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nxe:3800e euv 文章進(jìn)入nxe:3800e euv技術(shù)社區(qū)

光源問題仍是EUV光刻技術(shù)中的難題

　　GlobalFoundries公司的光刻技術(shù)專家Obert Wood在最近召開的高級半導(dǎo)體制造技術(shù)會議ASMC2011上表示，盡管業(yè)界在改善EUV光刻機(jī)用光源技術(shù)方面取得了一定成效，但光源問題仍是EUV光刻技術(shù)成熟過程中最“忐忑”的因素。　　
關(guān)鍵字： GlobalFoundries EUV

英特爾10nm設(shè)計(jì)規(guī)則初定 EUV技術(shù)恐錯失良機(jī)

　　英特爾公司正在計(jì)劃將目前的193nm浸入式微影技術(shù)擴(kuò)展到14nm邏輯節(jié)點(diǎn)，此一計(jì)劃預(yù)計(jì)在2013下半年實(shí)現(xiàn)。同時，這家芯片業(yè)巨頭也希望能在2015年下半年于10nm邏輯節(jié)點(diǎn)使用超紫外光(EUV)微影技術(shù)進(jìn)行生產(chǎn)。　　
關(guān)鍵字：英特爾 EUV

通向14/15nm節(jié)點(diǎn)的技術(shù)挑戰(zhàn)

　　當(dāng)半導(dǎo)體業(yè)準(zhǔn)備進(jìn)入14/15nm節(jié)點(diǎn)時，將面臨眾多的技術(shù)挑戰(zhàn) 　　對于邏輯電路，STMicro的Thomas Skotnicki認(rèn)為傳統(tǒng)的CMOS制造工藝方法己不再適用。因?yàn)楫?dāng)器件的尺寸持續(xù)縮小時，由于己達(dá)極限許多缺陷顯現(xiàn)。按IBM技術(shù)經(jīng)理Mukesh Khare看法，如柵氧化層的厚度Tox再縮小有困難。另外，除非采用其它方法，因?yàn)殡S著互連銅線的尺寸縮小銅線的電阻增大及通孔的電阻增大也是另一個挑戰(zhàn)。
關(guān)鍵字： EUV 節(jié)點(diǎn)技術(shù)

次世代微影技術(shù)主流之爭　

　　目前次世代微影技術(shù)發(fā)展仍尚未有主流出現(xiàn)，而身為深紫外光 (EUV)陣營主要推手之一的比利時微電子研究中心(IMEC)總裁Luc Van den hove指出，EUV技術(shù)最快于2014年可望進(jìn)入量產(chǎn)，而應(yīng)用存儲器制程又將早于邏輯制程，他也指出，無光罩多重電子束恐怕來不及進(jìn)入量產(chǎn)。　　
關(guān)鍵字：微影技術(shù) EUV

GlobalFoundries投入EUV技術(shù)　4年后量產(chǎn)

　　繼晶圓代工大廠臺積電宣布跨入深紫外光(EUV)微影技術(shù)后，全球晶圓(Global Foundries)也在美國時間14日于SEMICON West展會中宣布，投入EUV微影技術(shù)，預(yù)計(jì)于2012年下半將機(jī)臺導(dǎo)入位于美國紐約的12寸晶圓廠(Fab 8)，將于2014~2015年間正式量產(chǎn)。　　由于浸潤式微影(Immersion Lithography)機(jī)臺與雙重曝光(double-patterning)技術(shù)，讓微影技術(shù)得以發(fā)展至2x奈米，不過浸潤式微影機(jī)臺采用的是 193nm波長的光源，走到22奈米已
關(guān)鍵字：臺積電 EUV 晶圓代工

英特爾認(rèn)為浸入式光刻能延伸到11納米

　　英特爾的先進(jìn)光刻和制造部的Yan Borodovsky表明,英特爾希望EUV或者無掩模電子束光刻能作為193納米浸入式光刻在11納米的后補(bǔ)者,并聲稱11納米可能發(fā)生在2015年。　　Borodovsky表示193nm浸入式光刻技術(shù)可能延伸到分別在2011和2013年的22nm及16nm 中。　　　　在Nikon的年會上許多其它的專家似乎對于EUV光刻也有相似的看法。如Nikon的光刻機(jī)設(shè)計(jì)部總經(jīng)理Masato Hamatani認(rèn)為,當(dāng)EUV達(dá)到所有的預(yù)定目標(biāo)時,進(jìn)入量產(chǎn)
關(guān)鍵字：英特爾 11納米 EUV

半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展

　　相比于2009年今年全球半導(dǎo)體業(yè)的態(tài)勢好了許多，但是仍有少部分人提出質(zhì)疑，2010年有那么好嗎?即具備條件了嗎? 　　在今年1月由SEMI主辦的工業(yè)策略年會上(ISS)，有些演講者表示一些擔(dān)憂，認(rèn)為雖然半導(dǎo)體業(yè)正在復(fù)蘇的路上，但是制造商們?nèi)匀鄙偌で?，不肯繼續(xù)大幅的投資，以及不太愿意重新擴(kuò)大招慕員工。　　恐怕更大的擔(dān)心來自全球半導(dǎo)體業(yè)間的兼并與重組到來，以及產(chǎn)業(yè)能否支持得起22納米及以下技術(shù)的進(jìn)步。　　IBS的CEO Handle Jones認(rèn)為，雖然工業(yè)正在復(fù)蘇，但是在半導(dǎo)體業(yè)運(yùn)營中仍面臨成
關(guān)鍵字： ASML 半導(dǎo)體 EUV

臺積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

　　TSMC與荷蘭艾司摩爾(ASML)公司今日共同宣布，TSMC將取得ASML公司TWINSCAN™ NXE:3100 - 超紫外光(Extreme Ultra-violet，EUV)微影設(shè)備，是全球六個取得這項(xiàng)設(shè)備的客戶伙伴之一。　　這項(xiàng)設(shè)備將安裝于TSMC的超大晶圓廠(GigaFab™)-臺積十二廠，用以發(fā)展新世代的工藝技術(shù)。TSMC也將成為全球第一個可以在自身晶圓廠發(fā)展超紫外光微影技術(shù)的專業(yè)集成電路制造服務(wù)業(yè)者。　　相較于現(xiàn)行浸潤式微影技術(shù)以193納米波長當(dāng)作光源，超
關(guān)鍵字：臺積電 EUV 微影設(shè)備 ASML

三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年

　　半導(dǎo)體技術(shù)市場權(quán)威分析公司IC Insights近日發(fā)布的報(bào)告顯示，按照他們的估計(jì)，450mm技術(shù)以及極紫外光刻技術(shù)(EUV)投入實(shí)用的時間點(diǎn)將再度后延。　　據(jù)IC Insights預(yù)計(jì)，基于450mm技術(shù)的芯片廠需要到2015-2016年左右才有望開始實(shí)用化建設(shè)--比預(yù)期的時間點(diǎn)后延了兩年左右。另外，預(yù)計(jì)16nm級別制程技術(shù)中也不會應(yīng)用EUV光刻技術(shù)，這項(xiàng)技術(shù)會被后延到2015年，在13nm級別的工藝制程中投入實(shí)用。　　另外一項(xiàng)較新的半導(dǎo)體制造技術(shù)，可用于制造3D堆疊式芯片的硅通孔技術(shù)(TS
關(guān)鍵字： EUV 光刻 450mm

EUV: 一場輸不起的賭局

　　2010年， ASML將有5臺最先進(jìn)的EUV設(shè)備整裝發(fā)往全球的5家客戶。業(yè)界傳言，最新的NXE3100系統(tǒng)將發(fā)送給3家頂級存儲器廠商和2家頂級邏輯廠商。EUV勝利的曙光正在向我們招手，雖然目前工程師們還在荷蘭Veldhoven專為EUV新建的大樓中忙碌，在設(shè)備出廠前，解決正在發(fā)生的問題，并預(yù)測著各種可能發(fā)生的問題及解決方案。　　人們談?wù)揈UV的各種技術(shù)問題已歷時數(shù)年，因?yàn)槠洳ㄩL較目前的193nm縮短10倍以上，EUV一直是通往22nm的實(shí)力派參賽選手之一。與此同時，延伸immersion技術(shù)，用其
關(guān)鍵字： ASML EUV 22nm

臺積電老將再出山蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

　　不知是否是因?yàn)镚lobal Foundries的步步威脅，臺積電28日宣布，延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理，他將直接對張忠謀董事長負(fù)責(zé)。　　這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺積電以來，又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理，帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一路順利開發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個世代的先進(jìn)工藝技術(shù)，成果斐然。但是三年多前因?yàn)橐疹櫮赀~生病的父親而暫時離開，如今因父親仙逝而能再度回到臺積，相信蔣資深副總的回任，
關(guān)鍵字：臺積電 40納米 HKMG EUV

EUV蓄勢待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統(tǒng)

　　德國Carl Zeiss SMT AG已向半導(dǎo)體設(shè)備商ASML出貨首臺EUV光學(xué)系統(tǒng)。該公司已使EUV光學(xué)系統(tǒng)達(dá)到了生產(chǎn)要求。　　光學(xué)系統(tǒng)是EUV設(shè)備的核心模塊，首臺EUV設(shè)備預(yù)計(jì)將在2010年出貨。幾周前，美國公司Cymer完成了EUV光源的開發(fā)，EUV光源是EUV光刻設(shè)備另一個關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸，提高生產(chǎn)效率。　　據(jù)Carl Zeiss 介紹，目前出貨的光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
關(guān)鍵字： ASML EUV 光刻設(shè)備

EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

　　對于極紫外（EUV）光刻技術(shù)而言，掩膜版相關(guān)的一系列問題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝，而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對于EUV光線具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開的表面預(yù)處理和清洗會議上，針對EUV掩膜版清洗方面遇到的問題和挑戰(zhàn)，Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開了一次內(nèi)部討論，并在會上向與會的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
關(guān)鍵字：光刻 EUV 掩膜 CMOS

22納米后EUV光刻還是電子束光刻？市場看法存分歧

浸潤式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米，不過，22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭，爭議不斷。據(jù)了解，臺積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫式多重電子束(MEBDW)方案，并已有具體成果，但積極推動深紫外光(EUV)的ASML則表示，目前已有數(shù)家客戶下單，最快2009年便可出貨，但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」，尚未有定論。 ASML表示，目前深紫外光EUV的光波波長可達(dá)13.5納米，約是248波長的KrF顯影設(shè)備的15分之1，盡管浸潤式顯
關(guān)鍵字：消費(fèi)電子 EUV 電子束消費(fèi)電子

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半導(dǎo)體能支撐未來的發(fā)展

臺積電取得ASML超紫外光微影設(shè)備以研發(fā)新世代工藝

三項(xiàng)半導(dǎo)體新技術(shù)投入使用的時間將后延至2015-2016年

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