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ams收購恩智浦半導體公司CMOS傳感器業(yè)務
- 領先的高性能模擬IC和傳感器供應商ams(艾邁斯)近日宣布收購恩智浦半導體公司CMOS傳感器業(yè)務。收購完成后，恩智浦公司旗下先進的CMOS集成傳感器產(chǎn)品將全部納入ams旗下，有效拓展ams環(huán)境傳感器產(chǎn)品線。CMOS集成傳感器可在單一傳感器裝置內(nèi)同時測量相對濕度、壓力和溫度等多種環(huán)境參數(shù)。 ams市場營銷和策略執(zhí)行副總裁Thomas Riener表示：“環(huán)境傳感器可通過監(jiān)測氣味、壓力和溫度等信息模擬人體行為，提高人類對周邊環(huán)境的敏感度。通過使用電子設備獲取這些信息后，我們可以主動高效地
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聯(lián)華電子TSV技術(shù)進入量產(chǎn)階段，驅(qū)動AMD Radeon R9 Fury X GPU絕佳效能
- 聯(lián)華電子今(20)日宣布，用于AMD旗艦級繪圖卡Radeon™ R9 Fury X的聯(lián)華電子硅穿孔 (TSV) 技術(shù)，已經(jīng)進入量產(chǎn)階段，此產(chǎn)品屬于AMD近期上市的Radeon™ R 300 繪圖卡系列。AMD Radeon™ R9 Fury X GPU採用了聯(lián)華電子TSV 製程以及晶粒堆疊技術(shù)，在硅中介層上融合 連結(jié) AMD提供的HBM DRAM高頻寬記憶體及GPU，使其GPU能提供4096 位元的超強記憶體頻寬，及遠超出現(xiàn)今GDDR5業(yè)界標準達4倍的每瓦性能
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豪威“中國化”對圖像傳感器行業(yè)有何影響？
- 2015年對CMOS圖像傳感器(CIS：CMOS Image Sensor)行業(yè)來說，是變動比較大的一年。Yole Developpement(以下簡稱Yole)的報告《2015年CMOS圖像傳感器行業(yè)動向(Status of the CMOS image sensor industry 2015)》顯示，CIS市場今年將達到100億美元。另外，索尼為支撐自己的技術(shù)優(yōu)勢和業(yè)績出色的蘋果產(chǎn)品戰(zhàn)略而實施的產(chǎn)能投資收到成效，獲得三分之一以上的市場份額，有在整個智能手機行業(yè)獨領風騷之勢。 而索尼的競爭對
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微光CMOS圖像傳感器讀出電路設計
- 當前固體微光器件以EBCCD及EMCCD器件為主，隨著CMOS工藝及電路設計技術(shù)的發(fā)展，微光CMOS圖像傳感器的性能在不斷提高，通過采用專項技術(shù)，微光CMOS圖像傳感器的性能已接近EMCCD的性能，揭開了CMOS圖像傳感器在微光領域應用的序幕。隨著對微光CMOS圖像傳感器研究的進一步深入，在不遠的未來，微光CMOS圖像傳感器的性能將達到夜視應用要求，在微光器件領域占據(jù)重要地位。 讀出電路是微光CMOS圖像傳感器的重要組成部分，它的基本功能是將探測器微弱的電流、電壓或電阻變化轉(zhuǎn)換成后續(xù)信號處理電路
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風雨欲來，CMOS圖像傳感器產(chǎn)業(yè)變局已現(xiàn)
- CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應用推助下持續(xù)向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%。看好此一商機，中小型CIS晶片商正競相展開技術(shù)布局，期進一步擴大市場占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現(xiàn)今CIS市場應用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應用需求已
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CMOS影像傳感器市場釀重整，汽車/醫(yī)療/安全監(jiān)控新商機浮現(xiàn)
- CMOS影像感測器(CIS)市場近年因智慧型手機大幅成長，未來則可望在汽車、醫(yī)療和安控等嵌入式應用推助下持續(xù)向上攀升，預期2014～2020年復合年均成長率將高達10.6%?？春么艘簧虣C，中小型CIS晶片商正競相展開技術(shù)布局，期進一步擴大市場占有率。 CMOS影像感測器(CMOS Image Sensor, CIS)市場即將風云變色，眾家廠商為卡位新商機，可謂八仙過海、各顯神通。Yole Developpement指出，智慧型手機雖占現(xiàn)今CIS市場應用大宗，但汽車、醫(yī)療和安全監(jiān)控等新興應用需求已
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IBM以標準CMOS制程打造三五族FinFET
- 整體半導體產(chǎn)業(yè)正在嘗試找到一種方法，不需要從矽基板轉(zhuǎn)換而利用砷化銦鎵(InGaAs)的更高電子遷移率，包括英特爾(Intel)與三星(Samsung);而IBM已經(jīng)展示了如何利用標準CMOS制程技術(shù)來達成以上目標。 上個月IBM展示了一種將三五族(III-V)砷化銦鎵化合物放到絕緣上覆矽(SOI)晶圓的技術(shù)，現(xiàn)在該公司有另一個研究團隊則是聲稱發(fā)現(xiàn)了更好的方法，采用標準塊狀矽晶圓并制造出矽上砷化銦鎵證實其可行性。 IBMResearch先進功能材料部門經(jīng)理、CMOS專家JeanFompeyr
- 關(guān)鍵字： IBM CMOS
有關(guān)混合信號的技術(shù)方案及應用文獻，包括示波器、信號調(diào)節(jié)器等
- 混合信號，一種說法是未來的系統(tǒng)將是大型的混合信號系統(tǒng)，它所占的比例將會增加一倍，從目前的33%到2005年的66%;另一種說法是每一部份都是建立在超深次微米CMOS上的大型數(shù)位晶片，將來的ASICs會用到多達一千五百萬個邏輯們，而類比和混合信號電路將會被留在晶片之外。 RF和混合信號設計的藝術(shù)與科學 設計和生產(chǎn)混合信號IC不是件易事，尤其是包含RF功能時尤為如此。之所以存在如此大規(guī)模獨立的模擬和分立IC市場，是因為模擬與數(shù)字IC相結(jié)合不是一個簡單、明了的過程。模擬和RF設計一直被認為是&l
- 關(guān)鍵字： ASICs CMOS
基于電荷泵改進型CMOS模擬開關(guān)電路
- 當前VLSI技術(shù)不斷向深亞微米及納米級發(fā)展，模擬開關(guān)是模擬電路中的一個十分重要的原件，由于其較低的導通電阻，極佳的開關(guān)特性以及微小封裝的特性，受到人們的廣泛關(guān)注。模擬開關(guān)導通電阻的大小直接影響開關(guān)的性能，低導通電阻不僅可以降低信號損耗而且可以提高開關(guān)速度。要減小開關(guān)導通電阻，可以通過采用大寬長比的器件和提高柵源電壓的方法，可是調(diào)節(jié)器件的物理尺寸不可避免地會帶來一些不必要的寄生效應，比如增大器件的寬度會增加器件面積進而增加柵電容，脈沖控制信號會通過電容耦合到模擬開關(guān)的輸入和輸出，在每個開關(guān)周期其充放電過
- 關(guān)鍵字： CMOS 模擬開關(guān)
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