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          東芝發(fā)布40nm工藝SoC用低電壓SRAM技術
          
                                                            
            
                    	
          • 　　東芝在“2010 Symposium on VLSI Technology”(2010年6月15～17日，美國夏威夷州檀香山)上，發(fā)布了采用09年開始量產的40nm工藝SoC的低電壓SRAM技術。該技術為主要用于便攜產品及消費類產品的低功耗工藝技術。通過控制晶體管閾值電壓的經時變化，可抑制SRAM的最小驅動電壓上升。東芝此次證實，單元面積僅為0.24μm2的32Mbit SRAM的驅動電壓可在確保95%以上成品率的情況下降至0.9V。因此，低功耗SoC的驅動電壓可從65n
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          • 關鍵字：
                        東芝  40nm  SoC  SRAM                          
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          賽普拉斯推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非?？斓捻憫獣r間和最小化的封裝尺寸。目標應用領域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。

　　CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48
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          • 關鍵字：
                        Cypress  SRAM                          
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          Intel繼續(xù)提高緩存密度 FBC有望取代SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　由于架構方面的需要，Intel處理器通常都配備有大容量緩存，比如Core 2 Quad四核心曾有12MB二級緩存、雙核心Itanium曾有24MB三級緩存?，F(xiàn)在，Intel又準備繼續(xù)提高緩存密度了，而且有意使用新的緩存類 型。2010年度超大規(guī)模集成電路技術研討會即將于下月5-7日舉行，Intel將會通過兩個主題演講，介紹他們在處理器緩存技術上的最新研究成果，特 別是有望取代現(xiàn)有SRAM的“浮體單元”(Floating Body Cell/FBC)。
　　SRAM和eSRAM
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          • 關鍵字：
                        Intel  SRAM                          
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          Maxim推出具有無痕跡存儲器和篡改檢測功能的安全管理器
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　Maxim推出帶有1024字節(jié)無痕跡存儲器的安全管理器DS3644，可安全存儲敏感數(shù)據(jù)。器件內部的篡改監(jiān)測器能夠有效抵御時鐘、電信號和溫度篡改事件，還可將篡改檢測輸入連接至外部傳感器，實現(xiàn)靈活的定制特性。片內無痕跡存儲器允許終端用戶在發(fā)生特定篡改事件時有選擇地清除存儲器數(shù)據(jù)。這種具有專利保護的存儲器架構*能夠確保在發(fā)生篡改事件時立即擦除數(shù)據(jù)，從而提高了基于SRAM存儲器的系統(tǒng)安全等級。DS3644能夠滿足政府設施、軍事系統(tǒng)等高安全等級應用的要求，適用于需要監(jiān)測多種篡改操作的系統(tǒng)。
　　DS3644能
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          • 關鍵字：
                        Maxim  存儲器  SRAM  DS3644                          
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          MIPS和Virage Logic結成合作伙伴提供優(yōu)化嵌入式內存IP
          
                                                            
            
                    	
          • 　　為數(shù)字消費、家庭網(wǎng)絡、無線、通信和商業(yè)應用提供業(yè)界標準處理器架構與內核的領導廠商美普思科技公司和備受半導體業(yè)界信賴的IP伙伴Virage Logic 共同宣布，雙方將結成合作伙伴關系為兩家公司的共同客戶提供優(yōu)化嵌入式內存IP。Virage 的Logic ASAP 90nm SRAM內存實體(memory instance)以及 SiWareTM 65GP高密度SRAM編譯器(SRAM compiler) 系列產品專為MIPS32處理器而優(yōu)化，以協(xié)助客戶加速為藍光DVD、HDTV、IPTV、機頂盒和寬帶
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          • 關鍵字：
                        MIPS  SRAM  嵌入式內存                          
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          TPACK與Cypress聯(lián)手為以太網(wǎng)交換和流量管理提供參考設計
          
                                                            
            
                    	
          • 　　SRAM行業(yè)的領導者賽普拉斯，與領先的核心數(shù)據(jù)傳輸及交換功能IC的供應商TPACK日前聯(lián)合宣布，為超高速以太網(wǎng)交換和排隊管理應用推出一款參考設計。全新的Springbank參考設計結合了TPACK的 TPX4004高容量集成包處理器和流量管理器，以及賽普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，從而能提供最快的速度，并且未來升級非常簡單。TPACK參考設計還提供對各類FPGA的便捷接口，擁有強大的應用支持
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          • 關鍵字：
                        Cypress  SRAM  65nm                           
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          為什么存儲器是產業(yè)的風向標
          
                                                            
            
                    	
          • 　　存儲器通常包括DRAM，NAND，NOR及SRAM。在半導體業(yè)中經常分成兩類，DRAM及閃存類。由于其兩大特征，能大量生產以及應用市場面寬，使其半導體業(yè)中有獨特的地位。業(yè)界有人稱它為半導體業(yè)的風向標。
　　縱觀DRAM發(fā)展的歷史，幾乎每8至10年一次大循環(huán)，最終一定有大型的存儲器廠退出，表示循環(huán)的結束。如1980年代的TI及IBM等退出;1990年代的東芝，日立及NEC退出，如今2000年代的奇夢達最先退出。奇夢達的退出使市場少了10萬片的月產能。
　　在全球硅片尺寸轉移中，存儲器也是走在前列，如
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM  NAND  NOR  SRAM                          
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          臺灣研出16納米SRAM技術 使電子設備更輕薄
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣科研機構今天宣布,開發(fā)出全球第一個16納米的SRAM新組件,由于可容納晶體管是現(xiàn)行45納米的10倍,這可使未來電子設備更輕薄.
　　臺“國研院”成功開發(fā)出16納米SRAM新組件,主要是創(chuàng)新3項關鍵技術,包括“納米噴印成像技術”、“320度低溫微波活化”及“N型鍺組件研究”;由于相較傳統(tǒng)微影光學成像技術,不需使用到光阻及光罩,預估也可省下每套新臺幣2億元的光罩費用.
　　該研究機構上午舉行&ldquo
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          • 關鍵字：
                        16納米  SRAM  45納米                          
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          Linux下Cold Fire 片內SRAM的應用程序優(yōu)化設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          •     本文以MP3解碼器為例，介紹了一種在嵌入式Linux系統(tǒng)下配置使用處理器片內SRAM的應用方案，有效提高了代碼的解碼效率，降低了執(zhí)行功耗。該方案不論在性能還是成本上都得到了很大改善。
            1 硬件平臺和軟件架構
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          • 關鍵字：
                        應用程序  優(yōu)化  設計  SRAM  片內  Cold  Fire  Linux  音頻                          
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          賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　SRAM行業(yè)的領先者賽普拉斯半導體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產品成為其65納米SRAM產品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術，由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產。該產品擁有市場上最快的時鐘，速率可達550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)據(jù)率達到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
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          • 關鍵字：
                        Cypress  65納米  SRAM                          
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          便攜消費市場FPGA正部分取代ASIC
          
                                                            
            
                    	
          • 　　傳統(tǒng)型FPGA基本具備高性能、傳輸速度快的特點，因此這些產品都具有DSP(數(shù)字信號處理)和高速傳輸I/O接口。它們主要滿足基站、工控、醫(yī)療等市場對高速產品的需求。SiliconBlue的產品定位與上述傳統(tǒng)型FPGA不同。我們強調生產針對便攜消費電子市場的低功耗產品。
　　傳統(tǒng)的FPGA企業(yè)在低功耗市場上推出的都是密度非常小的器件，只能滿足非常簡單的邏輯應用，而且即使他們在這方面有系列產品，產品線相對來說仍然不很完整。而SiliconBlue看準這一市場，提供完整的產品線。
　　市場上一些新興FPG
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          • 關鍵字：
                        FPGA  DSP  65納米  SRAM                          
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          臺積電28納米SRAM良率突破
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺積電24日宣布率業(yè)界之先，不但達成28納米64Mb SRAM試產良率，而且分別在28納米高效能高介電層/金屬閘(簡稱28HP)、低耗電高介電層/金屬閘(簡稱28HPL)與低耗電氮氧化硅(簡稱28LP)等28納米全系列工藝驗證均完成相同的良率。
　　臺積電研究發(fā)展副總經理孫元成博士表示：“所有三種28納米系列工藝皆已由64Mb SRAM芯片完成良率驗證，是一項傲人的成就。更值得一提的是，此項成果亦展現(xiàn)我們兩項高介電層/金屬閘(High-k Metal Gate)工藝采用gate-last
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          • 關鍵字：
                        臺積電  28納米  SRAM                          
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          全球首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元研制成功
          
                                                            
            
                    	
          • 　　美國IBM公司、AMD以及紐約州立大學Albany分校的納米科學與工程學院(CNSE)等機構共同宣布，世界上首個22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元(SRAM)研制成功。這也是全世界首次宣布在300毫米研究設備環(huán)境下，制造出有效存儲單元。
　　22納米節(jié)點靜態(tài)存儲單元SRAM芯片是更復雜的設備，比如微處理器的“先驅”。SRAM單元的尺寸更是半導體產業(yè)中的關鍵技術指標。最新的SRAM單元利用傳統(tǒng)的六晶體管設計，僅占0.1平方微米，打破了此前的SRAM尺度縮小障礙。
　　新的研究工作是在紐
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          • 關鍵字：
                        IBM  SRAM  22納米  32納米                          
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          瑞薩推出高速SRAM*1產品系列
          
                                                            
            
                    	
          • 　　瑞薩科技公司(以下簡稱“瑞薩”)宣布推出面向新一代通信網(wǎng)絡內高端路由器和交換機使用的高速SRAM*1產品系列。這些SRAM產品不僅符合QDR聯(lián)盟*2行業(yè)標準要求，還實現(xiàn)了72Mb四倍數(shù)據(jù)速率II+(QDRTM II+)和雙數(shù)據(jù)速率II+(DDRII+)的業(yè)內最高工作速度，并且包含72Mb QDRII和DDRII SRAM器件。整個器件系列(具有多種速度和配置)將于2009年8月在日本開始陸續(xù)進行銷售。
　　新產品特性如下：
　　(1) 業(yè)內最高的工作速度：533 MHz(Q
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          • 關鍵字：
                        瑞薩  SRAM  DDRII                          
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          臺積電率先推出28納米低耗電平臺
          
                                                            
            
                    	
          • 　　臺灣積體電路制造股份有限公司今(17)日宣布領先專業(yè)積體電路制造服務領域，成功開發(fā)28納米低耗電技術，同時配合雙/三閘極氧化層(dual/triple gate oxide)工藝，將32納米工藝所使用的氮氧化硅(Silicon Oxynitride，SiON))/多晶硅(poly Si)材料延伸至28納米工藝，使得半導體可以持續(xù)往先進工藝技術推進。此一工藝技術的優(yōu)勢還包括高密度與低Vcc_min六電晶體靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)元件、低漏電電晶體、已通過驗證的傳統(tǒng)類比/射頻/電子熔線(analog
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                        臺積電  SRAM  28納米  低耗電  氮氧化硅  多晶硅                          
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          sram介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	　　SRAM是英文Static RAM的縮寫，它是一種具有靜止存取功能的內存，不需要刷新電路即能保存它內部存儲的數(shù)據(jù)。不像DRAM內存那樣需要刷新電路，每隔一段時間，固定要對DRAM刷新充電一次，否則內部的數(shù)據(jù)即會消失，因此SRAM具有較高的性能，但是SRAM也有它的缺點，即它的集成度較低，相同容量的DRAM內存可以設計為較小的體積，但是SRAM卻需要很大的體積，所以在主板上SRAM存儲器要占用一		      	[ 查看詳細 ]
		      			      	
          
    		
          
  		
          
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		  		  		
  		            
        		  		
  		  		
          
    		
          
      			
          
        			
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