igbt-ipm 文章進(jìn)入igbt-ipm技術(shù)社區(qū)

高頻條件下IGBT驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)與仿真

摘要：文中對(duì)大功率IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor，絕緣柵雙極型晶體管)的開(kāi)關(guān)特性、驅(qū)動(dòng)要求進(jìn)行了分析和討論，介紹了一種高頻條件下實(shí)用的IGBT驅(qū)動(dòng)電路，并通過(guò)理論分析和仿真波形說(shuō)明了該驅(qū)動(dòng)電路的有效
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中國(guó)光伏產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨分析

　　2008年受經(jīng)濟(jì)危機(jī)的影響，全球的經(jīng)濟(jì)形勢(shì)受到重創(chuàng)。歐洲作為光伏最大的市場(chǎng)，受到的影響最為顯著。不少歐洲國(guó)家縮減了光伏電站的開(kāi)支，甚至取消了光伏產(chǎn)業(yè)的投資計(jì)劃。中國(guó)作為世界上最大的太陽(yáng)能電池產(chǎn)地，對(duì)出口有較強(qiáng)的依賴(lài)性，以消化產(chǎn)能。　　
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英飛凌進(jìn)一步擴(kuò)大馬來(lái)西亞產(chǎn)能

　　英飛凌科技股份公司今年投資1.6億美元，用以擴(kuò)大其在馬來(lái)西亞馬六甲市的產(chǎn)能，提高研發(fā)能力，并對(duì)其生產(chǎn)設(shè)施進(jìn)行升級(jí)。此次投資將主要用于提高面向高能效應(yīng)用的功率半導(dǎo)體的產(chǎn)能，并將在2011年為馬六甲新增350個(gè)就業(yè)機(jī)會(huì)。目前，英飛凌在馬六甲擁有近7,000名員工。　　
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基于IGBT的高可靠性驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)

按照915MHz RFID電子標(biāo)簽的要求，設(shè)計(jì)電子標(biāo)簽整體電路如下。它主要由射頻接口部分和控制部分組成，射頻接口部分是研究的重點(diǎn)。
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。　　
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華潤(rùn)微電子1200V Trench NPT IGBT工藝平臺(tái)開(kāi)發(fā)成功

　　華潤(rùn)微電子有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)微電子”）宣布其附屬公司華潤(rùn)上華科技有限公司（后簡(jiǎn)稱(chēng)“華潤(rùn)上華”）已開(kāi)發(fā)完成1200V Trench NPT IGBT（溝槽非穿通型絕緣柵雙極晶體管）工藝平臺(tái)，各項(xiàng)參數(shù)均達(dá)到設(shè)計(jì)要求，成功進(jìn)入Trench IGBT代工市場(chǎng)。　　華潤(rùn)上華開(kāi)發(fā)的該工藝產(chǎn)品關(guān)鍵參數(shù)如最高耐壓V(BR)CES、導(dǎo)通飽和電壓VCE(on)、關(guān)斷損耗Eoff ，以及在實(shí)際應(yīng)用中的溫升效果都與國(guó)際大廠相當(dāng)，該工藝產(chǎn)品主要應(yīng)用于電磁爐。根據(jù)國(guó)內(nèi)權(quán)威的
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基于數(shù)字信號(hào)處理器的IGBT驅(qū)動(dòng)電路可靠性分析與設(shè)計(jì)

摘要：隨著半導(dǎo)體技術(shù)與大規(guī)模集成電路技術(shù)的發(fā)展，數(shù)字信號(hào)處理器在交流調(diào)速及運(yùn)動(dòng)控制領(lǐng)域應(yīng)用越來(lái)越廣。數(shù)字信號(hào)處理器與功率器件接口電路設(shè)計(jì)的合理完善直接關(guān)系到系統(tǒng)長(zhǎng)期工作的可靠性。同時(shí)，低壓供電數(shù)字信號(hào)
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IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策

實(shí)用IGBT焊接電源方案及炸管對(duì)策!逆變電焊機(jī)=逆變焊接電源+焊接裝置.只要做好逆變焊接電源,那么系列產(chǎn)品就迎刃而解.影響逆變焊接電源可靠性的主要問(wèn)題是“炸管”!　　為了研究“炸管“!　　首先
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IGBT驅(qū)動(dòng)器輸出計(jì)算

中心議題：?柵極電荷體現(xiàn)IGBT的特性?如何測(cè)量和確定柵極電荷?驅(qū)動(dòng)器輸出功率和柵...
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科達(dá)半導(dǎo)體IGBT封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)

　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目投產(chǎn)儀式在東營(yíng)經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)舉行。　　科達(dá)半導(dǎo)體封裝測(cè)試項(xiàng)目于2010年6月開(kāi)工建設(shè)，從投資建設(shè)到正式投產(chǎn)，僅用了6個(gè)月的時(shí)間，創(chuàng)造了國(guó)內(nèi)封裝測(cè)試項(xiàng)目建設(shè)周期最短、投產(chǎn)速度最快的成功范例。項(xiàng)目擁有國(guó)際最新型設(shè)備150余臺(tái)套，主要從事T0247、T03P、T0220等功率半導(dǎo)體器件的封裝測(cè)試，年可生產(chǎn)各類(lèi)器件3.1億只，年產(chǎn)值3億元以上。封裝測(cè)試項(xiàng)目的成功投產(chǎn)，將進(jìn)一步提高科達(dá)半導(dǎo)體公司在成本、交貨期、質(zhì)量等方面的競(jìng)爭(zhēng)能力。
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高壓IGBT變頻器及應(yīng)用

1前言電力電子技術(shù)、微電子技術(shù)與控制理論的結(jié)合，有力地促進(jìn)了交流變頻調(diào)速技術(shù)的發(fā)展。近年來(lái)，具有驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)功能的智能IGBT的應(yīng)用使得變頻器結(jié)構(gòu)更加緊湊且可靠。與其它電力電子器件相比，IGBT具有高可靠性、
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感應(yīng)加熱用IGBT超音頻電源

1引言感應(yīng)加熱是將工件直接加熱，它具有效率高，作業(yè)條件好，溫度容易控制，金屬燒損小，無(wú)需預(yù)熱等優(yōu)點(diǎn)。傳統(tǒng)的感應(yīng)加熱設(shè)備應(yīng)用的電力電子器件是電子管和快速晶閘管。電子管電壓高，穩(wěn)定性差，幅射強(qiáng)，效率低，已經(jīng)
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英飛凌中國(guó)全新子公司開(kāi)業(yè)

　　英飛凌科技股份有限公司今日宣布其位于中國(guó)北京經(jīng)濟(jì)技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)的全新子公司——英飛凌集成電路(北京)有限公司正式開(kāi)業(yè)。新公司注冊(cè)資本1,500萬(wàn)美元，將進(jìn)一步加強(qiáng)公司對(duì)高能效、移動(dòng)性和安全性的關(guān)注，體現(xiàn)了英飛凌對(duì)中國(guó)市場(chǎng)的長(zhǎng)期承諾。　　新公司不僅具備銷(xiāo)售、市場(chǎng)、應(yīng)用研發(fā)及輔助職能，還設(shè)有一座1,500平方米的制造工廠，專(zhuān)門(mén)從事IGBT組件的生產(chǎn)。未來(lái)三年，新公司的員工數(shù)目預(yù)計(jì)將超過(guò)100人。　　英飛凌科技股份有限公司首席執(zhí)行官Peter Bauer先生表示：“亞
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HEV系統(tǒng)的主要部件：功率元件解析

功率元件是最重要的部件就功能和成本而言，功率元件在逆變器中是最為重要的部件。要想降低成本，如何使用...
關(guān)鍵字：功率元件開(kāi)關(guān) IGBT 電容電流

采用新型IGBT優(yōu)化軟開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的損耗

IGBT技術(shù)進(jìn)步主要體現(xiàn)在兩個(gè)方面：通過(guò)采用和改進(jìn)溝槽柵來(lái)優(yōu)化垂直方向載流子濃度，以及利用“場(chǎng)終止”概念(也有稱(chēng)為“軟穿通”或“輕穿通”)降低晶圓n襯底的厚度。此外，帶有單片二極
關(guān)鍵字：應(yīng)用損耗開(kāi)關(guān) 優(yōu)化新型 IGBT 采用