ASML報告指出，從 2023 年開始，ASML計劃交付第一批下一代 EUV 設(shè)備，該設(shè)備將使 EUV 數(shù)值孔徑 (NA) 高于當前機器的能力，從 0.33 NA 到 0.55 NA。這將使芯片制造商能夠開發(fā)出遠遠超過當前預(yù)期的 2 納米閾值的工藝節(jié)點，并且在對高級晶圓層使用單次曝光 EUV 工藝時還可以節(jié)省一些成本。
這些新機器中的第一臺將是原型機，將在整個 2022 年進行測試。而英特爾將成為首個吃螃蟹的人，它希望最早在 2023 年將其用于量產(chǎn)。這家科技巨頭最近開始了一個多年的過程，以重新獲得工藝和封裝技術(shù)的領(lǐng)先地位，而高數(shù)值孔徑 EUV 工具是該計劃的關(guān)鍵部分。事實上，如果英特爾的IDM 2.0 計劃想獲得成功的機會，它就必須需要從 ASML 那里獲得所有的幫助。
臺積電也有興趣獲得盡可能多的這種下一代光刻設(shè)備。這家臺灣公司目前占該行業(yè) EUV 設(shè)備安裝基礎(chǔ)和晶圓產(chǎn)量的一半，他們計劃通過兩個最先進的2 納米 GigaFab擴大產(chǎn)能。具有諷刺意味的是，臺積電曾經(jīng)是一個不相信 EUV 的人，但今天它是 ASML 的最大客戶，這要歸功于 Apple堅持認為 EUV 是實現(xiàn)更小、更強大、更節(jié)能芯片的必須設(shè)備。