采用C-MOS轉換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
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C-MOS 轉換器 石英晶體 振蕩電路
電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
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工作 原理 電路 定時 時間 C-MOS 設定
電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時，通過控制反正電壓來改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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FET 結型 電壓控制 放大器電路
在嚴苛的汽車環(huán)境中，各種功率場效應晶體管(power FET，功率FET)，被一貫地認為可承受極端的溫度變化和熱機械應力。間歇性短路、寒冷的運行環(huán)境、高壓電弧或有噪聲性短路，連同電感負載及多次短路久而久之會讓該器件疲損，致使其進入開路、短路或阻性模式。
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RTP器件 FET
在計算和消費電子產(chǎn)品中，效率已經(jīng)有了顯著的提高，重點是AC/DC轉換上。不過，隨著80 PLUS，Climate Savers以及EnergyStar 5等規(guī)范的出現(xiàn)，設計人員開始認識到，AC/DC和DC/DC功率系統(tǒng)都需要改進。 AC/DC平均系統(tǒng)
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改善 能量 效率 開關 FET 優(yōu)化 變換器 通過
日本知名半導體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點，從而大幅改善了電氣特性、機械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
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羅姆 SiC MOS
智能手機代表了射頻個人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設計之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設備基于...
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射頻開關 隔離度 插損 FET pHEMT
簡介
一提到電源設計，大多數(shù)工程師都會感到撓頭，他們往往會問，“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓撲——包括降壓、升壓、flyback、半橋和全橋等。
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intersil FET DC/DC
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管。該變壓器的工作原理及制作過程： 圖1 工作原理 一、方波的產(chǎn)生 這里采用CD4069構成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
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自制 逆變器 效應 MOS
NCP1396A/B為NCP1395的改進型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅動功能時齙控制模式有很大...
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光耦 可調 死區(qū)時間 MOS
1 引 言 目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術是使用MOS晶體管。隨著科學技術的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應將對器件的特性
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行為 建模 及其 效應 管短溝 MOS
這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應管，普通電源變壓器構成。其輸出功率取決于MOS場效應管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
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逆變器 制作 效應 MOS 變壓器 電源
以ODL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應電路見下圖。由于MOS管與三極管驅動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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方法 改裝 MOS 功放 舞臺
摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實現(xiàn)了重復頻率80kHz，4kV脈沖源，實驗驗證了電磁兼容措施的
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電磁兼容 問題 研究 脈沖 高壓 MOS 開關 高頻 基于
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