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          韓國(guó)研究團(tuán)隊(duì)開(kāi)發(fā)出類腦芯片,能夠自主學(xué)習(xí)并糾正錯(cuò)誤

          • 1 月 20 日消息,韓國(guó)科學(xué)技術(shù)院(KAIST)的研究團(tuán)隊(duì)成功開(kāi)發(fā)出一種基于憶阻器(memristor)的集成芯片,該芯片能夠模擬人腦處理信息的方式。這項(xiàng)研究由 KAIST 的教授 Shinhyun Choi 和 Young-Gyu Yoon 領(lǐng)導(dǎo),相關(guān)成果已發(fā)表在《自然?電子學(xué)》(Nature Electronics)期刊上。據(jù)了解,這種新型計(jì)算芯片的突出特點(diǎn)在于其能夠?qū)W習(xí)和糾正由非理想特性引起的錯(cuò)誤,這是現(xiàn)有神經(jīng)形態(tài)設(shè)備面臨的主要挑戰(zhàn)之一。例如,在處理視頻流時(shí),芯片可以自動(dòng)將移動(dòng)物體與背景分離,并隨
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          memristor介紹

          憶阻器(memristor),又名記憶電阻,是一種被動(dòng)電子元件。憶阻器被認(rèn)為是電路的第四種基本元件,僅次于電阻器、電容器及電感元件。 憶阻器可以在關(guān)掉電源后,仍能“記憶”通過(guò)的電荷。兩組的憶阻器更能產(chǎn)生與晶體管相同的功能,但更為細(xì)小。最初于1971年,柏克萊加州大學(xué)的蔡少堂預(yù)測(cè)憶阻器的出現(xiàn),之后從西元兩千年始,研究人員在多種二元金屬氧化物和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的薄膜中發(fā)現(xiàn)了電場(chǎng)作用下的電阻變化,并應(yīng)用 [ 查看詳細(xì) ]

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