這一頁(yè)應(yīng)該給你一個(gè)很好的想法所涉及的原則，做什么-以及不做什么！

一個(gè)商用電機(jī)控制器不僅僅是一個(gè)改變電機(jī)速度的電路，我們有一個(gè)“導(dǎo)游”控制器功能這就簡(jiǎn)單地解釋了現(xiàn)代控制器中的大多數(shù)功能以及為什么需要它們。

為了控制直流電動(dòng)機(jī)的速度，我們需要一個(gè)可變電壓的直流電源。然而，如果你用一臺(tái)12伏的電動(dòng)機(jī)，接通電源，電動(dòng)機(jī)就會(huì)開(kāi)始加速：電動(dòng)機(jī)不會(huì)立即作出反應(yīng)，因此需要很短的時(shí)間才能達(dá)到全速。如果我們?cè)隈R達(dá)達(dá)到全速之前關(guān)閉電源，馬達(dá)就會(huì)開(kāi)始減速。如果我們足夠快地打開(kāi)和關(guān)閉電源，電動(dòng)機(jī)將以零和全速之間的某個(gè)速度運(yùn)轉(zhuǎn)。這正是p.w.m.控制器所做的：它以一系列脈沖打開(kāi)電機(jī)。為了控制電機(jī)速度，它改變（調(diào)制）脈沖寬度-因此脈沖寬度調(diào)制。

考慮上面的波形。如果電機(jī)的一端通過(guò)開(kāi)關(guān)（MOSFET、功率晶體管或類似器件）連接到蓄電池正極，另一端連接到蓄電池負(fù)極，那么如果MOSFET短時(shí)間接通而長(zhǎng)時(shí)間斷開(kāi)，如上文a所述，電機(jī)只會(huì)緩慢旋轉(zhuǎn)。在B，開(kāi)關(guān)開(kāi)50%，關(guān)50%。在C時(shí)，電機(jī)大部分時(shí)間是開(kāi)著的，只有很短一段時(shí)間是關(guān)閉的，所以速度接近最大值。在一個(gè)實(shí)用的低壓控制器中，開(kāi)關(guān)以20kHz（每秒20000次）的頻率打開(kāi)和關(guān)閉。這個(gè)速度太快了，這臺(tái)可憐的舊電機(jī)甚至沒(méi)有意識(shí)到它正在開(kāi)關(guān)：它認(rèn)為它是由純直流電壓供電的。它也是一個(gè)高于可聽(tīng)見(jiàn)范圍的頻率，因此電機(jī)發(fā)出的任何噪音都是聽(tīng)不見(jiàn)的。它也足夠慢，以至于mosfet可以很容易地在這個(gè)頻率下開(kāi)關(guān)。但是電動(dòng)機(jī)有電感。電感不喜歡電流的變化。如果電機(jī)正在吸收任何電流，那么當(dāng)它打開(kāi)時(shí)，這個(gè)電流會(huì)流過(guò)開(kāi)關(guān)MOSFET，但是當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)，它會(huì)流向哪里呢？繼續(xù)讀下去，找出答案！

考慮上面的電路：這顯示了驅(qū)動(dòng)MOSFET和電機(jī)。當(dāng)驅(qū)動(dòng)MOSFET導(dǎo)通時(shí)，電流從電池正極流過(guò)電機(jī)和MOSFET（箭頭A），然后流回電池負(fù)極。當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)，由于電機(jī)的電感，電機(jī)電流保持流動(dòng)。還有一個(gè)第二個(gè)MOSFET連接在電機(jī)上：MOSFET就像二極管一樣產(chǎn)生反向電流，這是通過(guò)MOSFET的反向電流，所以它傳導(dǎo)。你可以使用這樣的MOSFET（短接它的柵極到它的源）或者你可以使用一個(gè)功率二極管。然而，關(guān)于mosfet的一個(gè)不太為人所理解的事實(shí)是，當(dāng)它們被打開(kāi)時(shí)，它們會(huì)將電流傳導(dǎo)到任何一個(gè)方向。導(dǎo)電MOSFET對(duì)任何方向的電流都是電阻的，而導(dǎo)電功率MOSFET實(shí)際上比正向偏置二極管下降的電壓要少，因此MOSFET需要更少的散熱和更少的電池電量。

從上面可以看出，如果驅(qū)動(dòng)MOSFET在50%的占空比下工作，電機(jī)電壓是電池電壓的50%，因?yàn)殡姵仉娏髦辉贛OSFET開(kāi)啟時(shí)流動(dòng)，所以電池電流只有50%的時(shí)間流動(dòng)，所以平均電池電流只有電機(jī)電流的50%！

但是有一個(gè)問(wèn)題：當(dāng)MOSFET關(guān)閉時(shí)，它不僅會(huì)中斷電機(jī)電流，而且還會(huì)中斷從電池流出的電流。來(lái)自電池的電線有電感（電池也是），所以當(dāng)電流中斷時(shí)，這個(gè)電感會(huì)產(chǎn)生電壓尖峰：在電路中，主電容器吸收（大部分）這個(gè)尖峰。當(dāng)驅(qū)動(dòng)MOSFET再次開(kāi)啟時(shí)，電池電流被要求快速流動(dòng)，而這是不能的。主電容器在電池電流重新建立期間提供電流。在一個(gè)能夠提供120安培電流的控制器中，這個(gè)電容器工作非常辛苦，如果長(zhǎng)時(shí)間吸入高電流（取決于電池引線長(zhǎng)度），主電容器可能會(huì)爆炸！我們?cè)陂_(kāi)發(fā)電容器的過(guò)程中使用了早期的電線和電容器！電容器鍍銅鋼在電機(jī)控制應(yīng)用中，這些引線會(huì)變得非常熱！

從上面可以明顯看出，這個(gè)電容器所做的功很大程度上取決于電池線的回路電感。長(zhǎng)導(dǎo)線的電感很高。扭動(dòng)電池線會(huì)降低它們的電感。

不用說(shuō)，電池引線中的電阻會(huì)產(chǎn)生類似電感的效果，所以這些電線應(yīng)該很粗。

還有，有些人想在電池引線上放一個(gè)電流表。誘惑應(yīng)該被抵制：簡(jiǎn)單的汽車式電流表尤其是高感應(yīng)！

簡(jiǎn)單的控制器（例如用于電動(dòng)高爾夫球袋的控制器）通常忽略了昂貴的主電容器，而依賴于電池的電容。老鷹和白鷺這樣的控制者你可以離開(kāi)。不過(guò)，對(duì)其影響作一個(gè)簡(jiǎn)短的解釋是合理的。為了說(shuō)明這一點(diǎn)，可以用一個(gè)示波器直接連接到蓄電池電源上看到的蓄電池電壓圖在控制器終端示波器接地在負(fù)軌上

頂部是“示波器”的電池正極視圖，底部是電機(jī)負(fù)極端子（由控制器切換）。波形已經(jīng)被清理了很多以說(shuō)明：實(shí)際上波形上有很多“臟”的響聲。所示電源為12v。

我們?cè)跊](méi)有電池電流的地方加入波形：電機(jī)輸出很高，電流在飛輪中循環(huán)。在A，控制器驅(qū)動(dòng)MOSFET打開(kāi)，將電機(jī)電流從電池中分流。但是電池引線有電感！電池電流不能立即啟動(dòng)，因此電池引線下降12伏，控制器電壓熄滅，直到引線電感可以充電，這是在B點(diǎn)完成的。時(shí)間a-B取決于電流和電池回路電感，可以是很大比例的周期時(shí)間！

然后，在C點(diǎn)，底部MOSFET急劇關(guān)閉，中斷電流。電機(jī)電流沒(méi)有問(wèn)題，它一直在流動(dòng)，飛輪裝置在那里，以確保它！但是你不能突然停止電池電流-所以它以一個(gè)大的電壓尖峰的形式存在。這個(gè)尖峰上升直到某個(gè)東西給出：在這個(gè)例子中，它達(dá)到了MOSFET雪崩擊穿電壓，MOSFET將其鉗制。用示波器可以很容易地看到平頂箝位電壓。mosfet的額定重復(fù)雪崩能量，你必須確保儲(chǔ)存在電池回路電感中的1/2Li2遠(yuǎn)低于安全的可重復(fù)雪崩能量。

這是一個(gè)問(wèn)題：計(jì)算出電池回路電感幾乎是不可能的-即使對(duì)于一個(gè)工程師。對(duì)一個(gè)****徒來(lái)說(shuō)，做這件事很難。因此，制造商只需向已知的一組客戶提供控制器，這些客戶以標(biāo)準(zhǔn)方式使用控制器，并根據(jù)經(jīng)驗(yàn)對(duì)出現(xiàn)的問(wèn)題進(jìn)行分類。這總是一個(gè)非技術(shù)客戶試圖得到一些免費(fèi)的東西：主電容器是需要的。對(duì)于某些應(yīng)用程序，你確實(shí)可以不需要！但這絕對(duì)是“逍遙法外”！

在帶有主電容器的控制器中，大部分（但不是全部）電源不規(guī)則都由電容器平滑。不過(guò)，當(dāng)電池電流中斷時(shí)，您會(huì)看到正的過(guò)沖和響鈴。

在你研究了下面的兩個(gè)電路之后，你可能更愿意回到這一點(diǎn)?！胺浅：?jiǎn)單的控制器”不包括再生制動(dòng)，“更復(fù)雜的控制器”有。這個(gè)說(shuō)明需要結(jié)合第二個(gè)電路來(lái)閱讀，而且還參考了上面的圖表，所以在這里插入是為了節(jié)省您重新加載的圖表。

電機(jī)控制的秘密之一似乎是再生制動(dòng)。然而，這并不是什么秘密：提供再生制動(dòng)的電路并不少見(jiàn)，但似乎很少有人意識(shí)到會(huì)發(fā)生什么。這樣就可以了。

在第一個(gè)電路（上圖）中，顯示了由電機(jī)驅(qū)動(dòng)的mosfet的輸出對(duì)。還指出，對(duì)于電動(dòng)機(jī)來(lái)說(shuō)，控制器的輸出是純直流電壓（因?yàn)殡妱?dòng)機(jī)的電感在開(kāi)關(guān)周期內(nèi)保持電流基本恒定）?，F(xiàn)在，電動(dòng)機(jī)將產(chǎn)生一個(gè)與轉(zhuǎn)速成正比的反電動(dòng)勢(shì)。f.m.m將從零上升到控制器的輸出。

我們已經(jīng)看到，MOSFET是一個(gè)雙向開(kāi)關(guān)，它對(duì)電流的兩個(gè)方向都進(jìn)行電阻（當(dāng)它打開(kāi)時(shí)）。所以考慮電流為零，控制器的輸出現(xiàn)在減少的情況。電機(jī)的背電動(dòng)勢(shì)現(xiàn)在高于控制器的輸出電壓，所以電機(jī)會(huì)嘗試將電流反饋給控制器。如果它成功這樣做的馬達(dá)將被制動(dòng)-我們將有再生制動(dòng)。

這種類型的電路（當(dāng)損耗側(cè)關(guān)閉時(shí)hi側(cè)打開(kāi)）能夠產(chǎn)生電流或者把它沉下去. 其工作原理是反向電機(jī)電流現(xiàn)在是飛輪MOSFET的正向電流，因此當(dāng)這一電流接通時(shí)，它會(huì)使電機(jī)短路-在此期間制動(dòng)電流上升（箭頭B，反向）。飛輪MOSFET現(xiàn)在關(guān)閉了，但是由于電機(jī)的電感，電流必須保持流動(dòng)。因此，它以反向電流流過(guò)驅(qū)動(dòng)MOSFET，為電池充電。額外的電壓來(lái)自于儲(chǔ)存在電動(dòng)機(jī)電感中的能量。從驅(qū)動(dòng)切換到制動(dòng)的過(guò)程是完全自動(dòng)的。此外，這完全是由電機(jī)的速度超過(guò)驅(qū)動(dòng)電壓，而沒(méi)有任何狀態(tài)變化或在控制器內(nèi)切換。如果你愿意的話，再生制動(dòng)是控制器設(shè)計(jì)的副產(chǎn)品，幾乎是一個(gè)完全的事故。

下面的電路是關(guān)于最簡(jiǎn)單的電機(jī)控制器。為了任何對(duì)電機(jī)控制器有任何了解的人的利益-4QD并沒(méi)有設(shè)計(jì)這個(gè)電路，我們完全不承認(rèn)它，所以請(qǐng)隨意地笑或哭，不相信。如果你決定做它-是的，它是有效的，但因?yàn)槲覀儧](méi)有設(shè)計(jì)它，不喜歡它-對(duì)不起，但你自己！

不過(guò)，這是一個(gè)電路，我們組裝了一個(gè)客戶，我們做了幾千！有很多人還在英國(guó)的高爾夫球場(chǎng)里閑逛，所以這確實(shí)管用！這也說(shuō)明了一些不該做的事情！

4049的前三個(gè)部分被布置，通過(guò)220K電阻器和22n電容器在輸入端進(jìn)行整體反饋，以產(chǎn)生相移，作為振蕩器。輸出是一個(gè)矩形波形，由4049的其他三級(jí)緩沖，以驅(qū)動(dòng)MOSFET柵極。振蕩器上的平均占空比（占空比）隨著輸入電壓的變化而改變。當(dāng)電位計(jì)處于最小值時(shí)，振蕩器以其低輸出停止（即，MOSFET沒(méi)有柵極驅(qū)動(dòng)并且完全關(guān)閉），當(dāng)電位計(jì)處于最大值時(shí)，振蕩器以其高輸出停止-MOSFET始終處于開(kāi)啟狀態(tài)。有幾個(gè)問(wèn)題：首先，像這樣“拉動(dòng)”振蕩器改變其頻率。這不會(huì)對(duì)工作產(chǎn)生太大的影響，只是如果頻率太高，mosfet開(kāi)關(guān)會(huì)過(guò)快，溫度過(guò)高。如果太低，振蕩器的頻率會(huì)變?yōu)榭陕?tīng)見(jiàn)，并且電機(jī)會(huì)發(fā)出嗚嗚聲。另一個(gè)問(wèn)題是，它幾乎不可能拉一個(gè)振蕩器，使它在一個(gè)非常高和非常低的標(biāo)記空間比之間變化！82K和2n2通過(guò)引入負(fù)反饋來(lái)降低正反饋回路中的增益，從而使振蕩器只是在振蕩：這是對(duì)電路的額外4QD，在此之前，控制器從80%到100%全速急劇躍遷。請(qǐng)注意，IC是4049UB（無(wú)緩沖），緩沖版本將無(wú)法工作。另外，某些型號(hào)的4049UB不能正常工作（有人用過(guò)東芝4049UB的一些剩余產(chǎn)品嗎？）因?yàn)樗麄兲昧耍?/p>

另一個(gè)令人討厭的事情是壺只改變了振蕩器的1/3的可用范圍：這在這個(gè)應(yīng)用中是可以的，因?yàn)閴厥窃谝粋€(gè)只有90度的行程的扭握中使用的！但有必要調(diào)整手柄以獲得正確的射程。

對(duì)于振蕩器，就這么多。但如果有人注意到我上面提到的主電容器的缺失，請(qǐng)舉手。這些都是昂貴的部件：高爾夫球童出于這個(gè)原因往往不使用它們。當(dāng)MOSFET關(guān)閉電池回路電感時(shí)，會(huì)在驅(qū)動(dòng)MOSFET上產(chǎn)生一個(gè)大的電壓尖峰（關(guān)閉時(shí)，請(qǐng)記住電機(jī)電流現(xiàn)在（主要）流過(guò)二極管）。但是在電池正極和MOSFET柵極之間有一個(gè)36v的齊納二極管。電壓尖峰出現(xiàn)在這上面，所以它傳導(dǎo)，可憐的舊MOSFET又重新打開(kāi)了。事實(shí)上，齊納限制了MOSFET的關(guān)斷速率，以維持40v脈沖。MOSFET是非常堅(jiān)固的設(shè)備，它們可以承受這種濫用（但有更優(yōu)雅的方法來(lái)做到這一點(diǎn)）。當(dāng)MOSFET再次接通時(shí)，電池試圖將電流通過(guò)電池回路電感，但不能，因此控制器上的電壓在嘗試中崩潰。但是MOSFET柵極有電壓存在，如果沒(méi)有與齊納串聯(lián)的二極管，則齊納會(huì)正向偏壓，使柵極與正軌短路（由于電源崩潰，現(xiàn)在處于零電壓）。

還請(qǐng)注意功率二極管作為反激。如果你看一下STP60N06和25JPF40上的規(guī)格，你會(huì)發(fā)現(xiàn)這是有些過(guò)火（蠻力和很多無(wú)知），但這種組合是由客戶通過(guò)使用一個(gè)更胖的設(shè)備，直到他沒(méi)有更多的失??！一點(diǎn)技巧都沒(méi)有！更糟糕的是，控制器實(shí)際上沒(méi)有散熱，而是裝在一個(gè)塑料盒子里。從一個(gè)電子設(shè)計(jì)師的角度來(lái)看，這個(gè)電路幾乎沒(méi)有什么好的地方——除了它能工作，而且顧客對(duì)它很滿意！我必須承認(rèn)，這實(shí)際上是兩個(gè)最重要的標(biāo)準(zhǔn)！

也沒(méi)有任何東西可以限制流過(guò)mosfet的電流-除了mosfet是2 x 60安培的器件，并且失速電機(jī)的電流大約是60安培。

在某種程度上，第二條電路與第一條電路相連。當(dāng)我看到第一個(gè)電路時(shí)，我不喜歡它，我很快就把第二個(gè)電路組裝起來(lái)，告訴客戶可以做些什么。它實(shí)際上很好用，但我們只做了幾個(gè)原型。第2期成為我們2QD系列的第一個(gè)生產(chǎn)版本。你可以安全地假設(shè)當(dāng)前的控制器已經(jīng)比這個(gè)早期的控制器進(jìn)步了很多！然而，它是一個(gè)簡(jiǎn)單的電路，能很好地完成工作（在其限制范圍內(nèi)）。它很好地說(shuō)明了原則。

該電路使用了一個(gè)3524，一個(gè)“調(diào)節(jié)脈沖寬度調(diào)制器”，所以對(duì)該集成電路的簡(jiǎn)要描述似乎是合理的。該芯片的目標(biāo)是電源，它有兩個(gè)交替輸出（引腳11和14），每一個(gè)都可以在0%到45%的周期時(shí)間內(nèi)打開(kāi)。但是這些輸出可以像我們?cè)谶@里所做的那樣連接在一起。因此，輸出是一個(gè)常規(guī)的pwm輸出（如本頁(yè)頂部所述），具有固定的頻率和從0%到90%的接通時(shí)間變量。順便說(shuō)一句，這也是芯片的主要缺點(diǎn)之一——90%的準(zhǔn)時(shí)率意味著你只能獲得90%的全速，而不是100%。這是4QD停止使用它的主要原因。

振蕩器頻率由連接到引腳6和7的電阻器和電容器控制。振蕩器的輸出，以及內(nèi)部連接，在引腳3上可用。振蕩器輸出用于驅(qū)動(dòng)高側(cè)MOSFET柵極電源的電壓倍增器。稍后再談。

還有一個(gè)車載調(diào)節(jié)器：電源輸入到引腳15（引腳8是0v），引腳16是一個(gè)5v的調(diào)節(jié)參考電壓輸出。這是用來(lái)驅(qū)動(dòng)速度控制鍋（3針連接器）。它還用于驅(qū)動(dòng)針腳10的欠電壓停機(jī)。以后再說(shuō)吧！

振蕩器的斜坡內(nèi)部連接到比較器，比較器將其與速度控制信號(hào)進(jìn)行比較。比較器的輸出就是這個(gè)信號(hào)。

從電位器滑塊輸入的所需速度輸入到引腳2。這是傳統(tǒng)運(yùn)算放大器的輸入，從引腳9輸出，負(fù)反饋通過(guò)預(yù)置到引腳1：預(yù)置然后調(diào)整增益。然而，這種運(yùn)算放大器是非傳統(tǒng)的，因?yàn)樗妮敵鲆策B接到第二個(gè)“運(yùn)算放大器”上，這樣第二個(gè)“運(yùn)算放大器”可以超越第一個(gè)，并將其輸出拉低。第二個(gè)用于限流。它的正輸入在引腳4上，反向輸入是引腳5（與0v相連）。

來(lái)自3524的PWM輸出信號(hào)被饋送到一對(duì)****極跟隨器，以提供足夠的柵極驅(qū)動(dòng)。47R門(mén)電阻減慢上升（接通）時(shí)間，二極管提供快速關(guān)斷。150pf也會(huì)減慢上升時(shí)間。然而，同樣的150pf也加快了高壓側(cè)（飛輪）驅(qū)動(dòng)的關(guān)閉。只有當(dāng)損耗（驅(qū)動(dòng)）MOSFET關(guān)閉時(shí)，Hiside才應(yīng)該被打開(kāi)，理想情況下，當(dāng)兩個(gè)MOSFET都沒(méi)有柵極電壓時(shí)，應(yīng)該有一個(gè)小的“欠壓”——在開(kāi)關(guān)過(guò)程中的一段時(shí)間（包括開(kāi)和關(guān)）。如果兩個(gè)同時(shí)開(kāi)啟，一個(gè)巨大的沖頭，盡管電流會(huì)產(chǎn)生，這將導(dǎo)致加熱，在極端情況下，可能是破壞性的。

因?yàn)檫@是用mosfet來(lái)感應(yīng)自己的電流，所以它可以接受范圍很廣的mosfet。然而，它是為標(biāo)準(zhǔn)mosfet設(shè)計(jì)的。尤其是高端不太可能與邏輯級(jí)mosfet正常工作，除非您稍微改變值。

還要注意，MOSFET柵極是由電池線驅(qū)動(dòng)的。這是一個(gè)古老的電路，當(dāng)設(shè)計(jì)MOSFET時(shí)，柵擊穿電壓約為30v。隨著現(xiàn)代MOSFET的電壓越來(lái)越低，如果使用最大柵電壓為20v的MOSFET，用24v電池驅(qū)動(dòng)很可能會(huì)產(chǎn)生煙霧！

hi-side MOSFET要求其柵極升高到ve供電軌上方，因?yàn)楫?dāng)它導(dǎo)通時(shí)，它的柵極和源極實(shí)際上相互短路，并且與電源軌短路。要做到這一點(diǎn)，其柵極必須至少比電源高7伏，因此高于電源。

為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，3524的振蕩器輸出被用來(lái)驅(qū)動(dòng)泵電路。左邊的3個(gè)晶體管將振蕩器放大為方波，方波被饋送到100n的泵浦電容器和兩個(gè)二極管中的電壓倍增配置。倍頻器的輸出被饋送到12v齊納?，F(xiàn)在，當(dāng)損耗MOSFET打開(kāi)時(shí)，這個(gè)齊納器的底部連接到負(fù)電源軌，所以會(huì)有一個(gè)24的直流路徑，通過(guò)二極管和齊納。470R電阻器與泵二極管串聯(lián)，限制通過(guò)該路徑的電流。

這就引出了高壓側(cè)泵的另一點(diǎn)。除了電壓倍增器外，還有一個(gè)“自舉”電路。忽略泵回路。當(dāng)損耗MOSFET傳導(dǎo)時(shí)，齊納（如我們所見(jiàn)）將有電流流過(guò)，因此齊納的電容器將充電。當(dāng)高壓側(cè)接通時(shí)，該電容器將保持該電荷，從而為高壓側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)供電。因此我們不需要泵電路。這個(gè)電容器上的hiside電源將在輸出停止切換而lo側(cè)關(guān)閉時(shí)衰減。這是在非常慢的電機(jī)速度，因?yàn)椋ɑ蛑螅╇姍C(jī)停止，所以缺乏驅(qū)動(dòng)不是一個(gè)問(wèn)題。2QD配備hiside泵的唯一原因是可以在橋接配置中使用其中兩個(gè)。在這種特殊的配置中，當(dāng)輸出停止切換時(shí)，hiside驅(qū)動(dòng)器不能崩潰。

如果你把鉛酸電池放電過(guò)多，會(huì)永久縮短它的壽命。因此，該電路測(cè)量電源并將其與5v參考電源進(jìn)行比較。如果蓄電池電壓過(guò)低，晶體管會(huì)通過(guò)向針腳10發(fā)送信號(hào)來(lái)抑制pwm電路。

這個(gè)特性實(shí)際上并不像有些人認(rèn)為的那么必要：對(duì)于每一個(gè)這樣的“特性”，都有權(quán)衡?？纯次覀兊目刂破鞴δ苤改细?/p>電流限制

我已經(jīng)覆蓋了MOSFET鏡電流傳感其他地方。這是一個(gè)應(yīng)用程序。3524的感應(yīng)輸入是為這種電流感應(yīng)而設(shè)計(jì)的：它有一個(gè)200毫伏的偏移量，所以當(dāng)引腳4上的信號(hào)超過(guò)200毫伏時(shí)，3524會(huì)降低接通時(shí)間，降低電機(jī)轉(zhuǎn)速。330R和100R感測(cè)到MOSFET電壓的?，因此使用這些值，整個(gè)MOSFET的限值大約為800mV。根據(jù)不同的MOSFET調(diào)整100R。這種電流感應(yīng)在3524上工作得很好，但芯片本身根據(jù)接通脈沖的長(zhǎng)度，提供可變電流限制，因此感測(cè)電流在某種程度上取決于電機(jī)特性。

雖然該電路工作正常，是一種實(shí)用的控制器，但也存在一些不足。我們?cè)谶@里不討論細(xì)節(jié)，但幾乎所有這些都被解釋了，并給予成員補(bǔ)救電子俱樂(lè)部但如果你想了解如何操作，你需要訂閱4QD-TEC，請(qǐng)參閱本頁(yè)下方。

• 如前所述，3524電路不會(huì)提供超過(guò)90%的全速。

• 在驅(qū)動(dòng)模式下，電路電流受到限制，但如果您要在山頂啟動(dòng)車輛并進(jìn)入下坡再生制動(dòng)，則沒(méi)有任何東西可以限制再生電流。這是很有可能增加限制的再生制動(dòng)和4QD有一個(gè)獨(dú)特的簡(jiǎn)單和有效的方式來(lái)做到這一點(diǎn)，我從來(lái)沒(méi)有見(jiàn)過(guò)其他地方。你必須加入4QD-TEC才能了解詳情！

• 再生過(guò)電壓。如果在剎車時(shí)電池?cái)嚅_(kāi)，再生的能量就無(wú)法反饋到電池中：相反，再生的能量會(huì)提升控制器上的電壓，直到mosfet發(fā)生故障：如果它們不能吸收再生的能量，那么你就有了一個(gè)昂貴的煙霧發(fā)生器。治療很容易。

• 破壞MOSFET控制器的一件事是電池倒換：兩個(gè)MOSFET現(xiàn)在是兩個(gè)正向偏置二極管，連接在電池上?？吹搅藛嵛覀兊某Ｒ?jiàn)問(wèn)題解答表為了治療

• 另一個(gè)破壞所有已知的MOSFET控制器的事情是牽引它們安裝在其中的車輛。如果電機(jī)的反電動(dòng)勢(shì)超過(guò)電池電壓，驅(qū)動(dòng)MOSFET將成為正向偏置二極管，將電機(jī)產(chǎn)生的輸出直接供給電池。沒(méi)有辦法限制這種電流，所以MOSFET的目標(biāo)是閃光和一股煙。幸運(yùn)的是，這種故障模式非常罕見(jiàn)，但確實(shí)沒(méi)有簡(jiǎn)單的防護(hù)措施。

一個(gè)流行的“老太太的故事”是PWM導(dǎo)致電機(jī)比純直流更熱。就像大多數(shù)老太太的故事一樣，這源于誤解培育的部分真相?！吧裨挕钡某霈F(xiàn)是因?yàn)?，如果頻率是太低，電流是不連續(xù)的（或者至少在pwm波形上是可變的），因?yàn)殡姍C(jī)的電感在波形關(guān)閉期間不能正確地保持電流。所以電機(jī)電流是脈沖的，不是連續(xù)的。平均電流將決定轉(zhuǎn)矩，但加熱將是電流平方的積分（加熱與I2R成比例）-電流的“形狀系數(shù)”將大于單位。頻率越低，紋波電流越高，加熱越大。

所以考慮一個(gè)過(guò)于簡(jiǎn)單的情況，電流是開(kāi)還是關(guān)。如果電流在1/3的時(shí)間內(nèi)流動(dòng)，你需要一個(gè)相當(dāng)于1安培連續(xù)電流的電機(jī)轉(zhuǎn)矩，那么你顯然需要1安培的平均電流。要在占空比為33%的情況下執(zhí)行此操作，您必須有3安培（1/3時(shí)間的電流）。

現(xiàn)在一個(gè)3安培的電流將產(chǎn)生9倍于1安培連續(xù)加熱效果的平方。

但是如果3安培的電流只占總時(shí)間的1/3，那么電機(jī)中的加熱是1/3時(shí)間的9倍，或者比穩(wěn)定的1安培大3倍！據(jù)說(shuō)這個(gè)波形的“形狀系數(shù)”是3（或者是33%——毫無(wú)疑問(wèn)，有人會(huì)糾正我的錯(cuò)誤！）

然而，如果脈沖重復(fù)頻率足夠高，電機(jī)的電感將引起飛輪效應(yīng)，電流將變得穩(wěn)定。例如，林奇電機(jī)的電感只有39微亨利（這是我所知道的電感最低的電機(jī)之一），電阻為0.016歐姆。L-R電路的“時(shí)間常數(shù)”為L(zhǎng)/R（對(duì)于Lynch電機(jī)）為2.4毫秒。對(duì)于SEM DPM40P4（1kW），電感為200微歐，電阻為40毫歐姆，時(shí)間常數(shù)為5ms。

根據(jù)經(jīng)驗(yàn)法則，為了避免過(guò)多的數(shù)學(xué)運(yùn)算，脈沖重復(fù)周期必須明顯短于電機(jī)的時(shí)間常數(shù)。

影響PRF的其他因素有：
如果是在音頻帶內(nèi)，電機(jī)會(huì)發(fā)出嗚嗚聲（由一種稱為“磁致伸縮”的現(xiàn)象引起），所以請(qǐng)保持在音頻帶上方。
MOSFET電路在從一種狀態(tài)切換到另一種狀態(tài)時(shí)損耗最大，因此頻率不應(yīng)太高-MOSFET可以小心地使用到100kHz，但這有點(diǎn)高。
射頻****：頻率越高，頻率越低越好！

顯然很難在這兩者之間選擇一個(gè)“最佳”的折衷方案，但最佳頻率似乎在20kHz左右。

顯然，這個(gè)腳本只涵蓋了其中的一小部分技術(shù)：看看我們的Pro-120規(guī)格。它具有線性加速和減速斜坡、過(guò)放電限制、高踏板鎖定、雙斜坡?lián)Q向、再生電流限制、反向極性保護(hù)以及本文提到的所有點(diǎn)。我們還引用了1分鐘110安培的報(bào)價(jià)：真正的事實(shí)是，我們每分鐘可以得到120安培。我們也知道沒(méi)有什么“公平”的方法來(lái)摧毀它：即使是把發(fā)動(dòng)機(jī)短路也不會(huì)使它爆炸。全速倒車是安全的。倒換電池是安全的。不要指望斷開(kāi)控制器的電池是安全的。然后我們?cè)噲D保護(hù)它不受非技術(shù)客戶可能對(duì)它做的所有事情。我們認(rèn)為我們已經(jīng)成功了——當(dāng)然，直到我們找到了比我們更聰明的客戶！即使我已經(jīng)準(zhǔn)備好嘗試，我也可以用語(yǔ)言表達(dá)設(shè)計(jì)這種控制器所需的所有經(jīng)驗(yàn)，更不用說(shuō)以我們的價(jià)格銷售它來(lái)獲利了。如果你不相信這一點(diǎn)，那就試著問(wèn)問(wèn)類似控制器的一次性價(jià)格。