nand-flash 文章進(jìn)入nand-flash技術(shù)社區(qū)

三星東芝宣布將參與DDR2.0 NAND接口規(guī)范制定工作

　　閃存業(yè)兩大巨頭三星公司與東芝公司近日宣布將支持并參與第二代DDR NAND閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的制訂工作，這種新一代閃存標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的接口數(shù)據(jù)傳輸率將高達(dá)400Mbit/s。不過(guò)兩家公司并沒(méi)有透露他們什么時(shí)候會(huì)完成該標(biāo)準(zhǔn)規(guī) 范的制定工作，另外也沒(méi)有說(shuō)明新一代閃存規(guī)范使用的閃存芯片存儲(chǔ)密度參數(shù)。DDR2.0 NAND閃存推出后將主要面向移動(dòng)和消費(fèi)級(jí)電子類(lèi)應(yīng)用。　　現(xiàn)有的DDR1.0版本NAND閃存接口規(guī)范只是將DDR數(shù)據(jù)傳輸接口與傳統(tǒng)的單倍數(shù)據(jù)傳輸率NAND單元結(jié)合在一起使用，接口數(shù)據(jù)傳輸率僅133Mbit/s
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爾必達(dá)赴臺(tái)設(shè)NAND Flash研發(fā)中心

　　據(jù)了解，日商爾必達(dá)已決定來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心，且選定投入高階技術(shù)NAND Flash領(lǐng)域。爾必達(dá)來(lái)臺(tái)投資研發(fā)中心金額約在50、60億新臺(tái)幣，未來(lái)將與力晶等日系半導(dǎo)體業(yè)者進(jìn)一步合作。　　據(jù)悉，爾必達(dá)與臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)合作雖然破局，但爾必達(dá)與臺(tái)灣業(yè)者聯(lián)合抗韓的意圖依舊存在，政府單位與爾必達(dá)互動(dòng)密切，爾必達(dá)已于日前向經(jīng)濟(jì)部遞出在臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的初步計(jì)劃書(shū)，經(jīng)濟(jì)部正進(jìn)行審查中。　　官員透露，爾必達(dá)來(lái)臺(tái)設(shè)立研發(fā)中心的計(jì)劃相當(dāng)成熟，已進(jìn)入實(shí)質(zhì)合作內(nèi)容洽談中，研發(fā)中心切入的產(chǎn)品并非一般的動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器
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亞洲需求成全球半導(dǎo)體市場(chǎng)強(qiáng)力支撐

　　全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求成長(zhǎng)已優(yōu)于2008年秋季金融危機(jī)爆發(fā)前的水平，2010年5月半導(dǎo)體銷(xiāo)售額續(xù)創(chuàng)新高。就地區(qū)別來(lái)看，含大陸在內(nèi)的亞太市場(chǎng)占全球銷(xiāo)售比重已過(guò)半并持續(xù)成長(zhǎng)中，已成為全球半導(dǎo)體市場(chǎng)需求的強(qiáng)力支撐。然因市場(chǎng)對(duì)歐洲經(jīng)濟(jì)成長(zhǎng)仍持疑慮，2010年秋季后市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)值得關(guān)注。　　美國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SemiconductorIndustryAssociation;SIA)日前公布的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)指出，金融危機(jī)爆發(fā)前全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售高峰為2007年11月的231.2億美元，而2010年5月全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)2
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SEMICON West來(lái)臨之際那些分析師說(shuō)些什么？

　　編者點(diǎn)評(píng)：每年的SEMICON West時(shí)，時(shí)間己經(jīng)過(guò)半，所以業(yè)界都會(huì)關(guān)心下半年與未來(lái)會(huì)是怎么樣。2010年半導(dǎo)體業(yè)可能十分亮麗，似乎已成定局。然而對(duì)于設(shè)備業(yè)看似今年的增長(zhǎng)幅度達(dá)90%，但是許多設(shè)備公司仍是興奮不起來(lái)，因?yàn)?010年業(yè)績(jī)的增長(zhǎng)仍顯不足于彌補(bǔ)之前的損失。而未來(lái)的前景有點(diǎn)模糊，增長(zhǎng)點(diǎn)來(lái)自哪里?似乎誰(shuí)也說(shuō)不清楚。　　SEMICON West美國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備展覽會(huì)即將開(kāi)幕，與去年全球IC下降不同，如今半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)有點(diǎn)紅火。　　按市場(chǎng)調(diào)研公司 VLSI預(yù)計(jì)，2010年半導(dǎo)體設(shè)備業(yè)增長(zhǎng)96%
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體設(shè)備 NAND DRAM

TMS320C6201 處理器與FLASH存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

關(guān)鍵字： TMS320C6201/6701 FLASH 接口設(shè)計(jì) 引導(dǎo)

力晶聚焦NAND Flash　挑戰(zhàn)20納米

　　近期臺(tái)灣創(chuàng)新存儲(chǔ)器公司(TIMC)獲得經(jīng)濟(jì)部補(bǔ)助，聯(lián)合茂德、晶豪打算從NAND Flash產(chǎn)業(yè)重起爐灶，加上力晶、旺宏亦紛投入NAND Flash市場(chǎng)，3方人馬點(diǎn)燃臺(tái)灣NAND Flash戰(zhàn)火。力晶董事長(zhǎng)黃崇仁6日表示，力晶耕耘NAND Flash產(chǎn)業(yè)6年來(lái)投入新臺(tái)幣70億元，是臺(tái)灣血統(tǒng)最純正技術(shù)，目前力晶NAND Flash技術(shù)腳步相較于國(guó)際大廠仍晚1個(gè)世代，但若未來(lái)成功走向20納米制程，對(duì)臺(tái)灣NAND Flash研發(fā)是很大突破。　　事實(shí)上，力晶NAND Flash產(chǎn)品系師承日商瑞薩(Renes
關(guān)鍵字： TIMC NAND

TMS320C6201DSP處理器與FLASH存儲(chǔ)器接口設(shè)計(jì)

電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
關(guān)鍵字： TMS320C6201DSP 處理器 Flash

NAND閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱(chēng)，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō)，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。　　今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵
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因供不應(yīng)求 NAND 閃存芯片價(jià)格三季度將上漲

　　據(jù)iSuppli稱(chēng)，隨著消費(fèi)電子廠商準(zhǔn)備圣誕假日的產(chǎn)品，今年第三季度NAND閃存芯片將供不應(yīng)求。　　iSuppli高級(jí)半導(dǎo)體分析師Rick Pierson說(shuō)，當(dāng)市場(chǎng)供貨量緊張的時(shí)候，平均銷(xiāo)售價(jià)格將上漲。NAND閃存芯片一般用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)和視頻攝像機(jī)等電子產(chǎn)品存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。今年第二季度NAND閃存芯片供貨量充足導(dǎo)致價(jià)格出現(xiàn)下降的趨勢(shì)。但是，智能手機(jī)等產(chǎn)品正在集成視頻攝像機(jī)等組件，從而產(chǎn)生了額外的存儲(chǔ)需求。　　廠商產(chǎn)量不會(huì)由于超過(guò)了需求而進(jìn)行限制。但是，供應(yīng)商將根據(jù)合同義務(wù)和關(guān)系向關(guān)鍵的合作
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controller_4G08的方案設(shè)計(jì) 實(shí)現(xiàn)了FPGA對(duì)Flash的控制

本文設(shè)計(jì)了一個(gè)Flash控制器controller_4G08，它建立了自己的指令集，可以方便地實(shí)現(xiàn)FPGA對(duì)Flash的控制和讀寫(xiě)操作。FPGA主狀態(tài)機(jī)可以在系統(tǒng)時(shí)鐘頻率下對(duì)controller_4G08發(fā)送指令，然后等待controller_4G08返回的中斷
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華邦：NOR Flash市場(chǎng)缺口達(dá)20%

　　華邦總經(jīng)理詹東義表示，NOR Flash市場(chǎng)供不應(yīng)求的情況仍然嚴(yán)重，估計(jì)市場(chǎng)缺口約20%，第3季的NOR Flash價(jià)格仍會(huì)持續(xù)調(diào)漲，甚至對(duì)于第4季營(yíng)運(yùn)都相當(dāng)樂(lè)觀，尤其是華邦在客戶(hù)策略上，逐漸集中在一線客戶(hù)之后，受到全球景氣波動(dòng)的影響相對(duì)較小。　　華邦表示，若扣除重覆下單(Double Booking)，目前NOR Flash市場(chǎng)缺口約20%，華邦的優(yōu)勢(shì)在于質(zhì)量、成本和交期穩(wěn)定。目前對(duì)于NOR Flash產(chǎn)能的規(guī)劃，仍由目前的7,000片提升至年底1萬(wàn)片水平，但預(yù)計(jì)這樣的產(chǎn)能水平仍無(wú)法滿足客戶(hù)需求
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基于FPGA的K9F4G08 Flash控制器設(shè)計(jì)

摘要：設(shè)計(jì)了一種能使FPGA的主狀態(tài)機(jī)直接管理Flash的控制器，該控制器具有自己的指令集和中斷管理方式。...
關(guān)鍵字： FPGA Flash K9F4G08

基于M25P32 SPI Flash的TFFS設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

本文對(duì)VxWorks下TFFS文件系統(tǒng)的層次結(jié)構(gòu)和FTL層的啟動(dòng)過(guò)程、塊映射算法、垃圾回收算法以及用FTL創(chuàng)建DOSFS進(jìn)行了分析，給出了在M25P32 SPI Flash上創(chuàng)建TFFS文件系統(tǒng)和將TFFS掛在DOSFS的實(shí)現(xiàn)方法。通過(guò)對(duì)TFFS核心層FIL的分析給出的TFFS實(shí)現(xiàn)方法，可以從更基礎(chǔ)的層面來(lái)認(rèn)識(shí)VxWorks中的TFFS文件系統(tǒng)，從而給TFFS文件系統(tǒng)的問(wèn)題定位和實(shí)現(xiàn)帶來(lái)新的方法。
關(guān)鍵字： M25P32 Flash TFFS SPI

三星電子擬向其美國(guó)芯片生產(chǎn)廠投入36億美元

　　6月10日消息，據(jù)路透社報(bào)道，全球最大的記憶體芯片生產(chǎn)商韓國(guó)三星電子周四表示，計(jì)劃投資36億美元，擴(kuò)大其在美國(guó)的芯片生產(chǎn)能力。　　三星電子的海外唯一一家芯片廠就設(shè)在美國(guó)得克薩斯州的奧斯汀，此次產(chǎn)能擴(kuò)增主要是針對(duì)生產(chǎn)大型積體電路(LSI)芯片的設(shè)備。　　奧斯汀工廠主要生產(chǎn)用于手機(jī)和數(shù)碼相機(jī)的NAND型閃存芯片。三星電子在聲明中稱(chēng)，工廠擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃還包括增聘500名員工。
關(guān)鍵字：三星電子 NAND

10個(gè)理由看好或看衰半導(dǎo)體業(yè)

　　至此，對(duì)于今年全球電子工業(yè)的看法是樂(lè)觀的，而且是有相當(dāng)大的增長(zhǎng)。　　但是作為一個(gè)編輯者仍有些擔(dān)憂，以下是對(duì)于2010年有10個(gè)理由來(lái)看好或者是看衰半導(dǎo)體業(yè)。　　1. IC熱，然后冷　　Gartner分析師Bryan Lewis及Peter Middleleton表示，2010年全球半導(dǎo)體銷(xiāo)售額達(dá)2900億美元，與2009年銷(xiāo)售額2280億美元相比增長(zhǎng)27.1%。與Gartner之前在第一季度的預(yù)測(cè)，2010年增長(zhǎng)19.9%相比有明顯提高。　　芯片銷(xiāo)售額的增長(zhǎng)明顯超過(guò)系統(tǒng)產(chǎn)品銷(xiāo)售額的增
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體 DRAM NAND