mos—fet 文章進(jìn)入mos—fet技術(shù)社區(qū)

采用C-MOS與非門(mén)的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動(dòng)電路

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時(shí)的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來(lái)光。電
關(guān)鍵字：驅(qū)動(dòng) 電路脈沖發(fā)光二極管 C-MOS 與非門(mén) 采用

與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別，所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠(chǎng)已分了幾種等級(jí)，但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別，如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí)，
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采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

電路的功能近來(lái)出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢(shì)，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級(jí)TTL構(gòu)成的時(shí)鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門(mén)TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
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使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路

電路的功能定時(shí)器專(zhuān)用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器，這樣可以減少I(mǎi)C的數(shù)量，事先了
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可設(shè)定10~100秒的長(zhǎng)時(shí)間C-MOS定時(shí)電路

電路的功能若要用555芯片組成長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路，R用高阻值，便可加長(zhǎng)CR時(shí)間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門(mén)限電壓，比較器無(wú)法驅(qū)動(dòng)，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時(shí)器芯片，選用高阻
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可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V，2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制（AM）等效，可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化，以TT15、TT16特性相同為前提條件，O
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使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

電路的功能在VCA（電壓控制放大器）。由反饋環(huán)路組成電路時(shí)，通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中，是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
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Vishay推出4款MOSFET

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布，推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263)，將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。　　新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
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友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

　　友達(dá)光電1月20日宣布，與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議，收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù)，該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中，將取得FET顯示技術(shù)及材料的專(zhuān)利、技術(shù)、發(fā)明，以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。　　FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
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瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)

　　臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布，他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議，友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn)，并將因此而獲得FET公司的部分專(zhuān)利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位，索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示，其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相關(guān)技術(shù)專(zhuān)利，F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案，以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。　　FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì)，其工作原理與CRT顯示器完全相同，同樣采用
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砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4億美元

　　Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié)，2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%，但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件，以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求，半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。　　一直
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T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

　　日前，德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器，該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合，可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器，與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比，該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí)，還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制，幫助設(shè)計(jì)人員滿(mǎn)足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求，從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
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集成電路布圖設(shè)計(jì)登記：數(shù)量持續(xù)上升中國(guó)企業(yè)占優(yōu)

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場(chǎng)衰退的影響，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長(zhǎng)轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄１M管中國(guó)以?xún)?nèi)需市場(chǎng)為主的集成電路設(shè)計(jì)業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長(zhǎng)，但嚴(yán)重依賴(lài)出口的芯片制造和封測(cè)行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場(chǎng)的變化和利潤(rùn)的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識(shí)產(chǎn)權(quán)問(wèn)題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式，集成電路布圖設(shè)計(jì)登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國(guó)集成電路布圖設(shè)計(jì)登記2008年度報(bào)告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報(bào)告數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計(jì)

ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

　　2009年1月22日，中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.（紐約證券交易所代碼: ADI），全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商，最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz，設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比，可提供兩倍的帶寬，同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用，用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
關(guān)鍵字： ADI 運(yùn)算放大器 FET ADA4817

德州儀器1.5A 線(xiàn)性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

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關(guān)鍵字： FET TI IC－bq2407x