功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展新局 　碳化矽躋身電源元件主流

• 　　過(guò)去幾年來(lái)，碳化矽(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng)，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。SiC這項(xiàng)全新的寬帶隙技術(shù)，不僅是向前邁進(jìn)的革命性發(fā)展(例如過(guò)去幾年來(lái)每一代新型的矽功率裝置)，也具有真正改變局勢(shì)的能力。 　　過(guò)去幾年來(lái)，碳化矽(SiC)型功率半導(dǎo)體解決方案的使用情形大幅成長(zhǎng)，成為各界仰賴的革命性發(fā)展。推動(dòng)此項(xiàng)市場(chǎng)發(fā)展的力量包括下列趨勢(shì)：節(jié)能、縮減體積、系統(tǒng)整合及提升可靠性。 　　IGBT搭配SiC二極體　寬帶隙技術(shù)改變局勢(shì) 　　SiC裝置定位能夠充分因應(yīng)上述市場(chǎng)挑戰(zhàn)。這項(xiàng)全新的寬帶
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