hdr-cmos 文章 進入hdr-cmos技術(shù)社區(qū)
0.65V 3mW CMOS低噪聲放大器設(shè)計
- 1 引 言 低噪聲放大器(Low Noise Amplifier，LNA)在微波∕射頻接收系統(tǒng)中處于前端位置，其性能指針的好壞對接收機整體性能有很大的影響。例如根據(jù)文獻[1]，對于由多級放大器組成的接收系統(tǒng)，其整機噪聲系數(shù)基本上取決于前級放大器的噪聲系數(shù)。典型地，接收機接收的信號強度在-120～-20 dBm之間，因而為了滿足系統(tǒng)要求，對LNA主要有以下要求： (1) 提供合適的增益放大信號，以減小后續(xù)電路對系統(tǒng)的噪聲影響。 (2) 在放大過程中自身引入盡可能小的噪聲和信號失真。
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) CMOS 低噪聲放大器 放大器
嵌入式系統(tǒng)中CMOS圖像傳感器接口技術(shù)
- 提出了CMOS(互補金屬氧化物半導(dǎo)體)圖像傳感器在嵌入式系統(tǒng)中的接口技術(shù)，通過設(shè)計軟件驅(qū)動使嵌入式處理器能夠控制CMOS圖像傳感器圖像數(shù)據(jù)自動采集。
- 關(guān)鍵字： CMOS 嵌入式系統(tǒng) 接口技術(shù) 圖像傳感器
凌力爾特推出CMOS 運算放大器 LTC6081 和 LTC6082
- 凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出 CMOS 運算放大器 LTC6081 和 LTC6082，這兩款器件在 -40oC 至 +125oC 的整個溫度范圍內(nèi)以 3.5MHz 的增益帶寬和低于 90uV 的偏移突破了精確度極限。雙路 LTC6081 和 四路 LTC6082 具有軌至軌輸入和輸出級，實現(xiàn)了僅為 1.3uVp-p 的低頻噪聲以及在 25oC 時最大為 1pA 的低輸入偏置電流，非常適用于精密儀器。 LTC6081 和 LTC6082
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 凌力爾特 CMOS 運算放大器 放大器
射頻芯片：工藝成本功耗是永恒熱點
- 支持手機功能的兩大核心芯片之一的射頻收發(fā)芯片一直被認(rèn)為是中國無線通信和3G產(chǎn)業(yè)的薄弱環(huán)節(jié)。去年下半年，國內(nèi)兩家領(lǐng)先的射頻芯片企業(yè)銳迪科微電子(上海)有限公司(以下簡稱“銳迪科”)和鼎芯通訊(上海)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA/GSM雙模射頻芯片”。CMOS工藝正逐漸取代硅鍺BiCMOS工藝和硅BiCMOS工藝成為射頻芯片的主流工藝，與此
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 射頻 芯片 CMOS RF RF IF
安森美推出便攜設(shè)備電源穩(wěn)壓應(yīng)用的低壓降穩(wěn)壓器
- 安森美半導(dǎo)體推出極高精度的NCP590系列雙輸出CMOS低壓降(LDO)穩(wěn)壓器。該系列器件采用超小、低高度的封裝，非常適合電池供電的消費類產(chǎn)品和微處理器控制的便攜應(yīng)用，如手機、個人數(shù)字助理(PDA)、GPS和便攜式媒體播放器(PMP)。 NCP590 LDO系列每路輸出能夠提供高達300毫安(mA)的電流，特別結(jié)合了工藝與架構(gòu)，能夠提供快速的客戶反應(yīng)和極高的靈活性。0.8伏(V)到5 V的電壓范圍能夠配合客戶的不同需求。無論使用哪種類型的電容，或在空載條件下，NCP590都能穩(wěn)定工作。
- 關(guān)鍵字： 模擬技術(shù) 電源技術(shù) 安森美 CMOS LDO 穩(wěn)壓器 元件 制造
安華高科技推出采用65 nm CMOS工藝的SerDes
- Avago Technologies(安華高科技)宣布，已經(jīng)在65納米(nm) CMOS工藝技術(shù)上取得17 Gbps SerDes(串行/解串)的高性能輸出。持續(xù)其在嵌入式SerDes技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)地位，Avago最新一代的工藝技術(shù)能夠節(jié)省高達25%的功耗和空間。擁有接近4,500萬通道數(shù)的SerDes總出貨量，Avago在提供可靠高性能知識產(chǎn)權(quán)(IP)上擁有輝煌穩(wěn)定的紀(jì)錄，現(xiàn)在更以65 nm工藝上經(jīng)驗證的17 Gbps SerDes性能將
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 安華高科技 65 nm CMOS 嵌入式
德州儀器發(fā)布高精度CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列
- 日前，德州儀器(TI)宣布推出支持大輸出電流的3ppm/℃最大溫度漂移、高精度、低成本CMOS電壓基準(zhǔn)產(chǎn)品系列——REF50xx。該系列產(chǎn)品提供的超高精度與系統(tǒng)性能等級，先前只有成本高昂的掩埋齊納技術(shù)才能提供。雖然REF50xx主要面向新一代工業(yè)過程控制，但是也廣泛適用于多種應(yīng)用，其中包括醫(yī)療儀器、高精度數(shù)據(jù)采集以及測試與測量等。 REF50xx具有+/-10mA的大輸出電流范圍，能夠為ADC提供精確的電壓基準(zhǔn)，而無需額外運放緩沖器。高精度(0.05%最大
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) 單片機 德州儀器 CMOS 電壓基準(zhǔn) 嵌入式
Vishay推出兩種新系列4Ω四通道SPST CMOS模擬開關(guān)
- 日前，Vishay Intertechnology宣布推出兩種新系列四通道 SPST CMOS 模擬開關(guān)，這些器件將高開關(guān)速度與高信號帶寬進行了完美結(jié)合，可用于眾多開關(guān)應(yīng)用，其中包括音頻、視頻、數(shù)據(jù)及電源。 Vishay Siliconix DG451 及 DG454 系列器件具有四個可獨立選擇的 44V SPST 開關(guān)，每個均具有 4Ω 的典型導(dǎo)通電阻及 0.2Ω 的典型平坦度，這兩個參數(shù)是低失真音頻信號開關(guān)的理想?yún)?shù)。 所有這些器件均可與 Vishay Siliconix DG411、
- 關(guān)鍵字： Vishay SPST CMOS 開關(guān)
富士通與捷智為90nm和65nm RF CMOS代工客戶提供全套解決方案
- 富士通微電子（上海）有限公司近日宣布，富士通株式會社、富士通微電子美國公司（FMA）以及捷智技術(shù)公司的全資子公司捷智半導(dǎo)體公司（Jazz）將合作生產(chǎn)用于RF CMOS設(shè)備的片上系統(tǒng)（SoC）產(chǎn)品。根據(jù)各方簽署的協(xié)議備忘錄，此次合作旨在使捷智公司一流的RF及混合信號專業(yè)技術(shù)與富士通處于領(lǐng)先地位的90nm 及65nm生產(chǎn)技術(shù)相結(jié)合，使兩家公司能夠為SoC客戶提供高性能的客戶自有工具（COT）代工服務(wù)。此次聯(lián)合將使富士通能夠利用其自身先進的90nm 及65nm低漏電LSI生產(chǎn)工藝，提供給捷智高精度的RF模型
- 關(guān)鍵字： 65nm 90nm CMOS RF 代工 富士通 捷智
低電壓CMOS運算放大器輸入級的研究
- 近年來，電子產(chǎn)品不斷向小型化和便攜式方向發(fā)展，需要低電壓、低功耗的集成電路，以延長電池的使用壽命。CMOS技術(shù)可以將包括數(shù)字電路和模擬電路的整個系統(tǒng)同時封裝和制造在一個芯片上。因此，低電壓、低功耗的要求，不僅是對數(shù)字集成電路，也同樣針對于模擬集成電路。由于數(shù)字集成電路工作在開關(guān)狀態(tài)，通過合理減小電路尺寸，不難滿足其要求。但是，對于模擬集成電路，由于場效應(yīng)管的閾值電壓(Vth)不隨電源電壓的降低而成比例地下降，如果采用低電壓供電，將使輸出范圍大大減小，輸出電流的信噪比(S/N)減小，共模抑制比(CMRR)降
- 關(guān)鍵字： CMOS 低電壓 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 運算放大器 模擬IC 電源
一種高速低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路
- 在DC-DC電源管理芯片中，電壓的穩(wěn)定尤為重要，因此需要在芯片內(nèi)部集成欠壓鎖定電路來提高電源的可靠性和安全性。對于其它的集成電路，為提高電路的可靠性和穩(wěn)定性，欠壓鎖定電路同樣十分重要。 傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路要求簡單、實用，但忽略了欠壓鎖定電路的功耗，使系統(tǒng)在正常工作時，仍然有較大的靜態(tài)功耗，這樣就降低了電源的效率，并且無效的功耗增加了芯片散熱系統(tǒng)的負擔(dān)，影響系統(tǒng)的穩(wěn)定性。 基于傳統(tǒng)的欠壓鎖定電路，本文提出一種CMOS工藝下的低壓低靜態(tài)功耗欠壓鎖定電路，并通過HSPICE仿真。此電
- 關(guān)鍵字： CMOS 電源技術(shù) 模擬技術(shù) 鎖定電路
CMOS在大范圍醫(yī)療及其他新型圖形傳感器應(yīng)用中贏得市場
- 目前，傳統(tǒng)的電荷耦合設(shè)備（CCD）圖像傳感器技術(shù)已不能滿足工業(yè)及專業(yè)圖像抓取（image capture）應(yīng)用的需要?；跇?biāo)準(zhǔn)CMOS技術(shù)的新型圖像傳感器技術(shù)以其高度靈活性、出色的靜態(tài)和動態(tài)特性以及在各種系統(tǒng)環(huán)境下表現(xiàn)出的易集成性在醫(yī)用電子產(chǎn)品行業(yè)中開創(chuàng)出了一個全新領(lǐng)域，為用戶提供了更多選擇。 從CCD到CMOS：大勢所趨 在過去三十年左右的時間里，CCD技術(shù)一直被用于圖像轉(zhuǎn)換。CCD是一種成熟的技術(shù)，能夠在低噪聲的前提下提供優(yōu)質(zhì)圖像，作為電荷耦合器件在像素間完成圖像數(shù)據(jù)的串行傳輸。為
- 關(guān)鍵字： CMOS 單片機 嵌入式系統(tǒng) 圖形傳感器 醫(yī)療 醫(yī)療電子
hdr-cmos介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條hdr-cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hdr-cmos的理解，并與今后在此搜索hdr-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對hdr-cmos的理解，并與今后在此搜索hdr-cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
hdr-cmos電路
hdr-cmos相關(guān)帖子
hdr-cmos資料下載
hdr-cmos專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473