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實(shí)時功率GaN波形監(jiān)視
- 實(shí)時功率GaN波形監(jiān)視-功率氮化鎵器件是電源設(shè)計(jì)人員工具箱內(nèi)令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關(guān)頻率如何能夠?qū)е赂哳l率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項(xiàng)已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗(yàn)證技術(shù)，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項(xiàng)技術(shù)用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機(jī)制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
- 關(guān)鍵字： 功率GaN
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