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美國商務部向美光科技提供 61 億美元資金，用于在該國生產芯片

EDA/PCB 美國美光科技生產芯片半導體 DRAM 內存芯片存儲芯片 |2024-12-11
提高下一代DRAM器件的寄生電容性能

電源與新能源泛林集團 DRAM |2024-11-21
在2025年DRAM位元產出增長下，供應商需謹慎規(guī)劃產能以保持盈利

網絡與存儲 DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-11-14
北京君正：21nm DRAM新工藝預計年底推出

網絡與存儲北京君正 21nm DRAM |2024-11-14
郭明錤剖析英特爾 Lunar Lake 失敗原因

EDA/PCB 郭明錤英特爾 Lunar Lake DRAM CPU 封裝 AI PC LNL |2024-11-06
鎧俠即將發(fā)布三大創(chuàng)新研究成果

網絡與存儲鎧俠存儲技術 DRAM MRAM 3D堆疊 |2024-10-24
HBM對DRAM廠的貢獻逐季攀升

網絡與存儲 HBM DRAM TrendForce |2024-10-17
三星開發(fā)出其首款24Gb GDDR7 DRAM，助力下一代人工智能計算

網絡與存儲三星 24Gb GDDR7 DRAM 人工智能計算 |2024-10-17
TrendForce：內存下半年價格恐摔

網絡與存儲 TrendForce 內存 DRAM |2024-08-30
SK海力士成功開發(fā)出全球首款第六代10納米級DDR5 DRAM

網絡與存儲 SK海力士第六代 10納米級 DDR5 DRAM |2024-08-29
第二季DRAM產業(yè)營收季增24.8%，預期第三季合約價將上調

網絡與存儲 DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-08-16
imec采用High-NA EUV技術展示邏輯與DRAM架構

EDA/PCB imec High-NA EUV DRAM |2024-08-13
外媒：三星推出超薄型手機芯片LPDDR5X DRAM

手機與無線通信三星手機芯片 LPDDR5X DRAM |2024-08-07
HBM排擠效應 DRAM漲勢可期

網絡與存儲 HBM DRAM 美光 |2024-07-18
三星于聯(lián)發(fā)科技天璣旗艦移動平臺完成其最快LPDDR5X驗證

網絡與存儲三星聯(lián)發(fā)科技天璣 LPDDR5X |2024-07-17
圓滿收官！紫光國芯慕尼黑上海電子展2024展現(xiàn)科技創(chuàng)新實力

網絡與存儲紫光國芯慕尼黑電子展 DRAM SeDRAM CXL |2024-07-11
內存制造技術再創(chuàng)新，大廠新招數(shù)呼之欲出

網絡與存儲 HBM 3D DRAM |2024-07-08
服務器支撐下半年需求，預估DRAM價格第三季漲幅達8-13%

網絡與存儲服務器 DRAM TrendForce |2024-06-27
SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破：良品率已達56.1%

網絡與存儲 SK海力士 3D DRAM |2024-06-26
云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展，帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達7%

網絡與存儲云端 CSPs 邊緣AI DRAM TrendForce |2024-06-26
HBM供應吃緊催生DRAM漲價美光股價飆漲

網絡與存儲 HBM DRAM 美光 |2024-06-25
美光后里廠火災公司聲明營運未受任何影響

網絡與存儲美光 DRAM |2024-06-21
通用 DRAM 內存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關產線開工率維持 80~90%

網絡與存儲 DRAM 閃存三星海力士 |2024-06-19
合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增

網絡與存儲存儲器 DRAM TrendForce |2024-06-17
合約價上漲抵消淡季效應，推升DRAM第一季營收季增5.1%

網絡與存儲淡季效應 DRAM TrendForce 集邦咨詢 |2024-06-13
南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內存產品 16Gb DDR5 明年初試產

網絡與存儲南亞科技內存 DRAM |2024-05-30
美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

網絡與存儲美光 DRAM 日本 EUV |2024-05-29
HBM火熱效應 DRAM下半年可望供不應求

網絡與存儲 HBM DRAM TrendForce |2024-05-21
三星和SK海力士計劃今年下半年將停產DDR3

三星 SK海力士內存 DRAM HBM |2024-05-16
SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產線已超兩成用于 HBM 內存

網絡與存儲海力士三星 DRAM |2024-05-14
第二季DRAM合約價漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

網絡與存儲 DRAM NAND Flash TrendForce |2024-05-07
2025年HBM價格調漲約5~10%，占DRAM總產值預估將逾三成

網絡與存儲 HBM DRAM TrendForce |2024-05-06
美光科技：全系列車規(guī)級內存和存儲解決方案已通過高通驍龍驗證

網絡與存儲美光高通 LPDDR5X |2024-04-26
SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產基地

網絡與存儲 SK海力士 AI DRAM |2024-04-25
存儲大廠技術之爭愈演愈烈

網絡與存儲存儲器 DRAM TrendForce |2024-04-15
美光：預計臺灣地區(qū)地震對本季度 DRAM 內存供應造成中等個位數(shù)百分比影響

網絡與存儲 DRAM 閃存美光 |2024-04-12
3D DRAM進入量產倒計時

網絡與存儲 3D DRAM |2024-04-12
加注西安工廠美光期待引領創(chuàng)芯長安

網絡與存儲美光 DRAM |2024-04-03
三星否認將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產，稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

EDA/PCB 三星 MR-RUF DRAM HBM |2024-03-14
又一存儲大廠DRAM考慮采用MUF技術

網絡與存儲存儲 DRAM MUF技術 |2024-03-04

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