MRAM市場可能會在明年開始變得越來越“擁擠”──開發(fā)OST-MRAM (Orthogonal Spin Transfer MRAM)技術的美國業(yè)者Spin Transfer Technologies (STT)日前宣布在自家研發(fā)晶圓廠制作出僅20奈米的垂直MRAM磁穿隧接面(perpendicular magnetic tunnel junction，pMTJ)，其目標是在明年第一季開始提供其MRAM樣品，并在2018年讓產品正式上市。
STT執(zhí)行長Barry Hobe
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STT MRAM
三星電子(SamsungElectronics)與IBM攜手研發(fā)出11納米制程的次世代存儲器自旋傳輸(SpinTransferTorque)磁性存儲器(STT-MRAM)。兩家公司也表示，預計在3年內展開MRAM量產，也引起了業(yè)界高度的注目。
韓媒指出，STT-MRAM是可望取代傳統DRAM、SRAM的新世代存儲器技術。與目前的NANDFlash相比，寫入速度快上10萬倍，而讀取速度則是快上接近10倍。由于STT-MRAM只要透過少量電力就可以驅動的非揮發(fā)性存儲器，不使用時也完全不需要電力。
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三星 MRAM
SamsungFoundry準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
三星晶圓代工業(yè)務(SamsungFoundry)準備開始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM(spintorquetransfermagneticRAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項。
SamsungFoundry行銷暨業(yè)務開發(fā)負責人KelvinLow在接受EETimes歐洲版訪問時表示，該公司的技術藍圖顯示，28
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存儲器 MRAM
據海外媒體報道，DRAM 發(fā)展快到盡頭，磁性存儲器(MRAM)和相變存儲器(PRAM)是最有潛力的接班人?IBM 和三星電子最近宣稱，“自旋傳輸磁性存儲器(STT-MRAM)”的研究出現突破，有望加速走上商用之途。
韓媒 BusinessKorea 11 日報導，IBM 和三星在電機電子工程師學會(IEEE)發(fā)布研究論文宣稱，兩家公司攜手研發(fā)的 STT-MRAM 的生產技術，成功實現 10 納秒(nanosecond)的傳輸速度和超省電架構，理論上表現超越 DRAM。
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IBM MRAM
在28nm晶片制程節(jié)點的嵌入式非揮發(fā)性記憶體競賽上，自旋力矩轉移磁阻式隨機存取記憶體(STT-MRAM)正居于領先的位置。
比利時研究機構IMEC記憶體部門總監(jiān)Arnaud Furnemont指出，雖然電阻式隨機存取記憶體(ReRAM)和相變記憶體(PCM)等其他類型的記憶器也都有其支持者，但這些記憶體都存在著微縮的問題，而難以因應28nm CMOS制程的要求。
28nm平面CMOS節(jié)點可望具有更長的壽命，以因應更多的“超越摩爾定律”(More-than-Moore
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MRAM CMOS
日本東北大學2016年3月21日宣布，開發(fā)成功了可超高速動作的新型磁存儲器(MRAM：Magnetic Random Access Memory)的基礎元件，并實際驗證了動作。該元件可兼顧迄今MRAM元件難以實現的小電流動作和高速動作。
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三種自旋軌道力矩磁化反轉元件構造。(a)與(b)為以前的構造，(c)為此次開發(fā)的構造(該圖摘自東北大學的發(fā)布資料) (點擊放大)
PC及智能手機使用的SRAM及DRAM等半導體存儲器，因構成元件的微細化，性能獲得了提高，但隨著微
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MRAM
記憶體產業(yè)中的每一家廠商都想打造一種兼具靜態(tài)隨機存取記憶體(SRAM)的快速、快閃記憶體的高密度以及如同唯讀記憶體(ROM)般低成本等各種優(yōu)勢的非揮發(fā)性記憶體。如今，透過磁阻隨機存取記憶體(MRAM)，可望解決開發(fā)這種“萬能”記憶體(可取代各種記憶體)的問題
遺憾的是，實際讓非揮發(fā)性MRAM的速度更快、密度更高且更便宜(MRAM制造商的承諾)的最佳化步驟，似乎總是還得再等三年之久。如今，荷蘭愛因霍芬科技大學(Eindhoven University of Technolo
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MRAM 存儲器
不同存儲器都有其各自的優(yōu)勢和缺點，由消費類產品驅動的存儲器市場在呼喚性能更優(yōu)存儲器技術，當然也要價格便宜。
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MRAM SRAM
DRAM和NAND Flash微縮制程逼近極限，業(yè)界認為次世代記憶體“磁電阻式隨機存取記憶體”(MRAM)、“可變電阻式記憶體”(ReRAM)可能即將現身，要以更快的存取速度橫掃市場。
韓媒BusinessKorea 16日報導，南韓半導體業(yè)者指出，16奈米將是DRAM微縮制程的最后極限，10奈米以下制程需要縮小電晶體體積，但是薄膜厚度卻無法縮減，也可能不適合采用高介電常數(High-K)材料和電極。MRAM和ReRAM
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DRAM MRAM
東芝(Toshiba)與SK海力士(SK Hynix)宣布將共同開發(fā)下一代半導體制程技術，同時東芝也撤銷對SK海力士提出的1.1兆韓元(約9.1億美元)損害賠償訴訟。兩企業(yè)決定集中火力爭取半導體產業(yè)未來主導權，取代相互耗損的專利訴訟。
據ET News報導，東芝與SK海力士曾維持很長時間的合作關系。2007年締結專利授權合約，并自2011年開始共同開發(fā)下一代記憶體STT-MRAM。2014年3月因記憶體半導體技術外流，東芝向SK海力士提出告訴，要求1.1兆韓元規(guī)模的民事賠償，雙方關系因此破裂。
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東芝 SK海力士 STT-MRAM
近日，日本TDK首次展示了新型存儲技術MRAM的原型，有望取代如今遍地都是的Flash閃存。MRAM全稱磁阻隨機訪問內存，已經存在一段時間了，但是TDK將其帶到了一個新的高度。它以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。
MRAM技術的讀寫速度可以媲美SRAM、DRAM，當同時又是非易失性的，也就是可以斷電保存數據，等于綜合了RAM、Flash的優(yōu)點。
TDK多年來一直在研究STT-MRAM，但此前從未公開展示。這次拿出的原型芯片
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閃存 MRAM
MRAM以磁荷為數據存儲介質，而它的名字來自自旋傳輸矩，也即是寫入數據的時候利用電子角動量來改變磁場。MRAM是以取代Flash為使命的。目前TDK已經推出這種存儲技術的原型。
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閃存 MRAM
市場研究機構CoughlinAssociates的最新報告預測，磁阻式隨機存取記憶體(MRAM)──包含磁場感應(field-induced)以及自旋力矩轉移(spin-torquetransition，STT)等形式──將在未來因為取代DRAM與SRAM而繁榮發(fā)展。
CoughlinAssociates的報告指出，因為具備省電與非揮發(fā)特性，MRAM/STTMRAM市場營收規(guī)?？赏?013年的1.9億美元左右，到2019年成長至21億美元;期間的復合年平均成長率(CAGR)估計為50%。
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MRAM CMOS
本文對目前幾種比較有競爭力和發(fā)展?jié)摿Φ男滦头且资源鎯ζ髯隽艘粋€簡單的介紹。鐵電存儲器(FeRAM)鐵電存儲器是一種在斷電時不會丟失內容的非易失存儲器，具有高速、高密度、低功耗和抗輻射等優(yōu)點。 當前應用于存儲
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FeRAM MRAM OUM 非易失性存儲器
專門授權自旋電子(spintronics)磁阻隨機存取內存(MRAM)技術的自旋電子組件開發(fā)商NVR公司表示，該公司已于美國聯邦法院對 MRAM 供貨商Everspin Technologies提出侵權訴訟，以捍衛(wèi)其自旋電子 MRAM 專利技術。
NVE公司指出，在美國明尼蘇達州地方法院提起的這項訴訟案指控Everspin侵犯了NVE公司的三項 MRAM 專利。根據NVE公司表示，該侵權訴訟將尋求法院的禁制令，以迫使Everspin公司停止繼續(xù)使用該技術，并針對其侵權行為造成的NVE財務損失進行
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NVE 內存 MRAM
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