- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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JFFS2 JFFS3 Flash
- 相變存儲技術看來終于要走出實驗室，走向市場了。繼Numonyx宣布出貨Omneo系列相變存儲芯片后，三星電子近日也宣布，推出全球首款多芯片封裝(MCP)PRAM相變存儲顆粒產品。
相變存儲屬于非易失性存儲技術，可以像閃存那樣在關機后繼續(xù)保持數據。三星就表示，這款512Mbit容量MCP封裝PRAM顆粒在軟硬件功能上都和40nm級NOR閃存顆粒完全兼容，方便客戶廠商在產品中加入該存儲顆粒。由于相變存儲技術的高寫入速度特性，采用PRAM可有效提升數碼設備的存儲速度。
三星表示，多芯片封裝PRA
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Numonyx 相變存儲 NOR
- 英特爾(Intel)和美系記憶體大廠美光(Micron)所成立的合資企業(yè)IM Flash，為了趕上半導體業(yè)2010年牛氣沖天的景氣，決定讓新加坡廠重啟營運。
2005年英特爾和美光因看好NAND Flash市場，遂于2006年初合資成立IM Flash，由英特爾出錢出力，美光則提供技術，由IM Flash專門為這2家公司生產NAND Flash。但在半導體景氣循環(huán)來到低點，再加上金融海嘯的沖擊下，IM Flash受到嚴重沖擊，在2008年IM Flash裁員800人，花費35億美元打造，本應于2
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三星電子 NAND Flash
- 摘要：為避免在程序運行時向單片機內置的Flash寫入數據導致復位，采用調用鎖定與關鍵碼的操作方法對C2805lF35X型單片機的Flash進行擦除、寫入和讀取操作，并提供程序范例。該方法無需任何接口電路，使用方便，成本低
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擦寫 方法 存儲器 Flash 單片機 內部 C8051F35X
- Nand+Flash存儲管理在DSP系統中的實現, Nand Flash作為一種安全、快速的存儲體，因其具有體積小、容量大、成本低、掉電數 據不丟失等一系列優(yōu)點，已逐步取代其它半導體存儲元件，成為嵌入式系統中數據存儲的主 要載體。盡管Nand Flash的每個單元塊相互獨
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系統 實現 DSP 管理 Flash 存儲 Nand
- 嵌入式系統中Nand-Flash的原理及應用,當前各類嵌入式系統開發(fā)設計中，存儲模塊是不可或缺的重要方面。NOR和NAND是目前市場上兩種主要的非易失閃存技術。Nor-flash存儲器的容量較小、寫入速度較慢，但因其隨機讀取速度快，因此在嵌入式系統中，常應用在程
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應用 原理 Nand-Flash 系統 嵌入式
- Micron Technology, Inc.(Nasdaq:MU)近日宣布了截至于2010年3月4日的2010財年第二季度的運營成果。對于2010財年的第二季度，該公司取得了可歸屬于其股東的3.65億美元，合攤薄股每股0.39美元的凈收入，其凈銷售額達近20億美元。相比之下，2010財年第一季度的凈收入為2.04億美元，合攤薄股每股0.23美元，凈銷售額為17.4億美元，并且2009財年第二季度的凈虧損為7.63億美元，合攤薄股每股0.99美元，凈銷售額為10億美元。2010財年之前各個時期的金額及
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Micron NAND Flash
- 電子產品世界,為電子工程師提供全面的電子產品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術中心和交流中心,是電子產品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網絡家園
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TMS320C6713B DSP Flash
- 富士通微電子公司日前宣布，已經成功開發(fā)出一種NOR型閃存新技術，可提高閃存讀取速度，并同時降低工作電流。富士通在NOR型閃存中，引入了其專利FCRAM(Fast-Cycle Random-Access Memory高速訪問隨機存儲)中的電路元素，從而實現了高速低功耗和高可靠性。這種新型NOR閃存可將訪問速度提高2.5倍達，訪問時間僅10ns，同時工作電流降低三分之二達到9µA。通過在嵌入式設備中應用這項技術，便攜音視頻設備將有望改進性能，同時延長電池續(xù)航時間。
富士通表示，將以這項N
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富士通 NOR 閃存
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MIPS 科技公司營銷副總裁Art Swift
2010 年我們在全球看到的最大的趨勢就是連接和融合。在整個市場，硬件平臺的融合和因特網連接正逐漸成為幾乎每個電子設備的一部分。對于消費者而言，這基本上意味著他們可以在任何時間和地點，在任何屏幕上瀏覽任何內容。半導體設計人員需要跟上市場不斷變化的步伐， MIPS 致力于提供全面的解決方案幫助我們的客戶取勝。這意味著我們將為客戶提供更多以內容為中心的解決方案，并對 Android、Linux、Flash、Java 和其他平臺優(yōu)化進行大量投資。
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MIPS Android Linux Flash Java
- 據iSuppli公司，經濟復蘇已帶動長期低迷的NOR閃存市場反彈，類似于整體內存市場的情形。
2009年第四季度總體NOR營業(yè)收入為12.3億美元，比第三季度的12.2億美元增長0.7%。
“這標志這個市場連續(xù)第三個季度實現環(huán)比增長。2009年第一季度形勢非常糟糕，營業(yè)額下降到不足10億美元，”iSuppli公司的資深內存與存儲分析師Michael Yang表示，“第四季度NOR閃存營業(yè)收入受到來自多個消費產品領域的需求推動，包括液晶電視、手機和電腦。需
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Numonyx NOR 內存
- NAND FLASH開始廣泛應用于星載存儲器,針對FLASH的數據高效管理成為該類存儲器研究的重要組成部分。本文以商用文件系統YAFFS2為基礎,結合空間應用的數據存儲特點,引入文件系統的概念對存儲器數據進行管理,制定了針
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FLASH 星載 存儲器
- 據國外媒體報道，美國最大的電腦存儲芯片制造商美光科技(Micron Technology)周二宣布，將斥資12.7億美元收購閃存芯片制造商恒憶半導體(Numonyx Holdings BV)，借此增強其閃存芯片業(yè)務。
收購恒億
美光科技科技在聲明中表示，將向恒憶半導體的投資者——英特爾、意法半導體(STMicroelectronics)以及私募股權公司Francisco Partners——定向增發(fā)1.4億股股票。除此之外，美光科技還會向恒憶
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美光 NOR Numonyx
- 32位MCU強勢增長
從全球范圍內的微控制器(MCU)的市場情況看(如圖1)，08年出貨量是119億美元，到09年降低到86億美元。從增長曲線看，32位微控制器在過去5年增長了一倍。目前可以看到8位和32位的深V型增長。從銷售額來看，在2009年的前10個月里有7個月32位高過8位，到10月底時，32位總體下降了近23%，而8位MCU下降了近27%。從數量上看，8位的下降是26%，而32位只下降10%，因此從單位數量來說，32位下降較少，NXP(恩智浦)認為32位還是有比較強勁的增長勢頭，這
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MCU NAND NOR Android
- 存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。
縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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存儲器 DRAM NAND NOR SRAM
nano nor flash介紹
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