MOS管驅(qū)動電路設(shè)計，如何讓MOS管快速開啟和關(guān)閉？
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如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關(guān)速度越快越好。因為開關(guān)時間越短，開關(guān)損耗越小，而在開關(guān)電源中開關(guān)損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅(qū)動電路的好壞直接決定了電源的效率。
怎么做到MOS管的快速開啟和關(guān)閉呢？
對于一個MOS管，如果把GS之間的電壓從0拉到管子的開啟電壓所用的時間越短，那么MOS管開啟的速度就會越快。與此類似，如果把MOS管的GS電壓從開啟電壓降到0V的時間越短，那么MOS管關(guān)斷的速度也就越快。
由此我們可以知道，如果想在更短的時間內(nèi)把GS電壓拉高或者拉低，就要給MOS管柵極更大的瞬間驅(qū)動電流。大家常用的PWM芯片輸出直接驅(qū)動MOS或者用三極管放大后再驅(qū)動MOS的方法，其實在瞬間驅(qū)動電流這塊是有很大缺陷的，比較好的方法是使用專用的MOSFET驅(qū)動芯片。
MOS驅(qū)動電路設(shè)計需要注意的地方：
因為驅(qū)動線路走線會有寄生電感，而寄生電感和MOS管的結(jié)電容會組成一個LC振蕩電路，如果直接把驅(qū)動芯片的輸出端接到MOS管柵極的話，在PWM波的上升下降沿會產(chǎn)生很大的震蕩，導(dǎo)致MOS管急劇發(fā)熱甚至爆炸，一般的解決方法是在柵極串聯(lián)10歐左右的電阻，降低LC振蕩電路的Q值，使震蕩迅速衰減掉。因為MOS管柵極高輸入阻抗的特性，一點點靜電或者干擾都可能導(dǎo)致MOS管誤導(dǎo)通，所以建議在MOS管G極和S極之間并聯(lián)一個10K的電阻以降低輸入阻抗。如果擔(dān)心附近功率線路上的干擾耦合過來產(chǎn)生瞬間高壓擊穿MOS管的話，可以在GS之間再并聯(lián)一個18V左右的TVS瞬態(tài)抑制二極管。TVS可以認(rèn)為是一個反應(yīng)速度很快的穩(wěn)壓管，其瞬間可以承受的功率高達(dá)幾百至上千瓦，可以用來吸收瞬間的干擾脈沖。
綜上，MOS管驅(qū)動電路參考：
MOS管驅(qū)動電路的布線設(shè)計：
常見的MOS管驅(qū)動波形：
高頻振鈴嚴(yán)重的毀容方波：
打腫臉充正弦的生于方波他們家的三角波：
高低電平分明，電平這時候可以叫電平了，因為它平。邊沿陡峭，開關(guān)速度快，損耗很小，略有震蕩，可以接受，管子進(jìn)不了線性區(qū)，強迫癥的話可以適當(dāng)調(diào)大柵極電阻。
方方正正的帥哥波，無振鈴無尖峰無線性損耗的三無產(chǎn)品，這就是最完美的波形了。
來源：電子產(chǎn)品世界
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