什么是雪崩失效

• 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，就會(huì)發(fā)生擊穿。當(dāng)施加高于BVDSS的高電場(chǎng)時(shí)，自由電子被加速并帶有很大的能量。這會(huì)導(dǎo)致碰撞電離，從而產(chǎn)生電子-空穴對(duì)。這種電子-空穴對(duì)呈雪崩式增加的現(xiàn)象稱(chēng)為“雪崩擊穿”。在這種雪崩擊穿期間，與 MOSFET內(nèi)部二極管電流呈反方向流動(dòng)的電流稱(chēng)為“雪崩電流IAS”，參見(jiàn)下圖（1）。MOSFET的失效機(jī)理本文的關(guān)鍵要點(diǎn)? 當(dāng)向MOSFET施加高于絕對(duì)最大額定值BVDSS的電壓時(shí)，會(huì)造成擊穿并引發(fā)雪崩擊穿。? 發(fā)生雪崩擊穿時(shí)，會(huì)流過(guò)大電流，存在MOSFET
• 關(guān)鍵字： 羅姆半導(dǎo)體  雪崩失效