功率因素校正 文章 進入功率因素校正技術(shù)社區(qū)
功率因素校正電路旁路二極管的作用
- 本文總結(jié)了功率因素校正電路加旁路二極管作用的幾種不同解釋：減少主二極管的浪涌電流；提高系統(tǒng)抗雷擊的能力；減少開機瞬間系統(tǒng)的峰值電流，防止電感飽和損壞功率MOSFET。具體分析了輸入交流掉電系統(tǒng)重起動，導(dǎo)致功率MOSFET驅(qū)動電壓降低、其進入線性區(qū)而發(fā)生損壞，才是增加旁路二極管最重要、最根本的原因。給出了在這種模式下，功率MOSFET發(fā)生損壞的波形和失效形態(tài)，同時給出了避免發(fā)生這種損壞的幾個措施。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正 旁路二極管 線性區(qū) 欠壓保護 202103 MOSFET
單級BUCK-BOOST變換器實現(xiàn)APFC的原理及分析
- 本文分析了用BUCK-BOOST電路和反激變換器隔離實現(xiàn)單級功率因數(shù)校正的原理和變換過程，給出了電路的Matlab仿真分析的模型。通過對變換器工作在DCM模式下的電路仿真，驗證了此方法有良好的效果。
- 關(guān)鍵字： 功率因素校正，單級，反激變換器
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功率因素校正介紹
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