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nand閃存 文章 進(jìn)入nand閃存技術(shù)社區(qū)
Intel將向美光出售合資NAND閃存廠股份
- Intel同意與美光科技擴(kuò)大就閃存芯片領(lǐng)域的合資企業(yè)合作，提高雙方關(guān)系的效率和靈活性。根據(jù)雙方達(dá)成的協(xié)議，美光將為Intel供貨NAND閃存產(chǎn)品，而Intel則將向美光出售價(jià)值6億美元的兩家合資晶圓廠股份。 協(xié)議規(guī)定，Intel將首先接收美光一半的股份購(gòu)買(mǎi)資金，另外一半將寄放在美光，可能會(huì)按照供貨協(xié)議退還或用于未來(lái)采購(gòu)。該協(xié)議還擴(kuò)大了雙方在NAND閃存共同開(kāi)發(fā)項(xiàng)目上的合作計(jì)劃，以覆蓋新興存儲(chǔ)技術(shù)。 該交易預(yù)計(jì)將在今年上半年完成。 Intel和美光已經(jīng)在NAND閃存芯片制造領(lǐng)域合作了幾
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第四季度全球NAND閃存出貨環(huán)比下滑8.6%
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，根據(jù)亞洲最大芯片現(xiàn)貨市場(chǎng)的交易商集邦科技(Dramexchange Technology Inc)提供的最新數(shù)據(jù)，2011年第四季度全球第四季度NAND閃存芯片市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到48.9億美元，環(huán)比下滑了8.6%。三星電子依然是該市場(chǎng)的龍頭，市場(chǎng)份額達(dá)到了34.6%。 集邦科技提供的數(shù)據(jù)顯示，NAND閃存出貨環(huán)比增長(zhǎng)了大約5%，而平均銷(xiāo)售價(jià)格則環(huán)比下滑了13%。集邦科技指出，雖然存儲(chǔ)卡和閃存的零售增幅依然緩慢，但是智能手機(jī)和平板電腦制造商對(duì)閃存的需求依然非常強(qiáng)勁。 集邦科技指出，
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蘋(píng)果轉(zhuǎn)售NAND閃存大賺：成本10.7美元賣(mài)100美元
- 投資公司Bernstein Research今天公布一份報(bào)告，談及蘋(píng)果采購(gòu)NAND閃存的情況。蘋(píng)果iPhone 4S有16GB版本和32GB版本，二者的差別就在于NAND閃存容量不同，32GB版本高100美元。不過(guò)根據(jù)Bernstein Research的研究發(fā)現(xiàn)，蘋(píng)果在采購(gòu)NAND閃存時(shí)有很大的折扣，每GB只有0.67美元，16GB相當(dāng)于10.72美元。 由此看來(lái)，蘋(píng)果的利潤(rùn)戰(zhàn)略相當(dāng)成功。讓分析師奇怪的是蘋(píng)果戰(zhàn)略如此成功，為什么競(jìng)爭(zhēng)者不仿效。 報(bào)告中寫(xiě)道：“2011年4季度，
- 關(guān)鍵字： 蘋(píng)果 NAND閃存
IMFT推出20納米制程的NAND閃存
- 日前，英特爾(Intel)與美光(Micron)合資成立的IM Flash Technology(IMFT)推出以20納米制程生產(chǎn)之128GB NAND閃存。兩家公司的20納米制程的64GB NAND閃存也將進(jìn)入量產(chǎn);128GB NAND閃存預(yù)計(jì)于2012年進(jìn)行量產(chǎn)。 20納米制程之128GB NAND Flash由英特爾與美光合資成立之IMFT所發(fā)展出來(lái)。該128GB NAND Flash為多層(multilevel)單元，英特爾與美光并未透露一個(gè)單元含有多少位(bit)。128GB NAND
- 關(guān)鍵字： IMFT NAND閃存
三星有可能在中國(guó)建芯片廠
- 日前消息稱(chēng)，三星計(jì)劃投資約35億美元，在中國(guó)開(kāi)辦芯片工廠，并于2013年投入營(yíng)運(yùn)。據(jù)該公司一份監(jiān)管檔中表示，工廠將采用先進(jìn)的20納米技術(shù)，生產(chǎn)NAND閃存芯片，但并未透露該座新工廠的地址和具體投資金額。 如果建廠計(jì)劃獲得中國(guó)官方批準(zhǔn)，該工廠將是三星繼美國(guó)德州奧斯汀之后的第2座海外芯片制造工廠，三星還計(jì)劃在中國(guó)建立平板顯示屏幕生產(chǎn)基地。 韓國(guó)新韓投資公司分析師金永燦預(yù)計(jì)，三星將為中國(guó)新廠投資4兆韓元(約合35億美元)至5兆韓元。 三星表示，已經(jīng)就在外國(guó)投建生產(chǎn)基地向韓國(guó)政府提交申請(qǐng)，后
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20nm最強(qiáng)制程 三星造出8Gb相變內(nèi)存顆粒
- 來(lái)自SemiAccurate網(wǎng)站的消息稱(chēng)，三星已經(jīng)研發(fā)并制造出容量達(dá)到8Gb的相變內(nèi)存顆粒，采用移動(dòng)設(shè)備中常用的LPDDR2界面，此前制造的1Gb相變內(nèi)存顆粒樣品容量一般只有1Gb，是它的1/8。 新的內(nèi)存顆粒最大的亮點(diǎn)是采用目前存儲(chǔ)芯片最先進(jìn)的20nm制程工藝打造，幾乎達(dá)到了包括相變內(nèi)存在內(nèi)的所有DDR內(nèi)存以及NAND閃存的極限。 相變內(nèi)存結(jié)合了DDR與NAND閃存的特點(diǎn)，具有斷電不掉數(shù)據(jù)，耐久性好，速度快等優(yōu)點(diǎn);根據(jù)內(nèi)存制造材料的每個(gè)晶胞在晶態(tài)/非晶態(tài)之間來(lái)回轉(zhuǎn)換來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。 預(yù)
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Elpida 和Spansion開(kāi)始合作生產(chǎn)電荷俘獲型NAND閃存
- Elpida和Spansion發(fā)明一種電荷俘獲型閃存，為1.8V SLC(單層單元)4Gb NAND閃存存儲(chǔ)器。它是基于Spansion的MirrorBit電荷俘獲型技術(shù)在Elpida的廣島廠進(jìn)行量產(chǎn)。 按公司的說(shuō)法，與通常的浮柵NAND閃存相比，電荷俘獲型NAND在更簡(jiǎn)單的單元結(jié)構(gòu)下可以作到尺寸更小，同時(shí)功能更強(qiáng)，讀出速度更快及可編程速度更快。 Elpida計(jì)劃把NAND閃存與移動(dòng)RAM結(jié)合一起銷(xiāo)售移動(dòng)消費(fèi)類(lèi)產(chǎn)品。除此之外，Spansion正開(kāi)發(fā)用于嵌入式及選擇無(wú)線市場(chǎng)的NAND，以及繼
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東芝開(kāi)始量產(chǎn)24nm工藝NAND閃存
- 東芝公司宣布，即日起開(kāi)始使用24nm工藝批量生產(chǎn)NAND閃存芯片，這也是該領(lǐng)域內(nèi)迄今為止最為先進(jìn)的制造技術(shù)。 東芝透露，24nm工藝已被用于生產(chǎn)世界上體積最小、存儲(chǔ)密度最高的2bpc(每單元兩個(gè)比特)MLC NAND閃存芯片，單顆容量64Gb(8GB)，今后還會(huì)使用同樣工藝制造32Gb(4GB)容量和3bpc規(guī)格的閃存芯片。 東芝表示，新工藝將進(jìn)一步減小芯片尺寸、提高生產(chǎn)效率，同時(shí)還支持Toggle DDR接口規(guī)范，有助于增強(qiáng)數(shù)據(jù)傳輸速度。 在此之前，Intel、美光合資的IM Fl
- 關(guān)鍵字： 東芝 NAND閃存 24nm
爾必達(dá)計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)Spansion閃存資產(chǎn)
- 3月4日消息，據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，爾必達(dá)公司今日表示，計(jì)劃收購(gòu)美國(guó)晶片制造商Spansion的NAND閃存資產(chǎn)。Spansion是由日本富士通和AMD組建的合資企業(yè)，該公司去年3月申請(qǐng)破產(chǎn)。 爾必達(dá)記憶體將斥資30-50億日元(合3400-5700萬(wàn)美元)收購(gòu)Spansion的NAND相關(guān)資產(chǎn)，其中包括在意大利的一個(gè)研發(fā)工廠。 爾必達(dá)希望提供半導(dǎo)體模組，結(jié)合DRAM和閃存功能。這些模組在蘋(píng)果iPhone等智能手機(jī)方面的運(yùn)用增長(zhǎng)趨勢(shì)明顯，爾必達(dá)正在追趕DRAM領(lǐng)域的領(lǐng)軍企業(yè)三星電子和海力士半導(dǎo)體
- 關(guān)鍵字： 爾必達(dá) NAND閃存 DRAM
nand閃存介紹
您好，目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條nand閃存!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對(duì)nand閃存的理解，并與今后在此搜索nand閃存的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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