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          基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究

          • 摘要:德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件,是市場上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺升級的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
          • 關(guān)鍵字: C6678 DSP  flash boot  多核boot  I2C引導(dǎo)  SRIO  網(wǎng)絡(luò)  

          FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲器上的改進(jìn)設(shè)計

          • 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性,構(gòu)建一個適合管理NAND Flash存儲器的FAT文件系統(tǒng),并闡述具體的設(shè)計思想。
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  FAT  文件系統(tǒng)    

          大容量NAND Flash TC58DVG02A1FT00在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 隨著嵌入式系統(tǒng)產(chǎn)品的發(fā)展,對存儲設(shè)備的要求也日益增強(qiáng)。文章以東芝的NAND E2PROM器件TC58DVG02A1F00為例,闡述了NAND Flash的基本結(jié)構(gòu)和使用方法
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  02A  1FT    

          如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用

          •   被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在,但是我們可以憑借高科技變廢為寶,將“壞塊”進(jìn)行有效的利用,從而滿足我們的應(yīng)用需求,讓壞塊不“壞”。   要想變廢為寶,有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”,做到知己知彼,才能為我所用。壞塊的特點是當(dāng)編程或者擦除這個塊時,不能將某些位拉高,從而造成編程和塊擦除操作時的錯誤,這種錯誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時
          • 關(guān)鍵字: Nand Flash  寄存器  

          提高M(jìn)SP430G 系列單片機(jī)的Flash 擦寫壽命的方法

          • 摘要在嵌入式設(shè)計中,許多應(yīng)用設(shè)計都需要使用EEPROM 存儲非易失性數(shù)據(jù),由于成本原因,某些單片機(jī)在芯片內(nèi)部并沒有集成EEPROM。MSP430G 系列處理器是TI 推出的低成本16 位處理器,在MSP430G 系列單片機(jī)中并不具備E
          • 關(guān)鍵字: MSP430G  單片機(jī)  Flash    

          關(guān)于單片機(jī)中的flash和eeprom

          • FLASH 和EEPROM的最大區(qū)別是FLASH按扇區(qū)操作,EEPROM則按字節(jié)操作,二者尋址方法不同,存儲單元的結(jié)構(gòu)也不同,F(xiàn)LASH的電路結(jié)構(gòu)較簡單,同樣容量占芯片面積較小,成本自然比EEPROM低,因而適合用作程序存儲器,EEPROM則更多的用作非易失的數(shù)據(jù)存儲器。當(dāng)然用FLASH做數(shù)據(jù)存儲器也行,但操作比EEPROM麻煩的多,所以更“人性化”的MCU設(shè)計會集成FLASH和EEPROM兩種非易失性存儲器,而廉價型設(shè)計往往只有 FLASH,早期可電擦寫型MCU則都是EEPRM結(jié)構(gòu),現(xiàn)在已基本上停產(chǎn)了。
          • 關(guān)鍵字: 單片機(jī)  flash  eeprom  

          NAND FLASH扇區(qū)管理

          • 首先需要了解NAND FLASH的結(jié)構(gòu)。如圖:以鎂光MT29F4G08BxB Nand Flash為例,這款Flash(如上圖)以4個扇區(qū)(sector)組成1個頁(page),64個頁(page)組成1個塊(block),4096個塊(block)構(gòu)成整個Flash存儲器;由于每個扇區(qū)
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND  扇區(qū)管理  

          JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)S FDP對串行Flash在系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • JEDEC標(biāo)準(zhǔn)(JESD216)Serial Flash Discoverable Parameter (SFDP)[1]是在串行Flash中建立一個可供查詢的描述串行Flash功能的參數(shù)表。文章主要介紹了這個串行Flash功能參數(shù)表的結(jié)構(gòu)、功能和作用,并給出其在系統(tǒng)設(shè)計中的具體應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: JEDEC  Flash  JESD    

          TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設(shè)計

          • TMS320C6455 DSP基于外部FLASH自動加載的設(shè)計,摘要 為實現(xiàn)數(shù)字信號處理器的加栽,介紹了TMS320C6455的各種加載模式,尤其是對外部ROM的引導(dǎo)方式,以及一種無需數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換即可通過數(shù)據(jù)加載將用戶程序?qū)懭隖lash的方法。以TMS320C6455為例,同時結(jié)合LED燈閃爍實例驗證
          • 關(guān)鍵字: DSP  加栽模式  二次加載  Flash  

          三星、東芝競擴(kuò)產(chǎn),NAND Flash恐跌三成

          • 全球NAND Flash(儲存型快閃記憶體)供給成長持續(xù)大于需求,預(yù)估NAND Flash今年底報價將較去年跌掉三成,且跌勢恐將一直延續(xù)至2018年。市調(diào)機(jī)構(gòu)IHS iSuppli最
          • 關(guān)鍵字: 三星  東芝  NAND  Flash   

          NAND flash和NOR flash的區(qū)別詳解

          • 我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等),還有一個RAM容量,很多人都不是很清楚,為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢,這就是我
          • 關(guān)鍵字: NOR flash  Nand flash  FlaSh  

          DSP硬件設(shè)計需要知道的注意事項

          • 數(shù)字信號處理芯片(DSP) 具有高性能的CPU(時鐘性能超過100MHZ)和高速先進(jìn)外圍設(shè)備,通過CMOS處理技術(shù),DSP芯片的功耗越來越低。這些巨大的進(jìn)步增加了DSP
          • 關(guān)鍵字: 硬件設(shè)計  FlaSh  DSP  

          從Flash和SRAM中觸發(fā)中斷的過程示例

          • 使用LPC2106的Timer 1 進(jìn)行的簡單的中斷處理。示例代碼中Timer1分為FIQ和IRQ,用戶可以從Flash或者SRAM中運行這些代碼。示例展示了ARM構(gòu)架中中斷是如何操作
          • 關(guān)鍵字: Flash  SRAM  觸發(fā)中斷  

          NAND Flash合約價 恐一路跌到年底

          • 市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,第4季各項NAND Flash終端需求確立旺季不旺,加上廠商庫存水位依舊偏高,采購意愿薄弱,
          • 關(guān)鍵字: NAND  Flash   

          如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn)

          • 如何用SmartPRO 6000糾正NAND Flash燒錄過程位反轉(zhuǎn),關(guān)于使用燒錄器燒錄Nand Flash,一直都是很多用戶頭疼的難點,他們強(qiáng)調(diào)已經(jīng)使用了正確的壞塊管理方案,也制定了規(guī)范的操作流程,但是燒錄的良品率還是無法提高,只能每天眼睜睜看著一盤盤“廢品”被燒錄器篩選出來!
          • 關(guān)鍵字: 燒錄  SmartPRO 6000  Nand Flash  
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