韓國先驅(qū)報(bào)報(bào)導(dǎo)，電動(dòng)車需要使用大量芯片，總計(jì)超過2,000個(gè)，遠(yuǎn)高于傳統(tǒng)內(nèi)燃機(jī)引擎汽車的200~300個(gè)。其中功率芯片是重中之重，功用是減少電池的電力供給損失、并分配電動(dòng)車用電。傳統(tǒng)的功率芯片由硅制成，不過特斯拉(Tesla)慧眼獨(dú)具，2017年開始在Model 3系列改用SiC功率芯片，促使效能顯著提升。
Shinhan Investment分析師Ko Yeong-min表示，特斯拉首開先例，在電動(dòng)車逆變器(inverter)內(nèi)使用SiC功率芯片，這讓特斯拉逆變器的效能提升10倍、體積縮小43%、重量也比傳統(tǒng)逆變器減少6公斤?，F(xiàn)代汽車(Hyundai Motor)、比亞迪(BYD)、豐田(Toyota)都仿效特斯拉，開始使用SiC功率芯片。
和傳統(tǒng)的硅基功率芯片相比，SiC功率芯片能承受10倍的電壓，這表示SiC功率芯片只要1/10的厚度，表現(xiàn)就可追平硅基芯片。而且SiC功率芯片能承受攝氏600度的高溫，無須另裝冷卻系統(tǒng)。除此之外，SiC功率芯片的用電量較少，能延長電動(dòng)車?yán)m(xù)航力，有望顛覆電動(dòng)車市。
Shinhan Investment估計(jì)，車用SiC市場(chǎng)規(guī)模，將從2021年的2兆韓元、2025年增至17兆韓元(143億美元)。Hyundai Motor Securities分析師Roh Geun-chang預(yù)測(cè)：「SiC芯片將是2022年的大趨勢(shì)」。
取代硅的次代半導(dǎo)體！日挺GaN 料10年內(nèi)問世
數(shù)十年來，硅一直是半導(dǎo)體科技的基石，但是許多專家認(rèn)為硅的發(fā)展來到極限，氮化鎵(gallium trioxide、簡稱GaN)有望取而代之。日本政府砸錢相挺，相信以GaN為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體，將在2020年代后期上市。
韓媒etnews 2020年9月報(bào)導(dǎo)，自駕車和電動(dòng)車蓬勃發(fā)展，能在極端環(huán)境下控制電流的功率半導(dǎo)體備受矚目。GaN和碳化硅 (silicon carbide、簡稱SiC)是少數(shù)符合此種條件的半導(dǎo)體材料。其中以GaN為基礎(chǔ)的功率半導(dǎo)體最受注意，被視為「次世代的功率半導(dǎo)體」。
有鑒于此，日本經(jīng)產(chǎn)省準(zhǔn)備資助日企和大學(xué)，發(fā)展耗電量更低的次世代半導(dǎo)體，預(yù)計(jì)2021年撥款2,030萬美元，未來五年共計(jì)斥資8,560萬美元。日方補(bǔ)助鎖定研發(fā)GaN材料的企業(yè)，GaN半導(dǎo)體能降低耗電。
來源：內(nèi)容來自MoneyDJ