全cmos 文章 進入全cmos技術(shù)社區(qū)
一種基于40nm CMOS工藝的新型溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源
- 基于TSMC40LP工藝設(shè)計了一種新穎的溫度補償、高電源抑制比的帶隙基準源。本設(shè)計采用全MOSFET設(shè)計，工作于1.1 V電源電壓，通過將MOSFET偏置在零溫度系數(shù)工作點，并結(jié)合溫度補償技術(shù)和有源衰減電路，實現(xiàn)在-40 ℃~125 ℃內(nèi)溫度變化系數(shù)為6.6 ppm/℃，低頻下電源抑制比為93 dB，高頻下電源抑制比為56 dB，與此同時，利用阻抗調(diào)試對環(huán)路穩(wěn)定性進行了補償。
- 關(guān)鍵字： 帶隙基準 全CMOS 低電源電壓 曲率補償 高電源抑制比 零溫系數(shù)點 201804
| 共1條 1/1 1 |
全cmos介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條全cmos!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對全cmos的理解，并與今后在此搜索全cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對全cmos的理解，并與今后在此搜索全cmos的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473