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亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設計（二）
- 3 仿真分析及具體設計結(jié)果3.1 仿真分析在亞微米的ESD結(jié)構(gòu)的設計中，一種常見的具體的ESD瞬態(tài)檢測電壓如圖2 VDD-VSS間的電壓鉗位結(jié)構(gòu)。其原理如下：主要利用結(jié)構(gòu)中的RC延遲作用，一般T=RC被設計為100ns-1000ns之間，而
- 關鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
亞微米CMOS電路中VDD-VSSESD保護結(jié)構(gòu)設計
- 1 引言ESD(Electric Static Discharge)保護結(jié)構(gòu)的有效設計是CMOS集成電路可靠性設計的重要任務之一，其ESD結(jié)構(gòu)與工藝技術(shù)、特征尺寸密切相關，隨著IC工藝技術(shù)的進一步發(fā)展，特征尺寸越來越小，管子的柵氧層厚度越來越
- 關鍵字： VDD-VSSESD CMOS 亞微米 電路
AB類功率放大器驅(qū)動電路的研究與設計
- 1 AB類功放驅(qū)動電路設計目標 在實用電路中，往往要求放大電路的末級(即輸出級)輸出一定的功率，以驅(qū)動負載。能夠向負載提供足夠信號功率的放大電路稱為功率放大電路，簡稱功放。經(jīng)典功率放大器有4種類型：A類，AB類，B類和C類，他們的主要差別在于偏置的情況不同。理想的4類經(jīng)典放大器的最大效率的理論值與導通角的函數(shù)關系如圖1所示。 A類功率放
- 關鍵字： AB類功放驅(qū)動電路 NMOS VDD 隔直電容
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