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從富士通到RAMXEED，以全新一代FeRAM迎接邊緣智能高可靠性無延遲數(shù)據(jù)存儲需求
- 在人工智能大型模型和邊緣智能領(lǐng)域的算力需求激增的推動下，市場對于高性能存儲解決方案的需求也在不斷增加。據(jù)此預(yù)測，2024年全球存儲器市場的銷售額有望增長61.3%，達(dá)到1500億美元。為了降低云和邊緣的功耗，兼具高性能和非易失性的新型存儲器正迎來市場快速增長的發(fā)展大時代，如鐵電存儲器FeRAM和ReRAM，以及磁性存儲器MRAM、阻變式存儲器ReRAM等。2020-2024年全球存儲器市場規(guī)模及增速富士通半導(dǎo)體（即將更名為RAMXEED）作為FeRAM產(chǎn)品全球兩個主要供應(yīng)商之一，只專注于高性能存儲器FeR
- 關(guān)鍵字： 富士通 RAMXEED FeRAM
【對話前沿專家】基于鐵電晶體管科研，共探集成電路的創(chuàng)新之路
- _____隨著人工智能和大數(shù)據(jù)技術(shù)的飛速發(fā)展，對算力和存儲的需求日益增長。傳統(tǒng)的計算架構(gòu)逐漸顯露出局限性，這促使學(xué)術(shù)界和產(chǎn)業(yè)界開始探索新的計算架構(gòu)和信息器件。在后摩爾時代，鐵電晶體管（FeFET）作為一種新型的信息器件，因其在存儲和計算領(lǐng)域的潛在應(yīng)用而備受關(guān)注。泰克科技與北京大學(xué)集成電路學(xué)院聯(lián)合舉辦了一場學(xué)術(shù)交流訪談會，旨在探討高耐久性氧化鉿基鐵電晶體管（FeFET）器件及其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用前景。在這次訪談交流中，講座主講人北京大學(xué)集成電路學(xué)院的唐克超老師分享了他們團隊在鐵電材料和器件研究方面的最新成
- 關(guān)鍵字： 鐵電晶體管 FeRAM
瞄準(zhǔn)智能制造、新能源汽車等新興關(guān)鍵數(shù)據(jù)存儲需求，F(xiàn)eRAM以獨特性能發(fā)力智能物聯(lián)時代增量市場
- 存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，在當(dāng)前物聯(lián)網(wǎng)與人工智能聯(lián)合推動下的數(shù)據(jù)爆發(fā)時代，存儲器行業(yè)的“加速鍵”隨之開啟。據(jù)YOLE統(tǒng)計，自2019年以來，存儲器成為半導(dǎo)體增速最快的細(xì)分行業(yè)，總體市場空間從2019年的1110億美元將增長至2025年的1850億美元。細(xì)分市場中，以FeRAM（鐵電存儲）和ReRAM（電阻式存儲）為代表的新型存儲器市場增速最快，將從5億美元增長到40億美元，年復(fù)合增長率達(dá)到42%，發(fā)展?jié)摿薮?。圖1 全球存儲器市場規(guī)模及增速（資料來源：YOLE）業(yè)界將相變存儲器、鐵電存儲器、磁
- 關(guān)鍵字： 存儲 FeRAM
未來新型存儲器技術(shù)將主導(dǎo)存儲器市場 其中FeRAM有什么競爭優(yōu)勢
- 存儲器是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的風(fēng)向標(biāo)和最大細(xì)分市場，約占半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的三分之一。智能時代的到來，將引起存儲行業(yè)的新一輪爆發(fā)。新的存儲器和存儲器架構(gòu)已經(jīng)籌劃了很長時間，但仍未被廣泛采用。然而，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為臨界點已然將近。存儲器是現(xiàn)代信息系統(tǒng)最關(guān)鍵的組件之一，已經(jīng)形成主要由DRAM與NAND Flash構(gòu)成的超千億美元的市場。隨著萬物智聯(lián)時代的到來，人工智能、智能汽車等新興應(yīng)用場景對存儲提出了更高的性能要求，促使新型存儲器迅速發(fā)展，影響未來存儲器市場格局。新型存儲器是未來選擇據(jù)YOLE統(tǒng)計，2019年以來，存儲器成為
- 關(guān)鍵字： 存儲器 FeRAM
揚長補短發(fā)展FeRAM
- 存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥，或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨的存儲元件，有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分，它們各有所長，應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。 易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM，SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù)，但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM（只讀存儲器）技術(shù)，包
- 關(guān)鍵字： DRAM FeRAM RAM SRAM 存儲器
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