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si-cmos 文章 進(jìn)入si-cmos技術(shù)社區(qū)
使用CMOS集成電路需注意的幾個(gè)問(wèn)題
- 集成電路按晶體管的性質(zhì)分為TTL和CMOS兩大類，TTL以速度見(jiàn)長(zhǎng)，CMOS以功耗低而著稱，其中CMOS電路以其優(yōu)良的特性成為目前應(yīng)用最廣泛的集成電路。在電子制作中使用CMOS集成電路時(shí)，除了認(rèn)真閱讀產(chǎn)品說(shuō)明或有關(guān)資料，了解其引腳分布及極限參數(shù)外，還應(yīng)注意以下幾個(gè)問(wèn)題： 1、電源問(wèn)題 (1)CMOS集成電路的工作電壓一般在3-18V，但當(dāng)應(yīng)用電路中有門電路的模擬應(yīng)用(如脈沖振蕩、線性放大)時(shí)，最低電壓則不應(yīng)低于4.5V。由于CMOS集成電路工作電壓寬，故使用不穩(wěn)壓的電源電路CMOS集成電路
- 關(guān)鍵字： CMOS 集成電路
一些常用的電平標(biāo)準(zhǔn)
- 現(xiàn)在常用的電平標(biāo)準(zhǔn)有TTL、CMOS、LVTTL、LVCMOS、ECL、PECL、LVPECL、RS232、RS485等，還有一些速度比較高的LVDS、GTL、PGTL、CML、HSTL、SSTL等。下面簡(jiǎn)單介紹一下各自的供電電源、電平標(biāo)準(zhǔn)以及使用注意事項(xiàng)。 TTL：Transistor-Transistor Logic 三極管結(jié)構(gòu)。 Vcc：5V;VOH>=2.4V;VOL<=0.5V;VIH>=2V;VIL<=0.8V。 因?yàn)?.4V與5V之間還有很大空閑
- 關(guān)鍵字： TTL，CMOS
CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求
- 簡(jiǎn)介：大部分的ESD電流來(lái)自電路外部，因此ESD保護(hù)電路一般設(shè)計(jì)在PAD旁，I/O電路內(nèi)部。典型的I/O電路由輸出驅(qū)動(dòng)和輸入接收器兩部分組成。ESD 通過(guò)PAD導(dǎo)入芯片內(nèi)部，因此I/O里所有與PAD直接相連的器件都需要建立與之平行的ESD低阻旁路，將ESD電流引入電壓線，再由電壓線分布到芯片各個(gè)管腳，降低ESD的影響。 引言 靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧 厚度越來(lái)越薄，芯片的面
- 關(guān)鍵字： CMOS ESD
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的
- 簡(jiǎn)介：不斷的思考，不斷的理解，不斷的總結(jié)!希望大家堅(jiān)持下去! 1、CS單管放大電路 共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】
- 關(guān)鍵字： CMOS MOSFET
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端的處理方法
- 簡(jiǎn)介：CMOS和TTL集成門電路在實(shí)際使用時(shí)經(jīng)常遇到這樣一個(gè)問(wèn)題，即輸入端有多余的，如何正確處理這些多余的輸入端才能使電路正常而穩(wěn)定的工作?本文給出了解決這個(gè)問(wèn)題的方法，供大家參考。 CMOS門電路 CMOS門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
TTL與CMOS電路的區(qū)別
- 簡(jiǎn)介：本文介紹了TTL電平和CMOS電平之間的區(qū)別以及使用注意事項(xiàng)等內(nèi)容。 TTL：雙極型器件，一般電源電壓 5V，速度快(數(shù)ns)，功耗大(mA級(jí))，負(fù)載力大，不用端多數(shù)不用處理。 CMOS：?jiǎn)渭?jí)器件，一般電源電壓 15V，速度慢(幾百ns)，功耗低，省電(uA級(jí))，負(fù)載力小，不用端必須處理。 CMOS 和 TTL 電平的主要區(qū)別在于輸入轉(zhuǎn)換電平。 CMOS：它的轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2，因?yàn)?CMOS 的輸入時(shí)互補(bǔ)的，保證了轉(zhuǎn)換電平是電源電壓的 1/2。 TTL：
- 關(guān)鍵字： TTL CMOS
CMOS和TTL集成門電路多余輸入端處理
- 一、CMOS門電路 CMOS 門電路一般是由MOS管構(gòu)成，由于MOS管的柵極和其它各極間有絕緣層相隔，在直流狀態(tài)下，柵極無(wú)電流，所以靜態(tài)時(shí)柵極不取電流，輸入電平與外接電阻無(wú)關(guān)。由于MOS管在電路中是一壓控元件，基于這一特點(diǎn)，輸入端信號(hào)易受外界干擾，所以在使用CMOS門電路時(shí)輸入端特別注意不能懸空。在使用時(shí)應(yīng)采用以下方法： 1、與門和與非門電路：由于與門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平，輸出信號(hào)就為低電平，只有全部為高電平時(shí)，輸出端才為高電平。而與非門電路的邏輯功能是輸入信號(hào)只要有低電平
- 關(guān)鍵字： CMOS TTL
我的一些數(shù)字電子知識(shí)總結(jié)（3）
- 簡(jiǎn)介：繼續(xù)把我在學(xué)習(xí)數(shù)字電路過(guò)程中的一些“細(xì)枝末節(jié)”小結(jié)一下，和大家共享。 1、在數(shù)字電路中，BJT一般工作在截止區(qū)或飽和區(qū)，放大區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)轉(zhuǎn)瞬即逝的過(guò)程，這個(gè)過(guò)程越長(zhǎng)，說(shuō)明它的動(dòng)態(tài)性能越差;同理，CMOS管也是只工作在截止區(qū)或可變電阻區(qū)，恒流區(qū)的經(jīng)歷只是一個(gè)非常短暫的過(guò)程。因?yàn)槲覀冃枰氖谴_切的0、1值，不能過(guò)于“含糊”，否則數(shù)字系統(tǒng)內(nèi)門電路之間的抗干擾性能會(huì)大打折扣! 2、數(shù)字IC內(nèi)部很多門電路一般都是把許多CMOS管并聯(lián)起來(lái)，這樣
- 關(guān)鍵字： CMOS BJT
學(xué)習(xí)總結(jié)之電路是計(jì)算出來(lái)的
- 1、CS單管放大電路 共源級(jí)單管放大電路主要用于實(shí)現(xiàn)輸入小信號(hào)的線性放大，即獲得較高的電壓增益。在直流分析時(shí)，根據(jù)輸入的直流柵電壓即可提供電路的靜態(tài)工作點(diǎn)，而根據(jù)MOSFET的I-V特性曲線可知，MOSFET的靜態(tài)工作點(diǎn)具有較寬的動(dòng)態(tài)范圍，主要表現(xiàn)為MOS管在飽和區(qū)的VDS具有較寬的取值范圍，小信號(hào)放大時(shí)輸入的最小電壓為VIN-VTH，最大值約為VDD，假設(shè)其在飽和區(qū)可以完全表現(xiàn)線性特性，并且實(shí)現(xiàn)信號(hào)的最大限度放大【理想條件下】，則確定的靜態(tài)工作點(diǎn)約為VDS=(VIN-VTH+VDD)/2，但是
- 關(guān)鍵字： CMOS 電路
CMOS傳感3D-IC產(chǎn)能拉升 晶圓級(jí)封裝設(shè)備需求增
- 微機(jī)電(MEMS)/奈米技術(shù)/半導(dǎo)體晶圓接合暨微影技術(shù)設(shè)備廠商EVGroup(EVG)今日宣布，該公司全自動(dòng)12吋(300mm)使用聚合物黏著劑的晶圓接合系統(tǒng)目前市場(chǎng)需求殷切，在過(guò)去12個(gè)月以來(lái)，EVG晶圓接合系列產(chǎn)品包含EVG560、GEMINI以及EVG850TB/DB等訂單量增加了一倍，主要來(lái)自于晶圓代工廠以及總部設(shè)置于亞洲的半導(dǎo)體封測(cè)廠(OSAT)多臺(tái)的訂單;大部份訂單需求的成長(zhǎng)系受惠于先進(jìn)封裝應(yīng)用挹注，制造端正加速生產(chǎn)CMOS影像感測(cè)器及結(jié)合2.5D和3D-IC矽穿孔(TSV)互連技術(shù)的垂直
- 關(guān)鍵字： CMOS 3D-IC
ams在光電子領(lǐng)域推出More Than Silicon計(jì)劃
- 全球領(lǐng)先的高性能模擬IC和傳感器供應(yīng)商ams晶圓代工業(yè)務(wù)部今日宣布拓展其0.35µm CMOS光電子IC晶圓制造平臺(tái)，幫助芯片設(shè)計(jì)者實(shí)現(xiàn)更高靈敏度、精確度以及更好的光濾波器性能。 該平臺(tái)是ams“More than Silicon”計(jì)劃中的另一項(xiàng)拓展，通過(guò)該平臺(tái)ams可以提供一系列技術(shù)模塊、知識(shí)產(chǎn)權(quán)、元件庫(kù)、工程咨詢及服務(wù)，利用其專業(yè)技術(shù)幫助客戶順利開(kāi)發(fā)先進(jìn)的模擬和混合信號(hào)電路。 ams專有的光電子晶圓代工平臺(tái)基于先進(jìn)的0.35µm CMOS
- 關(guān)鍵字： ams CMOS
全球CMOS芯片占比排名表 竟然沒(méi)有中國(guó)企業(yè)
- 日本調(diào)查公司Techno Systems Research Co. Ltd發(fā)布了CCM行業(yè)的研究報(bào)告，在該份報(bào)告中，全球CMOS芯片的市場(chǎng)占比和排名情況。 從上圖可以看出： Sony(索尼)：2014年下半年占23%，2015年上半年占比為28%，銷量上升強(qiáng)勁，穩(wěn)居全球CMOS市場(chǎng)銷售之龍頭;近日，索尼公布第2季度圖像傳感器收入暴增61.7%，達(dá)1260億日元。索尼預(yù)計(jì)全年達(dá)到5800億日元，幾乎是第二名的3倍。索尼在CMOS市場(chǎng)上走強(qiáng)，得益于它在高像素領(lǐng)域的技
- 關(guān)鍵字： 索尼 CMOS
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