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NAND閃存價(jià)格波動(dòng) 破壞SSD市場(chǎng)普及性
- 周一消息 研究機(jī)構(gòu)iSuppli指出，NAND閃存價(jià)格大幅波動(dòng)的現(xiàn)象，大幅削弱了之前對(duì)2009年固態(tài)硬盤(SSD)在筆記本電腦市場(chǎng)普及的預(yù)期。 iSuppli專研行動(dòng)和新興內(nèi)存的資深分析師Michael Yang表示，近期NAND閃存價(jià)格上漲，對(duì)閃存供貨商來說來說是好事，但卻為SSD在筆記本電腦的普及帶來阻礙。因?yàn)镾SD的價(jià)格約有90%由NAND閃存決定。所以當(dāng)NAND閃存價(jià)格上漲，SSD在個(gè)人和企業(yè)市場(chǎng)的銷量就會(huì)減緩。 多層單元(MLC)規(guī)格16GB的NAND閃存，其平均價(jià)格大幅上漲12
- 關(guān)鍵字： NAND 閃存 MLC
Intel兩周內(nèi)發(fā)布基于34納米NAND固態(tài)硬盤
- 近來謠言越來越厲，市場(chǎng)盛傳英特爾將于未來2周里發(fā)布基于34納米制程N(yùn)AND芯片的固態(tài)硬盤。之前有報(bào)道稱英特爾Chipzilla芯片實(shí)驗(yàn)室將于去年Q4發(fā)布新34納米閃存，不過時(shí)間表早已大大推后。固態(tài)硬盤出現(xiàn)的時(shí)間不久，其成本高，容量有限，有時(shí)候人們甚至懷疑其可靠性。如果新的34納米制程N(yùn)AND閃存推出，固態(tài)硬盤的價(jià)格將大大降低，容量也將達(dá)到320GB左右。 固態(tài)硬盤的存儲(chǔ)單元分為MLC(Multi-Level Cell，多層單元)和SLC(Single Layer Cell，單層單元)兩種。MLC
- 關(guān)鍵字： 英特爾 NAND 34納米 MLC SLC
NAND閃存的下一個(gè)熱點(diǎn)：性能
- 利用50-40nm的工藝制程節(jié)點(diǎn)，NAND閃存密度已達(dá)到16 GB/D及超過2B/C多級(jí)單元（MLC）技術(shù)。盡管位元密度強(qiáng)勁增長，但是NAND閃存的編譯能力一直停留在10MB/S范圍內(nèi)。由于數(shù)字內(nèi)容需要的增長，公司更加重視改進(jìn)NAND閃存裝置的編譯和讀取性能，使其比特更高和性能更快，以滿足消費(fèi)者的需要。再加上存儲(chǔ)產(chǎn)品價(jià)格急劇下降，高比特高性能已成為各個(gè)公司努力追求的方向。 2008年國際固態(tài)電路會(huì)議的論文和2007
- 關(guān)鍵字： NAND 柵極感應(yīng) DDR MLC MLC
英特爾合資公司開發(fā)出MLC閃存樣品
- 據(jù)國外媒體報(bào)道，本周四美光科技宣布，它與英特爾的合資企業(yè)IM Flash科技公司已經(jīng)開發(fā)出處于行業(yè)領(lǐng)先水平的50納米MLC(多層單元)NAND閃存芯片樣品。 美光稱，與SLC(單層單元)閃存組件相比，新的MLC 閃存組件體積更小，能量效益更高，能夠更理想的使用在目前的計(jì)算和消費(fèi)電子產(chǎn)品中。MLC 閃存組件的密度為16GB，而SLC閃存組件的密度僅4GB。 英特爾NAND閃存部門副總裁兼總經(jīng)理Randy Wilhelm表示，我們與美光的合資公司提前開發(fā)出了行業(yè)中領(lǐng)先水
- 關(guān)鍵字： MLC 閃存 消費(fèi)電子 英特爾 消費(fèi)電子
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