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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> nano nor flash

          終端需求疲軟 NAND Flash合約價大跌

          •   第2季NAND Flash終端需求太差,新出爐合約報價大跌超過10%,內(nèi)存模塊廠表示,合計整個5月現(xiàn)貨報價跌幅達20%,合約價合計跌幅也超過15%,反映終端需求確實需要新刺激,目前市場是底部已臨,靜待反彈階段;展望第3季,市場認(rèn)同威剛董事長陳立白的基調(diào),預(yù)期第3季仍會比第2季好一些,但市場不至于會有缺貨或價格飆漲的情況發(fā)生。
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

          flash接口電路的實現(xiàn)

          • flash接口電路的實現(xiàn),0引言

              我們在進行嵌入式系統(tǒng)設(shè)計的過程中,根據(jù)需求,要設(shè)計出特定的嵌入式應(yīng)用系統(tǒng),而嵌入式應(yīng)用系統(tǒng)的設(shè)計包含硬件系統(tǒng)設(shè)計和軟件系統(tǒng)設(shè)計兩個部分,并且這兩部分設(shè)計是互相關(guān)聯(lián)、密不可分的,嵌入式應(yīng)用系
          • 關(guān)鍵字: 實現(xiàn)  電路  接口  flash  

          嵌入NOR閃存穩(wěn)步增長

          •   據(jù)IHS iSuppli公司的研究,包括蘋果iPad等流行平板設(shè)備在內(nèi)的多種應(yīng)用,正在增加使用嵌入NOR閃存,該市場2011年預(yù)計增長8%,達到39.6億個?! ?/li>
          • 關(guān)鍵字: NOR  平板電腦  

          基于NAND FLASH的高速大容量存儲系統(tǒng)設(shè)計

          • 摘要:為了解決目前記錄系統(tǒng)容量小、存儲速度低的問題,采用性能優(yōu)良的固態(tài)NAND型FLASH為存儲介質(zhì),大規(guī)模集成電路FPGA為控制核心,通過使用并行處理技術(shù)和流水線技術(shù)實現(xiàn)了多片低速FLASH時高速數(shù)據(jù)的存儲,提高了整
          • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  大容量  存儲    

          NAND FLASH在儲存測試系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 0 引言  計算機技術(shù)的高速發(fā)展,存儲系統(tǒng)容量從過去的幾KB存儲空間,到現(xiàn)在的T8;乃至不久的將來要達到的PB存儲空間,其數(shù)據(jù)存取的能力在飛速擴展。隨之而來產(chǎn)生的SCSI、FC、SAN、iSCSI、IPStorage和數(shù)據(jù)生命周期管
          • 關(guān)鍵字: FLASH  NAND  儲存  測試系統(tǒng)    

          基于USB總線的MC68HC908JB8 Flash在線編程

          • ICP是一種在實際的目標(biāo)電路板上燒寫和擦除芯片的方法,無需從目標(biāo)板上將芯片卸下來再編程實現(xiàn)用戶程序的修改。這種方法適用于產(chǎn)品開發(fā)和代碼升級。目前市面上很多芯片(如Philips公司的P89C51、P89V51和LPC932A1,STC
          • 關(guān)鍵字: 在線  編程  Flash  MC68HC908JB8  USB  總線  基于  

          三星與海力士提升NAND Flash芯片產(chǎn)量

          •   據(jù)了解,由于智能型手機(Smartphone)和平板計算機(Tablet PC)需求暴增,三星電子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix) 2011年雙雙提升NAND Flash芯片產(chǎn)量。   
          • 關(guān)鍵字: 三星  NAND Flash  

          TMS320F2812片內(nèi)Flash在線燒寫技術(shù)

          • TMS320F2812(以下簡稱F2812)是美國德州儀器公司(TI)新一代32位定點數(shù)字信號處理器(DSP),主要應(yīng)用于逆變器控制、電機控制等領(lǐng)域,并擁有工作頻率高達150 MHz的32位DSP內(nèi)核處理器,可以高效可靠地實現(xiàn)自適應(yīng)控制和狀
          • 關(guān)鍵字: 技術(shù)  在線  Flash  片內(nèi)  TMS320F2812  

          NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析

          • NAND Flash嵌入式存儲系統(tǒng)結(jié)構(gòu)分析, 本文是以Samsung的NAND Flash K9F2808U0C作為存儲芯片,設(shè)計了一種在NFTL上實現(xiàn)壞塊管理并且實現(xiàn)連續(xù)數(shù)據(jù)讀取的方法。
          • 關(guān)鍵字: 結(jié)構(gòu)  分析  系統(tǒng)  存儲  Flash  嵌入式  NAND  

          支持ONFI同步模式的NAND Flash控制器設(shè)計

          • 摘要:先對ONFI標(biāo)準(zhǔn)進行了介紹,然后再設(shè)計了一種支持ONFI2.1標(biāo)準(zhǔn)源同步高速模式的NAND Flash控制器,包括狀態(tài)機的設(shè)計,接口的設(shè)計等。對設(shè)計中遇到的源同步模式下,信號的對齊問題進行了說明,并提出了一種解決方
          • 關(guān)鍵字: Flash  控制器  設(shè)計  NAND  模式  ONFI  同步  支持  

          海力士看好存儲器價格反彈

          •   韓國存儲器大廠海力士(Hynix)對DRAM及NAND Flash產(chǎn)業(yè)后市,發(fā)表脫離谷底的看法,對于臺系DRAM廠而言,可望注入強心針。在硅晶圓部分,海力士與臺廠目前都有1~2個月不等庫存,短期仍可支應(yīng)生產(chǎn),但中長線來看,日本地震造成硅晶圓短缺問題仍待厘清,目前市場買盤多是邊走邊看,沒有一窩蜂搶貨,但也會擔(dān)心日后供給吃緊造成漲價問題。   
          • 關(guān)鍵字: Hynix  DRAM  NAND Flash  

          DSP芯片(TMS320C6711D)的Flash存儲器

          • 在嵌入式系統(tǒng)中,為了實現(xiàn)程序的脫機自動運行,程序往往固化在電可擦除的Flash存儲器中。要實現(xiàn)一個嵌入式系統(tǒng)...
          • 關(guān)鍵字: DSP  TMS320C6711D  Flash  

          TMS320F2812芯片開發(fā)中Flash代碼性能的研究

          • TMS320F2812是目前性能非常優(yōu)秀的32位定點DSP,集成了多種外設(shè)。對TMS320F2812開發(fā)通常利用TI公司的CCS2集成...
          • 關(guān)鍵字: TMS320F2812  Flash  

          用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA配置

          • 摘要:FPGA可以通過串行接口進行配置。本文對傳統(tǒng)的配置方法進行了研究,并從更新配置文件的方法入手,提出了利用處理機通過網(wǎng)絡(luò)更新的方法,給出了一個用CPLD和Flash對FPGA進行配置的應(yīng)用實例。
            關(guān)鍵詞:現(xiàn)場可編程
          • 關(guān)鍵字: Flash  CPLD  FPGA    

          NOR閃存芯片廠商從價格戰(zhàn)轉(zhuǎn)為制程戰(zhàn)

          •   隨著NOR閃存市場供需平衡態(tài)勢的逐步轉(zhuǎn)好,主要的幾家NOR閃存廠商也已經(jīng)將重心從價格戰(zhàn)轉(zhuǎn)移到了提升產(chǎn)品制程等級方面。NOR閃存主要廠商之一的 Spansion擺脫了去年五月份的破產(chǎn)重組風(fēng)波,他們計劃今年采用65nm制程工藝生產(chǎn)自己的產(chǎn)品,并預(yù)計今年自己的這種新閃存銷量會有所增長,預(yù)計今年底其65nm制程產(chǎn)品的營收將占總營收的25%左右。他們最近將其GL-S系列NOR閃存產(chǎn)品的市場范圍拓寬到了包括汽車,消費電子以及游戲機用的嵌入 式領(lǐng)域,該系列NOR閃存產(chǎn)品就是使用65nm制程技術(shù)制造。
          • 關(guān)鍵字: Spansion  NOR  
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          nano nor flash介紹

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