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基于MOS開關(guān)的高頻高壓脈沖源中電磁兼容問題研究

摘要：本文研究了基于MOS固態(tài)開關(guān)的高頻高壓脈沖源中的電磁兼容問題，通過分析其干擾信號頻譜分布及傳播路徑，制定了以屏蔽和濾波為主的電磁兼容方案，最終實(shí)現(xiàn)了重復(fù)頻率80kHz，4kV脈沖源，實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了電磁兼容措施的
關(guān)鍵字：電磁兼容問題研究脈沖高壓 MOS 開關(guān) 高頻基于

現(xiàn)在的MOS驅(qū)動，有幾個特別的應(yīng)用1、低壓應(yīng)用當(dāng)使用5V電源，這時候如果使用傳統(tǒng)的圖騰柱結(jié)構(gòu)，由于...
關(guān)鍵字： MOS

在使用MOS管設(shè)計開關(guān)電源或者馬達(dá)驅(qū)動電路的時候，大部分人都會考慮MOS的導(dǎo)通電阻，最大電壓等，最大電流等，也有很...
關(guān)鍵字： MOS

本文詳細(xì)分析計算開關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開通過程和自然零電壓關(guān)斷的過程，從而使電子工程師知...
關(guān)鍵字： mos/開關(guān)損耗

對于一位開關(guān)電源工程師來說，在一對或多對相互對立的條件面前做出選擇，那是常有的事。而我們今天討論的這個話題就是一對相互對立的條件。（即要限制主MOS管最大反峰，又要RCD吸收回路功耗最?。? 在討論前我們先做
關(guān)鍵字：吸收回路 RCD 管反峰設(shè)計 MOS 開關(guān)電源

MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同，但特性極為相似，N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型，可在許多電路中代替J-FET，如圖5.4-97所示，電路用MOS-FET代替J-FET更簡單，如釁5.4-100所示短路開關(guān)對應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個電路
關(guān)鍵字： MOS-FET 開關(guān)電路

電路的功能如使用發(fā)光二極管直流發(fā)光，正向偏流只能在數(shù)10MA以下，允以獲得大的發(fā)光輸出，若采用縮小導(dǎo)通時的占空比，則可獲得大的峰值電流。本電路發(fā)光頻率為1KHZ，脈沖載頻為38KHZ，受發(fā)光電路很容易分辯外來光。電
關(guān)鍵字：驅(qū)動電路脈沖發(fā)光二極管 C-MOS 與非門采用

電路的功能近來出現(xiàn)了把TTL器件換成C-MOS器件的趨勢，而且74HC系列產(chǎn)品也得到了進(jìn)一步的充實(shí)。用2級TTL構(gòu)成的時鐘振蕩電路已可用C-MOS IC構(gòu)成的振蕩電路替代，因?yàn)門TL IC如果置偏電阻等元件參數(shù)選擇不當(dāng)，容易停振或
關(guān)鍵字： C-MOS 轉(zhuǎn)換器石英晶體振蕩電路

電路的功能若要用555芯片組成長時間定時電路，R用高阻值，便可加長CR時間常數(shù)，但是，由于內(nèi)部比較器的輸入偏流較大，難以充電到門限電壓，比較器無法驅(qū)動，為此，本電路采用了偏流非常小的C-MOS定時器芯片，選用高阻
關(guān)鍵字：電路定時 C-MOS 時間設(shè)定

　　2008年，受到全球半導(dǎo)體市場衰退的影響，中國集成電路產(chǎn)業(yè)由前幾年的較快增長轉(zhuǎn)變?yōu)橄禄?。盡管中國以內(nèi)需市場為主的集成電路設(shè)計業(yè)仍實(shí)現(xiàn)了一定增長，但嚴(yán)重依賴出口的芯片制造和封測行業(yè)下滑嚴(yán)重。市場的變化和利潤的減少迫使企業(yè)不斷創(chuàng)新，知識產(chǎn)權(quán)問題將變得更加重要。作為集成電路行業(yè)特殊的知識產(chǎn)權(quán)保護(hù)形式，集成電路布圖設(shè)計登記應(yīng)得到更多的關(guān)注。　　最近，中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會知識產(chǎn)權(quán)工作部和上海硅知識產(chǎn)權(quán)交易中心聯(lián)合推出中國集成電路布圖設(shè)計登記2008年度報告，本期刊登部分節(jié)選，供業(yè)界研究參考。　　本報告數(shù)據(jù)
關(guān)鍵字： NEC MOS 集成電路布圖設(shè)計