存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經(jīng)常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產(chǎn)以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。

　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產(chǎn)能。

　　在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如1995年DRAM在windo95的推動下創(chuàng)下年銷售額達400億美元的歷史紀錄，而開始由6英寸轉向8英寸生產(chǎn)線，2007年DRAM開始退出8英寸，而轉向12英寸。

　　業(yè)界認為奇夢達的退出，并未表示此波存儲器的兼并結束，因為目前全球存儲器的廠家仍舊太多，如三星、海力士、美光、爾必達及臺灣地區(qū)有多家。由于存儲器產(chǎn)業(yè)的特點，需要高投入及大量生產(chǎn)。目前凡新建的廠都是超級大廠(superfab)，12英寸的月產(chǎn)能在15萬片左右，所以全球有2-3家存儲器廠已足矣，所以認為此波兼并尚未完全徹底。

　　業(yè)界要探討為什么存儲器有如此大的威力能夠左右整個工業(yè)的起伏?

　　全球DRAM市場自1996年崩盤之后到2001年間，全球半導體設備投資的主角是以Intel為代表的邏輯芯片商。

　　但是2002年后處理器芯片開始進入90納米，英特爾轉變以往提高主頻的策略，而轉向降低功耗與提高功能。而在此時，基于市場需求上升，全球存儲器的投資比重卻日益增大。如2005年全球存儲器投資增加40%;06年增加15%;07年增加30%及08年下跌20%。全球存儲器的資本支出占銷售額比重，2007年達73%，2008年即便下降也達到44%。

　　以下兩張表分別表示存儲器投資占半導體總投資的百分比及存儲器投資占其銷售額之比，可見存儲器在全球半導體業(yè)中的權重比例占第一，所以稱其為產(chǎn)業(yè)風向標是合乎情理。

　　另外，據(jù)SEMI統(tǒng)計，預計2008年全球硅片產(chǎn)能與07年相比增加11%，其中存儲器的產(chǎn)能增加41%，而07年存儲器產(chǎn)能增加38%。2008年全球前5大建廠投資計劃，無一例外都是存儲器，分別為東芝/新帝、三星、海力士、力晶與瑞晶。

　　另外，從跟蹤摩爾定律角度，NAND閃存走在最前列，已達4x-3xnm，其次是DRAM達5x-6xnm。由此，也推動許多半導體設備如光刻機、腐蝕機等專為存儲器業(yè)而定制。

　　Novellus的Rick Hill說得正確，在1980年代，全球2/3的芯片廠做MPU，邏輯電路，1/3芯片廠做存儲器;如今反了過來，全球2/3芯片產(chǎn)能在做存儲器。

　　所以，無論從技術的先進性，或者投資及產(chǎn)能的擴充，全球都依賴存儲器業(yè)，因此存儲器成為全球半導體業(yè)的主角地位以及能夠左右半導體業(yè)已經(jīng)顯而易見。

　　在金融危機后，全球經(jīng)濟在各國政府共同努力下已逐漸走出低谷，半導體業(yè)也一樣，預計2010年有10%以上的增長。其中存儲器的表現(xiàn)也印證此點，如存儲器價格在09年的Q1到Q4期間上升65%，導致大部分存儲器廠開始獲利。業(yè)界預計，2010年全球存儲器的供貨仍偏緊，所以價格繼續(xù)上升是趨勢，由此全球存儲器DRAM的銷售額可能有10%的增長及NAND閃存銷售額會有25%的增長。