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半導體領(lǐng)域"前淡后旺"
- 全球半導體領(lǐng)域在的宏觀經(jīng)濟條件不佳下渡過了艱辛的2012年，近期在美國經(jīng)濟成長逐漸獲得改善之際，領(lǐng)域在末季看似有了復(fù)蘇跡象。 雖然12月份全球半導體銷售量成功創(chuàng)下久違的連續(xù)兩個月增長，但依然不足以抵銷市場分析員對國內(nèi)半導體領(lǐng)域的消極看法。 考慮到在全球經(jīng)濟不明朗，對電子產(chǎn)品需求量帶來打擊下，市場分析員依然謹慎看待我國今年的半導體領(lǐng)域，特別是受大選情緒影響的上半年，而最低薪金制度也相信將進一步箝制國內(nèi)業(yè)者的業(yè)績表現(xiàn)。無論如何，在預(yù)計下半年經(jīng)濟大環(huán)境獲得改善的情況下，國內(nèi)半導體業(yè)者或?qū)㈦S著趨勢上演反
- 關(guān)鍵字： 半導體設(shè)備 NAND
分析：iPhone助推2012年閃存產(chǎn)業(yè)發(fā)展
- 根據(jù)信息與數(shù)據(jù)分析公司IHS iSuppli發(fā)布的最新數(shù)據(jù)報告，雖然蘋果公司對閃存(NAND)需求旺盛，但由于超級本銷售仍然低迷，使得全球閃速存儲器市場收益下降了7個百分。去年，閃存(NAND)產(chǎn)業(yè)收益由2011年的212億美元下跌至2012年的197億美元。不過，經(jīng)過去年的低迷期，今年收益將有所增長，達到224億美元，并在接下來的幾年內(nèi)持續(xù)增長。 具體可參見下表。 ? “閃 存具備高密度內(nèi)存，大容量傳輸?shù)男阅堋Ｔ?012年，蘋果iPhone是NAND的
- 關(guān)鍵字： 閃存 NAND
半導體需求回溫 東芝元旦假期將加班趕工
- 日本媒體報導，全球第2大NAND型快閃記憶體(FlashMemory)廠商東芝(Toshiba)于21日宣布，因半導體需求回溫，故旗下日本半導體工廠將于今年年末的元旦假期期間加班趕工。東芝表示，于去年元旦假期停工8天的姬路半導體工廠今年將不停工持續(xù)進行生產(chǎn);大分工廠今年元旦假期期間的停工天數(shù)則將自去年的6天減半至3天。 東芝姬路半導體工廠主要生產(chǎn)馬達/PC用電源控制晶片、大分工廠主要生產(chǎn)影像感測器及系統(tǒng)整合晶片(SystemLSI)。 東芝于10月31日將今年度(2012年4月-2013年
- 關(guān)鍵字： Toshiba FlashMemory NAND
12月上旬主流NAND Flash合約價小跌1-2%
- ? 市調(diào)機構(gòu)集邦科技旗下研究部門DRAMeXchange調(diào)查，雖然系統(tǒng)產(chǎn)品年底銷售旺季備貨高峰期已過，然在NAND Flash原廠持續(xù)對于零售市場減量供貨的情況下，12月上旬NAND Flash合約價較11月下旬僅小跌1-2%，預(yù)估緩跌走勢將持續(xù)至明年1月份。 集邦表示，SK海力士在12月11日遇到產(chǎn)線短暫跳電，但相關(guān)NAND Flash的營運沒有受到影響，現(xiàn)貨價格雖因此有微幅上漲，但整體需求偏弱格局不變。市場面觀察，智慧型手機與平板電腦廠商圣誕假期鋪貨高峰大多落在11月底與12月初
- 關(guān)鍵字： SK NAND Flash 手機
探索TLC閃存壽命：區(qū)區(qū)1000次擦寫循環(huán)
- 三星840系列固態(tài)硬盤開啟了一個新時代，TLC NAND閃存首次用于消費級產(chǎn)品。關(guān)于這種閃存的原理、架構(gòu)技術(shù)，以及三星840的性能、可靠性，我們都已經(jīng)做了比較深入的介紹，今天再來看看TLC閃存本身的壽命問題。 遺憾的是，沒有任何廠商公開談?wù)撨^TLC閃存的可靠程度，只能猜測編程/擦寫循環(huán)(P/E)次數(shù)大概是1000-1500次(20/25nm MLC大約是3000次)，而且三星不像Intel那樣會告訴你具體的閃存寫入量，再加上寫入放大的緣故，根本無從得知寫入了多少數(shù)據(jù)。 不過還是有個變通方法
- 關(guān)鍵字： 三星 閃存 TLC NAND
大容量NAND FLASH在ARM嵌入式系統(tǒng)中的設(shè)計與實現(xiàn)
- 1 引 言 隨著嵌人式系統(tǒng)在數(shù)碼相機、數(shù)字攝像機、移動電話、mp3音樂播放器等移動設(shè)備中越來越廣泛的應(yīng)用 ...
- 關(guān)鍵字： NAND FLASH ARM 嵌入式系統(tǒng)
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