碼相機(jī)提供SOC解決方案的全球領(lǐng)先供應(yīng)商卓然公司﹝納斯達(dá)克證券交易所代碼：ZRAN﹞日前宣布，其高度集成的COACH 14數(shù)碼相機(jī)處理器平臺(tái)可用于3D、全高清視頻、混合型及單電數(shù)碼相機(jī)。
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          • 關(guān)鍵字：
                        卓然  CMOS  COACH 14                          
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          Amalfi推出第二代CMOS功率放大器體系A(chǔ)daptiveRF
          
                                                            
            
                    	
          • 　　手機(jī)高級(jí)功率放大器解決方案的新領(lǐng)軍人 Amalfi Semiconductor日前宣布推出前端 GSM/GPRS 蜂窩手機(jī)用 CMOS 發(fā)射模塊，該模塊是世界上最經(jīng)濟(jì)的高性能模塊。利用體效應(yīng)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體工藝自身的可擴(kuò)展性，AdaptiveRF 體系結(jié)構(gòu)可融合高度集成的派生功能，包括交換機(jī)和復(fù)合濾波器，可不斷大幅降低前端產(chǎn)品的成本、體積和功耗。
　
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          • 關(guān)鍵字：
                        Amalfi  CMOS                          
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          CCD和CMOS主要技術(shù)分析
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • CCD和CMOS是當(dāng)前主要的兩項(xiàng)成像技術(shù)，它們產(chǎn)生于不同的制造工藝背景，就當(dāng)前技術(shù)言仍各具優(yōu)劣。選擇CCD或CMOS攝像機(jī)應(yīng)依據(jù)適用環(huán)境和要求，合適選用CCD或CMOS技術(shù)，便能使圖像監(jiān)控達(dá)到預(yù)期的效果。另外，還可看到，C
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          • 關(guān)鍵字：
                        分析  技術(shù)  主要  CMOS  CCD                          
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          提高共源共柵CMOS功率放大器效率的方案
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：利用共源共柵電感可以提高共源共柵結(jié)構(gòu)功率放大器的效率。這里提出一種采用共源共柵電感提高效率的5.25GHzWLAN的功率放大器的設(shè)計(jì)方案，使用CMOS工藝設(shè)計(jì)了兩級(jí)全差分放大電路，在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)
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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  共源共柵  功率放大器  方案                            
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          基于不同VTH值的新型CMOS電壓基準(zhǔn)
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：傳統(tǒng)基準(zhǔn)電路主要采用帶隙基準(zhǔn)方案，利用二級(jí)管PN結(jié)具有負(fù)溫度系數(shù)的正向電壓和具有正溫度系數(shù)的VBE電壓得出具有零溫度系數(shù)的基準(zhǔn)。針對(duì)BJT不能與標(biāo)準(zhǔn)的CMOS工藝兼容的缺陷，利用NMOS和PMOS管的兩個(gè)閾值電壓VT
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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  VTH  電壓基準(zhǔn)                            
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          全CMOS基準(zhǔn)電壓源的分析與仿真
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：文章基于CMOS 0．18mu;m工藝，在Hspice下，對(duì)四利PMOS管基準(zhǔn)電壓源進(jìn)行了分析和仿真，文中給出了每種電路仿真時(shí)的電路參數(shù)和仿真結(jié)果。
            關(guān)鍵詞：基準(zhǔn)電壓；CMOS集成電路；Hspice

            0 引言
            模擬電路廣泛
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          • 關(guān)鍵字：
                        仿真  分析  電壓  基準(zhǔn)  CMOS                          
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          艾克賽利將介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM－IMG模型的應(yīng)用
          
                                                            
            
                    	
          • 　　艾克賽利(Accelicon)，器件級(jí)建模驗(yàn)證以及PDK解決方案的技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者，宣布將出席于2011年10月3日到6日在美國(guó)亞利桑那州Tempe市舉辦的IEEE國(guó)際絕緣體上硅大會(huì)(2011 IEEE International SOI Conference)，并在會(huì)上介紹業(yè)內(nèi)最新BSIM-IMG模型的應(yīng)用情況。
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          • 關(guān)鍵字：
                        艾克賽利  CMOS                          
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          2．4GHz 0．35-μm CMOS全集成線性功率放大器設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：片上系統(tǒng)射頻功率放大器是射頻前端的重要單元。通過(guò)分析和對(duì)比各類(lèi)功率放大器的特點(diǎn)，電路采用SMIC0．35-mu;mCMOS工藝設(shè)計(jì)2．4 GHz WLAN全集成線性功率放大器。論文中設(shè)計(jì)的功率放大器采用不同結(jié)構(gòu)的兩級(jí)放大
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          • 關(guān)鍵字：
                        4GHz  CMOS  35  集成                            
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          鎖存繼電器的CMOS電路研究
          
                                                            
            
                    	
          • 圖1中電路會(huì)根據(jù)一個(gè)脈沖，切換一個(gè)DPDT（雙刀雙擲）鎖存繼電器的狀態(tài)。它包括一個(gè)瞬動(dòng)開(kāi)關(guān)至步進(jìn)電壓信號(hào)發(fā)生器，一個(gè)差分脈沖轉(zhuǎn)換器，一個(gè)繼電器驅(qū)動(dòng)器，以及一個(gè)繼電器線圈?！　∷矂?dòng)開(kāi)關(guān)提供驅(qū)動(dòng)電路的步進(jìn)電壓信
            • 
                    	                        
          • 關(guān)鍵字：
                        研究  電路  CMOS  繼電器                          
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          用非傳統(tǒng)MOSFET方案提高功率CMOS器件的功效
          
                                                            
            
                    	
          • 我們發(fā)現(xiàn)日益改進(jìn)的靜電學(xué)及晶體管傳輸有助于形成一種成熟的方法，這種方法能夠降低有源和待機(jī)功耗。要做到這一點(diǎn)，新型晶體管結(jié)構(gòu)和材料拓展了性能?功耗設(shè)計(jì)空間，使之超躍了傳統(tǒng)的本體硅晶體管。最終，通過(guò)構(gòu)成一個(gè)由多層系統(tǒng)-電路-器件電源管理生態(tài)系統(tǒng)構(gòu)成的底層，晶體管的創(chuàng)新將會(huì)繼續(xù)在定義下一代提高功效的策略時(shí)發(fā)揮關(guān)鍵作用。

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          • 關(guān)鍵字：
                        CMOS  器件  功效  功率  提高  MOSFET  方案  非傳統(tǒng)                          
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          一種全集成型CMOS LDO線性穩(wěn)壓器設(shè)計(jì)
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：設(shè)計(jì)了一種基于0．25 mu;m CMOS工藝的低功耗片內(nèi)全集成型LDO線性穩(wěn)壓電路。電路采用由電阻電容反饋網(wǎng)絡(luò)在LDO輸出端引入零點(diǎn)，補(bǔ)償誤差放大器輸出極點(diǎn)的方法，避免了為補(bǔ)償LDO輸出極點(diǎn)，而需要大電容或復(fù)雜補(bǔ)償
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          • 關(guān)鍵字：
                        穩(wěn)壓器  設(shè)計(jì)  線性  LDO  成型  CMOS  全集                          
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          一種12位50 MS／s CMOS流水線A／D轉(zhuǎn)換器
          
                                                            
            
                    	
          • 摘要：采用TSMC 0．18 mu;m 1P6M工藝設(shè)計(jì)了一個(gè)12位50 MS／s流水線A／D轉(zhuǎn)換器(ADC)。為了減小失真和降低功耗，該ADC利用余量增益放大電路(MDAC)內(nèi)建的采樣保持功能，去掉了傳統(tǒng)的前端采樣保持電路，采用時(shí)間常數(shù)匹配
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          • 關(guān)鍵字：
                        流水線  轉(zhuǎn)換器  CMOS  MS  12位  一種                          
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          思比科微電子籌備上市：已完成股份制改造
          
                                                            
            
                    	
          • 　　7月10日，北京思比科微電子董事長(zhǎng)陳杰在東莞松山湖IC創(chuàng)新高峰論壇上透露，公司已于去年12月完成公司股份制改造，現(xiàn)已進(jìn)入創(chuàng)業(yè)板輔導(dǎo)流程。
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          • 關(guān)鍵字：
                        思比科  CMOS                          
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          hdr-cmos介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條hdr-cmos!
           
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