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舞臺功放MOS管改裝介紹

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：介紹改裝 MOS 功放舞臺

英飛凌推出抗輻射加固型MOS開關(guān)器件

英飛凌科技推出其首個專用于空間和航空應(yīng)用而設(shè)計的電源開關(guān)器件。全新BUY25CSXX系列抗輻射加固型(RH)功率MOS器件擁有出類拔萃的性能，可支持面向空間應(yīng)用的高能效電源調(diào)理和電源系統(tǒng)設(shè)計。
關(guān)鍵字：英飛凌 MOS

舞臺功放MOS管改裝電路圖及方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
關(guān)鍵字：電路圖方法改裝 MOS 功放舞臺

基于C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因為TTL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
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無比型動態(tài)MOS反相器

無比型動態(tài)MOS反相器
關(guān)鍵字：動態(tài) MOS 反相器

采用C-MOS與非門的發(fā)光二極管脈沖驅(qū)動電路及工作原理分析

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
關(guān)鍵字：電路工作原理分析驅(qū)動脈沖 C-MOS 與非門發(fā)光二極管

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路

采用C-MOS轉(zhuǎn)換器的石英晶體振蕩電路電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品 ...
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

可設(shè)定10~100秒的長時間C-MOS定時電路及工作原理

電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：工作原理電路定時時間 C-MOS 設(shè)定

V-MOS管測試

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羅姆與APEI聯(lián)合開發(fā)出SiC溝槽MOS模塊

日本知名半導(dǎo)體制造商羅姆株式會社(總部：日本京都市)日前面向EV、HEV車(電動汽車、混合動力車)及工業(yè)設(shè)備，與擁有電力系統(tǒng)和電源封裝技術(shù)的Arkansas Power Electronics International(APEI)公司聯(lián)合開發(fā)出搭載了SiC溝槽MOS的高速、大電流模塊“APEI　HT2000”。該模塊一改傳統(tǒng)的Si模塊的設(shè)計，由于最大限度地利用了SiC器件的特點(diǎn)，從而大幅改善了電氣特性、機(jī)械特性，同時實現(xiàn)了超小型化、輕量化、高效化，在SiC模塊的普及上邁出了巨大的一步。
關(guān)鍵字：羅姆 SiC MOS

MOS場效應(yīng)管逆變器自制

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管。該變壓器的工作原理及制作過程：　　　　圖1　　工作原理　　一、方波的產(chǎn)生　　這里采用CD4069構(gòu)成方波信號發(fā)生器。電路中R1是補(bǔ)償電阻，用于改善由于電源電壓的變化而
關(guān)鍵字：自制逆變器效應(yīng) MOS

高性能、可高壓直接驅(qū)動MOS的LLC控制器—NCP1396A/B

NCP1396A/B為NCP1395的改進(jìn)型。它包括一個最高500kHZ的壓控振蕩器，在必需懸浮驅(qū)動功能時齙控制模式有很大...
關(guān)鍵字：光耦可調(diào) 死區(qū)時間 MOS

MOS管短溝道效應(yīng)及其行為建模

1　引　言　　目前,實現(xiàn)微電路最常用的技術(shù)是使用MOS晶體管。隨著科學(xué)技術(shù)的發(fā)展,集成電路的集成密度不斷地在提高,MOS晶體管器件的尺寸也逐年縮小, 當(dāng)MOS管的溝道長度小到一定值之后,出現(xiàn)的短溝道效應(yīng)將對器件的特性
關(guān)鍵字：行為建模及其效應(yīng) 管短溝 MOS

電源變壓器的MOS場效應(yīng)管逆變器制作

這里介紹的逆變器(見圖1)主要由MOS場效應(yīng)管，普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場效應(yīng)管和電源變壓器的功率，免除了煩瑣的變壓器繞制，適合電子愛好者業(yè)余制作中采用。下面介紹該變壓器的工作原理及制作過程。
關(guān)鍵字：逆變器制作效應(yīng) MOS 變壓器電源

舞臺功放MOS管改裝方法

以O(shè)DL牌QSA-2400專業(yè)功放為例(電路見中圖)。改裝后對應(yīng)電路見下圖。由于MOS管與三極管驅(qū)動電壓差異。為了保證電壓推動管靜態(tài)工作點(diǎn)基本保持不變，要重新選擇R26和R27的阻值。Q22三極管原發(fā)射極電阻上的電壓為3V.現(xiàn)改
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