我們使用的智能手機(jī)除了有一個可用的空間(如蘋果8G、16G等)，還有一個RAM容量，很多人都不是很清楚，為什么需要二個這樣的芯片做存儲呢，這就是我們下面要講到的。這二種存儲設(shè)備我們都統(tǒng)稱為“FLASH”，F(xiàn)LASH是一種存儲芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地過程序可以修改數(shù)據(jù)，即平時所說的“閃存”。Flash又分為NAND flash和NOR flash二種。U盤和MP3里用的就是這種存儲器。

相“flash存儲器”經(jīng)?？梢耘c相“NOR存儲器”互換使用。許多業(yè)內(nèi)人士也搞不清楚NAND閃存技術(shù)相對于NOR技術(shù)的優(yōu)越之處，因為大多數(shù)情況下閃存只是用來存儲少量的代碼，這時NOR閃存更適合一些。而NAND則是高數(shù)據(jù)存儲密度的理想解決方案。NOR Flash 的讀取和我們常見的 SDRAM 的讀取是一樣，用戶可以直接運(yùn)行裝載在 NOR FLASH 里面的代碼，這樣可以減少 SRAM 的容量從而節(jié)約了成本。 NAND Flash 沒有采取內(nèi)存的隨機(jī)讀取技術(shù)，它的讀取是以一次讀取一塊的形式來進(jìn)行的， 通常是一次讀取 512 個字節(jié)，采用這種技術(shù)的 Flash 比較廉價。用戶 不能直接運(yùn)行 NAND Flash 上的代碼，因此好多使用 NAND Flash 的開發(fā)板除了使用 NAND Flah 以外，還作上了 一塊小的 NOR Flash 來運(yùn)行啟動代碼。

NOR flash是intel公司1988年開發(fā)出了NOR flash技術(shù)。NOR的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP, eXecute In Place)，這樣應(yīng)用程序可以直接在flash 閃存內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。NOR的傳輸效率很高，在1～4MB的小容量時具有很高的成本效益，但是很低的寫入和擦除 速度大大影響了它的性能。

Nand-flash內(nèi)存是flash內(nèi)存的一種，1989年，東芝公司發(fā)表了NAND flash結(jié)構(gòu)。其內(nèi)部采用非線性宏單元模式，為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了廉價有效的解決方案。Nand-flash存儲器具有容量較大，改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)，適用于大量數(shù)據(jù)的存儲，因而在業(yè)界得到了越來越廣泛的應(yīng)用，如嵌入式產(chǎn)品中包括數(shù)碼相機(jī)、MP3隨身聽記憶卡、體積小巧的U盤等。

NAND flash和NOR flash原理

一、存儲數(shù)據(jù)的原理

兩種閃存都是用三端器件作為存儲單元，分別為源極、漏極和柵極，與場效應(yīng)管的工作原理 相同，主要是利用電場的效應(yīng)來控制源極與漏極之間的通斷，柵極的 電流消耗極小，不同 的是場效應(yīng)管為單柵極結(jié)構(gòu)，而 FLASH 為雙柵極結(jié)構(gòu)，在柵極與硅襯底之間增加了一個浮 置柵極。[attach]158 [/attach]

浮置柵極是由氮化物夾在兩層二氧化硅材料之間構(gòu)成的，中間的氮化物就是可以存儲電荷的 電荷勢阱。上下兩層氧化物的厚度大于 50 埃，以避免發(fā)生擊穿。

二、浮柵的重放電

向數(shù)據(jù)單元內(nèi)寫入數(shù)據(jù)的過程就是向電荷勢阱注入電荷的過程，寫入數(shù)據(jù)有兩種技術(shù)，熱電 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效應(yīng)(Fowler Nordheim tunneling)，前一種是通過源 極給浮柵充電，后一種是通過硅基層給浮柵充電。NOR 型 FLASH 通過熱電子注入方式給浮 柵充電，而 NAND 則通過 F-N 隧道效應(yīng)給浮柵充電。

在寫入新數(shù)據(jù)之前，必須先將原來的數(shù)據(jù)擦除，這點(diǎn)跟硬盤不同，也就是將浮柵的電荷放掉， 兩種 FLASH 都是通過 F-N 隧道效應(yīng)放電。

三、0 和 1

這方面兩種 FLASH 一樣，向浮柵中注入電荷表示寫入了'0'，沒有注入電荷表示'1'，所以對 FLASH 清除數(shù)據(jù)是寫 1 的，這與硬盤正好相反;

對于浮柵中有電荷的單元來說，由于浮柵的感應(yīng)作用，在源極和漏極之間將形成帶正電的空 間電荷區(qū)，這時無論控制極上有沒有施加偏置電壓，晶體管都將處于 導(dǎo)通狀態(tài)。而對于浮 柵中沒有電荷的晶體管來說只有當(dāng)控制極上施加有適當(dāng)?shù)钠秒妷?，在硅基層上感?yīng)出電 荷，源極和漏極才能導(dǎo)通，也就是說在沒有給控制極施 加偏置電壓時，晶體管是截止的。 如果晶體管的源極接地而漏極接位線，在無偏置電壓的情況下，檢測晶體管的導(dǎo)通狀態(tài)就可 以獲得存儲單元中的數(shù)據(jù)，如果位線上的電平為低，說明晶體管處于 導(dǎo)通狀態(tài)，讀取的數(shù) 據(jù)為 0，如果位線上為高電平，則說明晶體管處于截止?fàn)顟B(tài)，讀取的數(shù)據(jù)為 1。由于控制柵 極在讀取數(shù)據(jù)的過程中施加的電壓較小或根本不施加 電壓，不足以改變浮置柵極中原有的 電荷量，所以讀取操作不會改變 FLASH 中原有的數(shù)據(jù)。

四、連接和編址方式

兩種 FLASH 具有相同的存儲單元，工作原理也一樣，為了縮短存取時間并不是對每個單元 進(jìn)行單獨(dú)的存取操作，而是對一定數(shù)量的存取單元進(jìn)行集體操作， NAND 型 FLASH 各存 儲單元之間是串聯(lián)的，而 NOR 型 FLASH 各單元之間是并聯(lián)的;為了對全部的存儲單元有 效管理，必須對存儲單元進(jìn)行統(tǒng)一編址。

NAND 的全部存儲單元分為若干個塊，每個塊又分為若干個頁，每個頁是 512byte，就是 512 個 8 位數(shù)，就是說每個頁有 512 條位線，每條位線下 有 8 個存儲單元;那么每頁存儲的數(shù) 據(jù)正好跟硬盤的一個扇區(qū)存儲的數(shù)據(jù)相同，這是設(shè)計時為了方便與磁盤進(jìn)行數(shù)據(jù)交換而特意 安排的，那么塊就類似硬盤的簇;容 量不同，塊的數(shù)量不同，組成塊的頁的數(shù)量也不同。 在讀取數(shù)據(jù)時，當(dāng)字線和位線鎖定某個晶體管時，該晶體管的控制極不加偏置電壓，其它的 7 個都加上偏置電壓 而導(dǎo)通，如果這個晶體管的浮柵中有電荷就會導(dǎo)通使位線為低電平， 讀出的數(shù)就是 0，反之就是 1。

NOR 的每個存儲單元以并聯(lián)的方式連接到位線，方便對每一位進(jìn)行隨機(jī)存取;具有專用的 地址線，可以實(shí)現(xiàn)一次性的直接尋址;縮短了 FLASH 對處理器指令的執(zhí)行時間。 五、性能

NAND flash和NOR flash的區(qū)別

一、NAND flash和NOR flash的性能比較

flash閃存是非易失存儲器，可以對稱為塊的存儲器單元塊進(jìn)行擦寫和再編程。任何flash器件的寫入操作只能在空或已擦除的單元內(nèi)進(jìn)行，所以大多數(shù)情況下，在進(jìn)行寫入操作之前必須先執(zhí)行擦除。NAND器件執(zhí)行擦除操作是十分簡單的，而NOR則要求在進(jìn)行擦除前先要將目標(biāo)塊內(nèi)所有的位都寫為0。由于擦除 NOR器件時是以64～128KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行一個寫入/擦除操作的時間為5s，與此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的塊進(jìn)行的，執(zhí)行相同的操作最多只需要4ms。執(zhí)行擦除時塊尺寸的不同進(jìn)一步拉大了NOR和NADN之間的性能差距，統(tǒng)計表明，對于給定的一套寫入操作(尤其是更新小文件時)，更多的擦除操作必須在基于NOR的單元中進(jìn)行。這樣，當(dāng)選擇存儲解決方案時，設(shè)計師必須權(quán)衡以下的各項因素。