- 摘要：本文通過案例和實驗，概述了四種IGBT及其子器件的失效模式：MOS柵擊穿、IGBT-MOS閾值電壓漂移、IGBT有限次連續(xù)短路脈沖沖擊的積累損傷和靜電保護用高壓npn管的硅熔融。
關鍵詞：柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融
1、 引言
IGBT及其派生器件，例如：IGCT，是MOS和雙極集成的混合型半導體功率器件。因此，IGBT的失效模式，既有其子器件MOS和雙極的特有失效模式，還有混合型特有的失效模式。MOS是靜電極敏感器件，因此，IGBT也是靜電
- 關鍵字：
柵擊穿 閾值電壓漂移 積累損傷 硅熔融 電源
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