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東芝開發(fā)嵌入式SRAM低功耗技術(shù)智能手機
- 東芝公司已經(jīng)宣布了一項新的突破,應用于嵌入式硬件的智能手機和移動產(chǎn)品市場。東芝公司已經(jīng)宣布成功研究了一個新的低功耗的嵌入式SRAM技術(shù)。新技術(shù)有望延長智能手機和其他設(shè)備的電池壽命。東芝表示,新的技術(shù)通過功率計算器和數(shù)字化控制減少設(shè)備運行溫度從常溫到高溫時的損耗,以路的主電源和備用電源的長時間運行。 在25°C,這項新技術(shù)在設(shè)備運行時可節(jié)省約85%的損耗,而在設(shè)備待機時間可以節(jié)省約27%的的損耗。東芝公司已經(jīng)在2013年在舊金山國際固態(tài)電路會議上展示這項新技術(shù)。
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SRAM外部數(shù)據(jù)存儲器擴展實驗
- 一、實驗目的1.掌握89C51單片機擴展外RAM的方法2.了解靜態(tài)RAM使用方法二、實驗說明MCS-51型單片機內(nèi)有1 ...
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Microchip推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件
- Microchip Technology Inc.(美國微芯科技公司)宣布,推出四款業(yè)內(nèi)容量最大、速度最快的新器件,擴展了其串行SRAM產(chǎn)品組合。這些器件還是業(yè)內(nèi)首批5V工作的產(chǎn)品,廣泛適用于汽車和工業(yè)應用。這些512 Kb和1 Mb SPI器件保持了產(chǎn)品組合的低功耗和小型8引腳封裝,成本較低,10,000片起批量供應。通過四路SPI或SQI協(xié)議可實現(xiàn)高達80 Mbps的速度,為卸載圖形、數(shù)據(jù)緩沖、數(shù)據(jù)記錄、顯示、數(shù)學、音頻、視頻及其他數(shù)據(jù)密集型功能提供所需的近乎瞬時數(shù)據(jù)傳送及零寫入時間。
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sram介紹
SRAM是英文Static RAM的縮寫,它是一種具有靜止存取功能的內(nèi)存,不需要刷新電路即能保存它內(nèi)部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內(nèi)存那樣需要刷新電路,每隔一段時間,固定要對DRAM刷新充電一次,否則內(nèi)部的數(shù)據(jù)即會消失,因此SRAM具有較高的性能,但是SRAM也有它的缺點,即它的集成度較低,相同容量的DRAM內(nèi)存可以設(shè)計為較小的體積,但是SRAM卻需要很大的體積,所以在主板上SRAM存儲器要占用一 [ 查看詳細 ]
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