intel foundry 文章 進(jìn)入intel foundry技術(shù)社區(qū)
英特爾本月內(nèi)完成上海封測廠遷成都作業(yè)
- 英特爾(Intel)中國執(zhí)行董事戈峻在日前的四川跨國公司產(chǎn)業(yè)合作座談會暨簽約儀式上表示，將再次對英特爾成都廠進(jìn)行增資，金額為 7,500萬美元。此外，備受關(guān)注的上海浦東封測廠西遷成都一案亦進(jìn)入關(guān)鍵時刻，估計1個月內(nèi)即可完成整合作業(yè)，英特爾建構(gòu)的三角戰(zhàn)略架構(gòu)亦將成形。 英特爾自2003年進(jìn)軍成都，已連續(xù)3次增資，對成都的總投資額由原先的3.75億美元提高至6億美元。 另外，此次英特爾將位于上海浦東外高橋保稅區(qū)的封測廠西遷與成都廠整合后，將成為該公司在亞洲地區(qū)最大的封測廠，推測未來幾年成都廠亦
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Intel P55芯片組將啟用B3步進(jìn)工藝
- 按Intel的計劃，LGA1156插槽處理器配套的旗艦芯片組P55將開始啟用最新的B3步進(jìn)版本(目前市售的P55芯片組為B2步進(jìn)版本)。新的B3步進(jìn)P55芯片組將在以下幾個方面有所變化： * 芯片組產(chǎn)品的S-spec代碼以及產(chǎn)品MM代碼方面將有所變更; * 主板BIOS需要進(jìn)行更新，并需要對處理器微代碼部分進(jìn)行更新，以便支持未來推出的處理器 * 建議B3版的用戶將芯片組存儲功能驅(qū)動由原來的MSM8.9版本升級到RST9.5版本。 B3步進(jìn)P55芯片組將與現(xiàn)有的B2步進(jìn)產(chǎn)品保
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Intel芯片組2011年前不會加入USB3.0功能
- 據(jù)從Nvidia處得到的確切消息，Intel公司已確定不會在2011年之前將USB3.0功能加入其芯片組中。這樣，那些需要在主板上加入USB3.0功能的廠商必須使用第三方芯片，USB3.0短期內(nèi)恐無法普及。 Nvidia的發(fā)言人Brian Burke為此表達(dá)了對Intel的失望之情，并趁機鼓吹稱Nvidia自家的芯片組一直在采用新技術(shù)方面做得比Intel好，同時他還不忘添油加醋鼓吹了一下自家的Ion平臺。 Nvidia與Intel之間在芯片組授權(quán)方面存在嚴(yán)重的分歧和爭端，不過也有人認(rèn)為這種
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AT89S51單片機并行I/O端口的擴(kuò)展
- 關(guān)鍵字： AT89S51 擴(kuò)展 Intel 8155 單片機最小系統(tǒng)
Intel宣布一項技術(shù)突破 內(nèi)存加工工藝可縮小到5納米
- 英特爾和芯片技術(shù)公司Numonyx本周三發(fā)布了一項新技術(shù).這兩家公司稱,這種新技術(shù)將使非易失性存儲器突破NAND閃存的20納米的極限,使加工工藝縮小到5納米,從而更加節(jié)省成本. 英特爾研究員和內(nèi)存技術(shù)開發(fā)經(jīng)理Al Fazio星期三向記者解釋說,這種技術(shù)產(chǎn)生的堆疊內(nèi)存陣列有可能取代目前DRAM內(nèi)存和NAND閃存的一些工作.這種技術(shù)甚至能夠讓系統(tǒng)設(shè)計師把一些DRAM內(nèi)存和固態(tài)內(nèi)存的一些存儲屬性縮小到一個內(nèi)存類. This image shows phase-change memory bu
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固態(tài)硬盤永遠(yuǎn)無法徹底取代機械硬盤？
- 固態(tài)硬盤產(chǎn)業(yè)雖然風(fēng)生水起，但受限于各種因素，短期內(nèi)還無法取代機械硬盤，而最新研究給出的結(jié)論是固態(tài)硬盤將永無出頭之日?！禝EEE Transactions on Magnetics》上最近發(fā)表了卡內(nèi)基梅隆大學(xué)教授Mark Kryder、博士生Chang Soo kim的一篇研究文章。師徒倆研究了13種非易失性存儲技術(shù)，看它們到2020年的時候能否在單位容量成本上超越機械硬盤，結(jié)果選出了兩個最有希望的候選 者：相變隨機存取存儲(PCRAM)、自旋極化隨機存取存儲(STTRAM)。 PCRAM我們偶爾
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北京微電子國際研討會再燃摩爾定律之爭
- 在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇之際，北京微電子國際研討會于10月27日成功召開，摩爾定律這一引領(lǐng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的“圣經(jīng)”再次成為了主題演講會場爭論的焦點。 摩爾定律減速之爭 Intel中國研究院院長方之熙認(rèn)為，摩爾定律還將延續(xù)，技術(shù)的發(fā)展不會止步。目前Intel已開始15nm技術(shù)的研發(fā)，2011年將開始10nm技術(shù)的研發(fā)。追溯Intel的歷史，每兩年一代的新技術(shù)推出從未延遲，例如2005年的65nm技術(shù)，2007年的45nm技術(shù)及2009年的32nm技術(shù)都為業(yè)界帶來的全新的產(chǎn)
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缺乏Intel芯片組支持，USB3.0短期內(nèi)難成主流
- 最近USB3.0標(biāo)準(zhǔn)及其相關(guān)設(shè)備的消息接連不斷傳來，不少主板公司也已經(jīng)或正在計劃推出支持USB3.0的主板，看起來USB3.0似乎已成“山雨欲來 風(fēng)滿樓”之勢。不過列位看官可別太早下結(jié)論，因為業(yè)界老大Intel似乎還沒有近期推出支持USB3.0的計劃，據(jù)報道，Intel的芯片組產(chǎn)品要到2011年期間才會考慮加入USB3.0支持功能，這便意味著主板廠商要讓自己的產(chǎn)品支持USB3.0，就必須花錢購買第三方硬件廠商的 USB3.0芯片。 如此一來，普通的主流/入門級主板出于成本
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壯大Moblin 生態(tài)系統(tǒng)，助推移動互聯(lián)應(yīng)用創(chuàng)新
- 今天，以“Moblin™ Is Open”(開放的Moblin平臺)為主題的“2009英特爾Moblin軟件平臺技術(shù)研討會”在北京召開，英特爾公司攜手Moblin合作伙伴共同展示了基于英特爾®凌動™處理器和Moblin 軟件平臺開發(fā)針對MID、上網(wǎng)本、車載和嵌入式平臺應(yīng)用的巨大競爭優(yōu)勢和最新成果。本次技術(shù)研討會旨在激發(fā)獨立軟件供應(yīng)商和開發(fā)人員開發(fā)移動應(yīng)用程序的熱情，為消費者帶來更多創(chuàng)新應(yīng)用軟件，助推移動互聯(lián)時代的發(fā)展和應(yīng)用
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英特爾全球首個并行計算中心落戶無錫
- 今天，江蘇省無錫市和英特爾公司舉行合作備忘錄簽約儀式，共同宣布在無錫市濱湖區(qū)成立“英特爾中國并行計算中心”(Intel China Center of Parallel Computing, ICCPC)，旨在立足無錫、輻射全國，建立世界級技術(shù)中心推動并行計算研究與創(chuàng)新，幫助中國IT產(chǎn)業(yè)抓住多核時代創(chuàng)新機遇，努力成為并行計算領(lǐng)域的領(lǐng)先者。中共江蘇省委常委、無錫市委書記楊衛(wèi)澤先生，江蘇省人民政府副省長張衛(wèi)國先生，英特爾公司全球副總裁兼首席技術(shù)官賈斯汀(Justin Rattner
- 關(guān)鍵字： Intel Larrabee 眾核處理器
英特爾中國研究院站在下一個十年的起點
- 國慶前兩周，美國《福布斯》雜志發(fā)表了一篇題為《中國的技術(shù)革命》的文章，認(rèn)為中國是“世界歷史上最大規(guī)模技術(shù)變革的中心”，“歡迎來到世界下一個技術(shù)王朝”。幾乎與此同時，科技部也透露：我國已經(jīng)成為科學(xué)技術(shù)體系較為完備、科技人力資源世界第一、科技成果不斷涌現(xiàn)的科學(xué)技術(shù)大國，將能夠?qū)崿F(xiàn)到2020年進(jìn)入“創(chuàng)新型國家”行列的目標(biāo)。 國慶長假剛過，英特爾公司全球副總裁、首席技術(shù)官、高級院士兼英特爾研究院總監(jiān)賈斯汀(Justin Rattne
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DRAM：全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的推動力
- 歷史發(fā)展 自從1971年Intel公司研發(fā)出lKB的DRAM，距今已近40年，從此開創(chuàng)了DRAM的歷史。DRAM不僅推進(jìn)了電子技術(shù)的前進(jìn)，而且對各國半導(dǎo)體業(yè)的發(fā)展也發(fā)揮了舉足輕重、無可取代的巨大作用。 眾所周知，進(jìn)入上世紀(jì)80年代，隨著大型計算機市場擴(kuò)大，DRAM需求巨增。由于當(dāng)時DRAM技術(shù)要求較低，其特點是量大面廣，勝負(fù)在于大規(guī)模生產(chǎn)技術(shù)，而這正是日本公司的強項。因而盡管日本在LSI(大規(guī)模集成電路)DRAM時代還落后于美國兩年，但在“官產(chǎn)學(xué)”舉國一致的努力下，
- 關(guān)鍵字： Intel DRAM VLSI LSI 200910
Intel 2013年第四季度轉(zhuǎn)向15nm制程技術(shù)?
- 在上周舉辦的IDF2009秋季開發(fā)者論壇上，Intel曾提到會在2011年下半年開始使用22nm制程技術(shù)，而其后的下一步目標(biāo)則將是15nm制程技術(shù)。而對手AMD的代工公司Globalfoundries則會在2012年啟用22nm制程技術(shù)，兩年后的2014年他們計劃轉(zhuǎn)向15nm制程。盡管有 科學(xué)家聲稱15nm制程技術(shù)尚處在研發(fā)階段，有關(guān)的制造工具甚至都還沒有開發(fā)出來，不過按照Intel“tick-tock”的進(jìn)程推算，預(yù)計Intel 啟用15nm制程技術(shù)的年份會在2013年左右。
- 關(guān)鍵字： Intel 15nm 22nm 制程技術(shù)
IDF:Intel發(fā)力智能電網(wǎng) 關(guān)注未來能源技術(shù)
- 2009年9月24日，英特爾信息技術(shù)峰會，美國舊金山——2009英特爾信息技術(shù)峰會于9月22日至24日在美國舊金山舉行。英特爾研究院(Intel Labs)舉行媒體發(fā)布會，介紹了正在進(jìn)行的研究工作，探討了它對未來能源技術(shù)的看法。 錢安達(dá)(Andrew Chien)：“智能電網(wǎng)” 英特爾研究院副總裁兼未來技術(shù)研究總監(jiān) 錢安達(dá)介紹了英特爾研究院的一項全新研究工作，那就是為未來的家庭、建筑物和機動車創(chuàng)建可自我持續(xù)、易于使用、經(jīng)濟(jì)實用并且十分安
- 關(guān)鍵字： Intel 智能電網(wǎng)
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歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對intel foundry的理解，并與今后在此搜索intel foundry的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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