為應對低迷的市場形勢，與2022財年第四季度相比，美光宣布將DRAM和NAND晶圓的開工量減少約20%。這些削減將在Micron擁有可觀產量的所有技術節(jié)點上進行。美光也將努力削減額外的資本支出。2023日歷年，美光預計DRAM的bit供應量同比增長為負，NAND的bit供應增長率為個位數(shù)。

最近，2023日歷年的市場前景有所減弱。為了顯著改善供應鏈中的總庫存，美光認為，在2023年日歷中，DRAM bit同比供應將需要減少，NAND bit供應增長將需要顯著低于之前的估計。

美光總裁兼首席執(zhí)行官Sanjay Mehrotra表示：“美光正在采取大膽而積極的措施，減少bit供應增長，以限制庫存規(guī)模。美光將繼續(xù)監(jiān)測行業(yè)狀況，并根據(jù)需要進行進一步調整。盡管近期面臨周期性挑戰(zhàn)，但我們仍對市場的長期需求驅動因素充滿信心，從長期來看，我們預計存儲器和存儲收入的增長將超過半導體行業(yè)的其他行業(yè)?！?/span>

作為全球首家官宣232層NAND Flash的存儲原廠，美光的研發(fā)進展及供應策略對存儲市場具有舉足輕重的影響。那么，美光對于明年存儲市場的展望有何變化？如何通過先進制程激發(fā)市場的應用需求？12月8日，美光集團副總裁Dinesh Bahal先生將在中國閃存市場峰會CFMS2022上發(fā)表重要演講，敬請期待！