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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> ovc iii

          85-528VAC超寬輸入OVC III認證電源,適用于工業(yè)自動化,商業(yè)和住宅建筑中的電器

          • XP Power推出PCB安裝型AC-DC電源EHL系列,可提供3.3VDC至48VDC的單輸出電壓。這款EHL05(5W)和EHL20(20W)高功率密度電源有裸板型和封裝型可選,具有85VAC至528VAC的超寬輸入范圍,可在電源波動條件下實現(xiàn)全局兼容性和高穩(wěn)定性。EHL系列具有IEC II級結構,符合全球工業(yè)和家庭安全認證,專為480VAC系統(tǒng)中的相間操作而設計。OVC III(過電壓III類)認證可直接連接到工業(yè)布線裝置,提高電氣安全性,并降低敏感電子設備損壞的風險。EHL系列符合多種認證,包括E
          • 關鍵字: 85-528VAC  超寬輸入  OVC III  認證電源  工業(yè)自動化  

          科索為中型機器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案

          • 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設計的RB系列,增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架,可配置AC/DC電源,具有三路輸出,專門為機器人控制器和工廠自動化定制?;谝粋€獨特的概念,科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出,其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管(IGBT)或等效應用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別(OVC)Ⅲ認證,當連接到配電板時,通過減少額外的隔離變壓器,RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構師的設計過程,同時降低了成本。RBC3
          • 關鍵字: OVC  IGBT  COSEL  RBC300F  對流冷卻設計  

          美國科學家生產(chǎn)效率為47.1%的六結太陽能電池

          • 美國國家可再生能源實驗室宣布,科學家們生產(chǎn)出了一種六結太陽能電池,在集中照明下測得的效率為47.1%,從而創(chuàng)造了新的世界紀錄。
          • 關鍵字: 美國  太陽能電池  III-V材料  

          64位MIPS架構為OCTEON III處理器提供低功耗、高吞吐量處理能力

          • Imagination Technologies 宣布,該公司的64位MIPS架構已獲得面向下一代企業(yè)、數(shù)據(jù)中心與服務提供商基礎架構等應用的Cavium新款低功耗OCTEONreg; II
          • 關鍵字: MIPS  OCTEON  III  Cavium   

          一種基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器

          • 多功能控制器通信接口多樣,具有人機界面,配有μC/OS-III操作系統(tǒng),有完善的硬件驅動,可在分布式控制系統(tǒng)中完成多種任務。
          • 關鍵字: 電機控制器  μC/OS-III  STM32  

          使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配

          • 使用TinySwitch-III的12W寬電壓輸入的恒壓適配器電路該電源為12V、1A輸出的寬電壓輸入反激式轉換器,采用了TinySwitch-III系列中的TNY278P器件。由于很多功能已經(jīng)集成在器件內部,因此僅需要31個直插式元件(無表面...
          • 關鍵字: TinySwitch-III  寬電壓輸入  恒壓適配  

          CY3664-enCoRe III:無線鼠標游戲手柄開發(fā)系統(tǒng)解決方案

          • Cypress公司的CY7C603xx系列是低壓enCoRe III PSoC器件,采用功能強大的哈佛架構,M8C處理器的速度高達12MHz,工作電壓2.4V~3.6V,具有可配置的外設如8位定時器,計數(shù)器和PWM,,全雙工主或從SPI,10位ADC,8位SAR ADC
          • 關鍵字: enCoRe  III  CY    

          μC/OS―III為縮短中斷關閉時間作出的改進

          • μC/OS―III為縮短中斷關閉時間作出的改進,摘要:本文介紹了實時內核的中斷機制,研究了mu;C/OS—III為縮短中斷關閉時間做出的改進。通過對比mu;C/OS—II以及mu;C/OS—III的中斷管理辦法,分析mu;C/OS—III在哪些方面作出了改進。
          • 關鍵字: μC/OS―III  實時內核  臨界區(qū)  中斷管理  

          基于μC/OS―III和ARM的空心杯電機控制器設計

          • 基于μC/OS―III和ARM的空心杯電機控制器設計,引言空心杯電機在結構上采用了無鐵芯轉子,克服了有鐵芯電動機不可逾越的技術障礙,使其具備了更加突出的節(jié)能特性、靈敏方便的控制特性和穩(wěn)定的運行特性。隨著工業(yè)技術的飛速發(fā)展,電動機的伺服特性要求不斷提高,空
          • 關鍵字: μC/OS―III  Cortex―M4  TM4C132GH6PM  空心杯電機  前饋PID  

          64位MIPS架構為OCTEON III處理器提供低功耗、高吞

          • Imagination Technologies 宣布,該公司的64位MIPS架構已獲得面向下一代企業(yè)、數(shù)據(jù)中心與服務提供商基礎架構等應用的Cavium新款低功耗OCTEON® III SoC處理器
          • 關鍵字: MIPS  OCTEON  III  Cavium   

          Imec結合III-V材料打造高性能Flash

          •   比利時奈米電子研究中心Imec的研究人員透過將快閃記憶體(Flash)與使用砷化銦鎵(InGaAs)的更高性能III-V材料通道垂直排放的方式,發(fā)現(xiàn)了一種能夠提高快閃記憶體速度與壽命的新方法。   目前大多數(shù)的快閃記憶體使用由浮閘所控制的平面多晶矽通道,并用控制閘讀取或編程高電壓的浮閘——其方式是迫使電子穿隧至浮閘(0)或由其流出(1)。藉由將通道移動至垂直的方向,3D快閃記憶體能夠更緊密地封裝,而不必遵循微縮規(guī)則。   此外,Imec最近發(fā)現(xiàn),透過使用通道中的III-V材
          • 關鍵字: Imec  III-V  

          如何將RTOS添加到您的Zynq SoC設計中

          •   1 什么是實時操作系統(tǒng)?   實時操作系統(tǒng)是確定的,意思是指系統(tǒng)需要在明確的截止時間內做出響應。這種確定性很重要,其原因有多種,例如,如果最終應用正在監(jiān)控工業(yè)流程,那么必須在特定時段內對事件做出響應,工業(yè)控制系統(tǒng)就屬于這類情況。   可根據(jù)滿足截止時間的能力對RTOS進一步分類為三種不同類型的RTOS,每種類型都以不同方式滿足截止時間。在hard RTOS中,錯過截止時間被視為系統(tǒng)錯誤。而對于firm RTOS就不是這樣,偶爾錯過截止時間是可以接受的。在soft RTOS中,錯過一次截止時間會減少
          • 關鍵字: RTOS  SDK  信號量  Zynq  μC/OS-III  

          經(jīng)典再續(xù):μC/OS-III

          •   μC/OS-III相比于μC/OS-II做了很多的改進,是一款全新的內核,在效率方面有了很大提升,并且支持任務的時間片輪轉調度,摒棄了一些不必要的內容,如消息郵箱,對于熟悉μC/OS-II的工程師來說,上手μC/OS-III還是比較容易的,先來了解一下μC/OS-III做了哪些具體的改進。   一、時鐘節(jié)拍的改進   在RTOS中,任務可通過調用延時函數(shù)(如OSTimeDly( )函數(shù))將自己延時掛起一段時間,任務在延時的過程中會釋放CPU,延時的任務不占用寶貴的CP
          • 關鍵字: RTOS  μC/OS-III  μC/OS-II  

          基于μC/OS-III及STM32的多功能控制器設計

          •   電動軌道車控制系統(tǒng)一般分為多個子系統(tǒng),子系統(tǒng)受一個主控器控制。這樣的結構設計繁瑣,編程復雜。采用μC/OS-III操作系統(tǒng)、STM32F103RC微控制器、12864液晶屏、PVC按鍵、無線串口模塊、鋰電池等實現(xiàn)具有人機界面、無線串口功能的總線主控器。該控制器具有人機界面、軌道車主控器、遙控接收器、遙控面板等多種功能,并且能在不同項目中使用。(※ μC/OS-III從官網(wǎng)上下載,文件名為Micrium_uC-Eval-STM32F107_uCOS-III,版本為V1.29.01.00。)
          • 關鍵字: μC/OS-III  STM32  12864  

          超越矽晶 III-V族材料可望生成MOSFET

          •   最高性能的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)將不再由矽晶制成。根據(jù)近日在美國夏威夷檀香山舉行的2014VLSI技術研討會上的研究人員們表示,未來,這種MOSFET將改采三五(III-V)族材料在矽基板上生長而成。   在一場由Semiconductor Research Corporation(SRC)所舉行的產(chǎn)品展示中,美國加州大學圣塔巴巴拉分校(UCSB)的研究人員們展示他們所宣稱世界上最高性能的MOSFET──這種MOSFET是由在(InP)上的砷化銦鎵(InGaAs)所形成;這種
          • 關鍵字: III-V族  MOSFET  
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