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          主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進遇瓶頸 閃迪/美光/Intel怎么樣了？
          
                                                            
            
                    	
          • 除供過于求價格下滑幅度加劇，現(xiàn)階段主流NANDFlash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，另外開發(fā)與生產(chǎn)過程良率不佳的問題，制程轉(zhuǎn)進所帶來的成本下滑效益逐漸縮減。
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          • 關鍵字：
                        NAND  美光                          
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          2015年第四季NAND品牌商營收/利潤衰退
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash製程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，三星(Sam
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          • 關鍵字：
                        NAND  三星                          
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          2015年第四季NAND廠商營收排行
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　2015年第四季整體 NAND Flash 市況持續(xù)供過于求，除通路顆粒合約價下滑9~10%外，智慧型手機、平板電腦與筆記型電腦等OEM裝置出貨不如預期，也讓eMMC與SSD價格單季下滑幅度擴大至10~11%。
　　TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報告顯示，在價格下滑幅度明顯高于位元銷售的情況下，第四季NAND Flash品牌商的營收較第三季衰退2.3%。該機構研究協(xié)理楊文得表示，除價格下滑幅度加劇外，現(xiàn)階段主流NAND Flash制程轉(zhuǎn)進已遇到瓶頸，三星(Sam
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD                          
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          運用材料工程解決半導體行業(yè)技術拐點的挑戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　今年，半導體行業(yè)將迎來幾大重要的技術拐點。存儲器制造商正逐步轉(zhuǎn)向3D NAND技術，從而以更低的單位成本打造性能更出眾、密度更高的存儲設備。我們預計2016年所有主要存儲器制造商都將實現(xiàn)3D NAND器件的批量生產(chǎn)。
　　由平面結構向3D NAND器件的過渡將帶來一系列生產(chǎn)工藝上的新要求，促進了由材料所推動的芯片尺寸縮微，推升了對新材料、新工藝技術的需求。在這個背景下，對厚度和一致性能夠進行精確的、原子級層到層控制的新型沉積和蝕刻設備，對于制造多層堆疊存儲單元來說至關重要。此外，隨著越來越多支持圖案
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          • 關鍵字：
                        半導體  NAND                          
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          國內(nèi)NAND Flash產(chǎn)業(yè)開始崛起 主控芯片廠商最有希望拔得頭籌
          
                                                            
            
                    	
          • 　　2015年中國半導體廠商在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈相關的布局與投資逐漸加溫。除了在晶圓制造端的布局外，主控芯片得益于在整體NANDFlash產(chǎn)業(yè)極大的戰(zhàn)略地位，也將成為下一波中國半導體業(yè)值得關注的焦點。
　　TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示，在營運上中國國產(chǎn)主控芯片廠商除直接銷售芯片外，多半推出完整的固態(tài)硬盤解決方案以便直接切入市場應用。主要目標客戶群多以企業(yè)級存儲、政府機關與國防軍工等原先合作關系密切，或是有投資關系的戰(zhàn)略伙伴為主。產(chǎn)品開發(fā)則傾力下個世代
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          • 關鍵字：
                        NAND  SSD                          
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          慧榮科技攜嵌入式存儲和圖形產(chǎn)品亮相2016嵌入式世界展會
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　在設計和推廣固態(tài)存儲設備專用NAND閃存控制器方面處于全球領導地位的慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation,)于2月23至25日在德國紐倫堡舉行的2016嵌入式世界展會，在1號廳160號展臺向業(yè)界展示其針對汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的各種嵌入式存儲及圖形解決方案?！　』蹣s科技展臺將展出如下產(chǎn)品：　　Ferri-eMMC?解決方案　　Ferri-eMMC解決方案是一款集成了NAND閃存、嵌入式微控制器和固件的高成本效益、小尺寸產(chǎn)
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          • 關鍵字：
                        慧榮科技  NAND                          
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          中國廠商積極發(fā)展記憶體主控芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 未來中國國產(chǎn)主控晶片產(chǎn)業(yè)與行業(yè)內(nèi)公司的發(fā)展將呈現(xiàn)百花爭鳴的態(tài)勢，產(chǎn)品應用也有機會從企業(yè)級儲存產(chǎn)品，向下延伸至消費性產(chǎn)品，這也是下一波國內(nèi)半導體的焦點。
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          • 關鍵字：
                        NAND  半導體                          
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          存儲器接連刷新歷史最高紀錄，768Gbit 3D NAND亮相
          
                                                            
            
                    	
          • 　　在“ISSCC 2016”(2016年1月31日～2月4日于美國舊金山舉行)會議上，NAND的大容量化和微細化、SRAM的微細化，以及DRAM的高帶寬化等存儲器 技術取得穩(wěn)步進展，接連刷新了歷史最高紀錄。除了這些存儲器的“正常推進”之外，此次的發(fā)表還涉及車載高可靠混載閃存等的應用、新型緩存及TCAM，內(nèi)容 豐富?！　〈鎯ζ鲿h共有3個。分別以非易失存儲器、SRAM、DRAM為主題。3場會議共有14項發(fā)表。其中有12項來自亞洲，日本有2項(內(nèi)容均為非易失存儲器)。下面來介紹
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          • 關鍵字：
                        存儲器  NAND                          
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          3D NAND技術謹慎樂觀 中國存儲產(chǎn)能有望釋放
          
                                                            
            
                    	
          • 　　全球DRAM市場先抑后揚。2015年DRAM收入預計下降2.4%，2016年將下降10.6%，有望在2017年與2018年迎來復蘇。但是，預測隨著中國公司攜本地產(chǎn)品進入DRAM市場，DRAM價格將在2019年再次下降;占2014年內(nèi)存用量需求20.9%的傳統(tǒng)產(chǎn)品(桌面PC與傳統(tǒng)筆記本電腦)產(chǎn)量預計在2015年下降11.6%，并在2016年進一步下降6.7%。
　　DRAM市場2016年供過于求
　　近期，我們對于DRAM市場的預測不會發(fā)生顯著變化;2015年與2016年將遭遇市場總體營收下滑，而在
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          • 關鍵字：
                        3D NAND                          
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          Toshiba準備出售NAND以外的半導體業(yè)務
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)日本當?shù)氐呢斀?jīng)媒體《日經(jīng)新聞(Nikkei)》近日報導，大廠東芝(Toshiba)已經(jīng)決定出售半導體業(yè)務，僅留下快閃記憶體產(chǎn)品線;此舉被視為是經(jīng)歷過假帳丑聞、付出高昂組織重整代價的該公司轉(zhuǎn)虧為盈之必要步驟。
　　未來東芝將專注并強化在快閃記憶體與核能業(yè)務的投資與經(jīng)營，該公司并將上述兩大業(yè)務做為成長支柱。東芝目前是僅次于三星電子(Samsung Electronics)的全球第二大NAND快閃記憶體供應商，這也是該公司保留記憶體業(yè)務、將出售其他半導體業(yè)務的原因。
　　將出售的東芝半導體業(yè)務包括類
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          • 關鍵字：
                        Toshiba  NAND                          
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          手機標稱16G內(nèi)存，為何實際卻少于16G
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　摘要：現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì)，就是各類移動終端及手機的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別，存儲芯片的實際大小與標稱值又有什么關系呢?
　　我們總是在說手機內(nèi)存，那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機興起后，為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的，是NAND Flash的升級版,他的結構如下：
　　

 
　　我們接觸到的16G、32G等手機，為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
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          • 關鍵字：
                        NAND FLASH  eMMC                          
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          慧榮科技推出全球首款支持3D NAND的交鑰匙式企業(yè)版SATA 6Gb/s SSD控制器產(chǎn)品
          
                                                            
            
                    	
          • 　　慧榮科技公司(Silicon Motion Technology Corporation)宣布推出全球首款支持多家供應商主流3D NAND產(chǎn)品的交鑰匙式企業(yè)版SATA SSD控制器解決方案。這款性能增強的控制器解決方案將有助加快推進最具競爭力的高性能SSD產(chǎn)品在市場上的應用。此次2016年拉斯維加斯消費電子展期間(2016 Consumer Electronics Show)，慧榮科技也將展出其使用了升級版SM2246EN
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          • 關鍵字：
                        慧榮科技  3D NAND                          
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          韓廠進入14納米平面NAND時代 三星、SK海力士2016年相繼投產(chǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　韓國兩大存儲器廠前進14納米平面NAND Flash時代。三星電子(Samsung Electronics)傳出將于2016年量產(chǎn)，而SK海力士(SK Hynix)則預定在新的一年結束研發(fā)作業(yè)，并導入量產(chǎn)體制。
　　韓媒ET News報導，三星14納米平面NAND Flash研發(fā)已完成，將于2016年上半投產(chǎn)。三星預定于新年1月31日在美國舊金山所舉辦的ISSCC上，公開14納米NAND研發(fā)成果。至于目前正在量產(chǎn)16納米的SK海力士，也進入了14納米NAND Flash的研發(fā)。據(jù)悉，SK海力士計劃將
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          • 關鍵字：
                        三星  NAND                          
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          中國下個購并標的：NAND Flash控制芯片
          
                                                            
            
                    	
          • 　　中國政府近來積極透過中資集團陸續(xù)收購或入資海外半導體公司，期建立自有半導體供應鏈。現(xiàn)階段，邏輯晶片從設計、制造到封裝測試皆已具雛型，反觀記憶體領域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認為，中資集團下一波購并目標將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者，并設法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能，以補強記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。
　　資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示，中國近期積極透過購并，來改善半導體自制比例過低的情形，現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上，已有一定程度的發(fā)展，上述領域皆具有本土廠商或已與外商
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          • 關鍵字：
                        NAND Flash  芯片                          
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          美光科技業(yè)務狀況有望在2016年好轉(zhuǎn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　個人電腦(PC)需求放緩嚴重打擊了美光科技公司(Micron Technology Inc., MU)。美光科技超過60%的收入來自DRAM芯片。DRAM芯片是重要的PC組件。在過去一年里，美光科技股價跌去了60%。利潤和收入大幅下滑。利潤率受到擠壓。該公司定于周二公布的第一財季業(yè)績料將凸顯出艱難的經(jīng)營環(huán)境。
　　不過從歷史角度看，美光科技股價一直波動較大，周期性驅(qū)動的電腦芯片業(yè)務推動其股價起起落落。摩根士丹利(Morgan Stanley)稱，過去一年里，美光科技的客戶一直在消化內(nèi)存庫存，預計這一
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          • 關鍵字：
                        美光  NAND                          
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          nand介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	一般快閃記憶體可分為二大規(guī)格，一是NAND，一是NOR. 
簡單的來說，NAND規(guī)格快閃記憶體像硬碟，以儲存數(shù)據(jù)為主，又稱為Data Flash，晶片容量大，目前主流容量已達二Gb；NOR規(guī)格記憶體則類似DRAM，以儲存程序代碼為主，又稱為Co deFlash，所以可讓微處理器直接讀取，但晶片容量較低，主流容量為五一二Mb。 
NAND規(guī)格與NOR規(guī)格快閃記憶體除了容量上的不同，讀寫速度也有很		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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       	          						NANDFlash   
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