來(lái)源：本文由半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)縱橫（ID:ICVIEWS）編譯自azonano

過(guò)去半個(gè)世紀(jì)以來(lái)，主導(dǎo)世界的數(shù)字革命的支柱是基于半導(dǎo)體的特性，半導(dǎo)體展示了獨(dú)特的電氣特性，可以操縱這些特性來(lái)執(zhí)行計(jì)算和數(shù)據(jù)處理所需的許多任務(wù)。電子的流動(dòng)——電流——在半導(dǎo)體中的表現(xiàn)與在金屬中的表現(xiàn)不同。

半導(dǎo)體還展現(xiàn)出獨(dú)特的光學(xué)特性，可用于各種有影響力的應(yīng)用。光是由光子產(chǎn)生的。通過(guò)操縱和控制光子而開(kāi)發(fā)的技術(shù)被稱(chēng)為光子學(xué)，光子學(xué)的一個(gè)專(zhuān)門(mén)分支稱(chēng)為納米光子學(xué)或納米光學(xué)，研究光在納米尺度上的行為方式以及納米尺寸的物體如何與光相互作用。

半導(dǎo)體被定義為具有介于絕緣體和導(dǎo)體之間的導(dǎo)電特性的材料。元素硅 (Si)、鍺 (Ge) 和銦 (In) 是半導(dǎo)體的幾個(gè)例子。

半導(dǎo)體分為本征半導(dǎo)體和非本征半導(dǎo)體。像上面的例子一樣，沒(méi)有雜質(zhì)的化學(xué)純半導(dǎo)體被稱(chēng)為本征半導(dǎo)體。對(duì)于本征半導(dǎo)體，而不是雜質(zhì)，材料本身的特性控制存在多少電子和空穴。電子是帶負(fù)電的基本電荷載流子，空穴是半導(dǎo)體中帶正電的空位。激發(fā)電子的數(shù)量等于本征半導(dǎo)體中空穴的數(shù)量。

通過(guò)添加某些雜質(zhì)可以改變非本征半導(dǎo)體的電學(xué)和光學(xué)特性。摻雜劑會(huì)改變質(zhì)子或電子的數(shù)量以滿足特定要求。這些合金半導(dǎo)體也稱(chēng)為化合物半導(dǎo)體，適用于電氣和光電應(yīng)用。非本征半導(dǎo)體的一些示例是氮化鎵 (GaN)、磷化銦 (InP) 和砷化鎵 (GaAs)。這種非本征半導(dǎo)體已成為構(gòu)建光子限制器件（如波導(dǎo)）的重要材料。波導(dǎo)已被證明可以有效地傳輸糾纏光子，用于量子信息科學(xué)中的應(yīng)用。

晶格和半導(dǎo)體的電子特性賦予它們光學(xué)特性，晶格離子晶體中的振動(dòng)決定了半導(dǎo)體的光學(xué)晶格特性，由于光和光學(xué)聲子之間的相互作用——晶格中的振動(dòng)——它們表現(xiàn)出顯著的紅外吸收和反射。   

半導(dǎo)體的電子態(tài)是光電特性的重點(diǎn)，半導(dǎo)體的能帶是其電子狀態(tài)，價(jià)帶和導(dǎo)帶是半導(dǎo)體中的主要能態(tài)，可用于創(chuàng)造創(chuàng)新的納米光子學(xué)技術(shù)。

半導(dǎo)體的電子占據(jù)的最外層能級(jí)稱(chēng)為價(jià)帶，通過(guò)施加適當(dāng)?shù)哪芰?，價(jià)帶軌道中的電子被激發(fā)到導(dǎo)帶中。

當(dāng)暴露于足夠的能量時(shí)，價(jià)帶電子可以被激發(fā)到構(gòu)成導(dǎo)帶的電子軌道，導(dǎo)帶中的電子可以在半導(dǎo)體內(nèi)部自由流動(dòng)。在這里，當(dāng)電子離開(kāi)導(dǎo)帶的價(jià)帶時(shí)，會(huì)形成一個(gè)空穴，此外，帶正電的空穴也可以在材料內(nèi)部自由移動(dòng)。

當(dāng)受到光子的刺激時(shí)，半導(dǎo)體電子在兩個(gè)能級(jí)之間切換，原子中的光學(xué)躍遷與這種現(xiàn)象相當(dāng)，帶間躍遷發(fā)生在導(dǎo)帶和價(jià)帶之間，在這兩個(gè)帶之間的區(qū)域，存在吸收、受激****和自發(fā)****的潛力。

當(dāng)光子被半導(dǎo)體吸收時(shí)，會(huì)導(dǎo)致光吸收，光子能量必須等于或大于帶隙能量才能發(fā)生吸收，價(jià)態(tài)和傳導(dǎo)能級(jí)之間的能量差稱(chēng)為帶隙能，通過(guò)吸收在價(jià)帶和導(dǎo)帶中產(chǎn)生電子和空穴。

半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)示意圖

導(dǎo)帶上的最低能級(jí)將被產(chǎn)生的能量高于帶隙的電子快速填充，此外，在價(jià)帶中產(chǎn)生的空穴將上升到價(jià)帶的頂部，如上圖所示，帶內(nèi)躍遷是電子在導(dǎo)帶或價(jià)帶內(nèi)發(fā)生變化的能級(jí)，納米光子學(xué)極大地受益于利用帶內(nèi)躍遷開(kāi)發(fā)的技術(shù)。

半導(dǎo)體也表現(xiàn)出自發(fā)和受激****，當(dāng)電子從傳導(dǎo)能級(jí)躍遷回價(jià)帶時(shí)，會(huì)發(fā)生自發(fā)****（也稱(chēng)為光學(xué)復(fù)合），并在此過(guò)程中產(chǎn)生光子。在自然和隨機(jī)發(fā)生的自發(fā)****過(guò)程中，沒(méi)有與任何額外光子的相互作用，采用額外的光泵來(lái)在兩個(gè)能級(jí)之間傳輸電子。 

隨著鍵合半導(dǎo)體材料的原子級(jí)薄層的發(fā)展，納米光子學(xué)出現(xiàn)了新的可能性，半導(dǎo)體過(guò)渡金屬二硫化物 (TMD) 就是其中之一，這些材料已被證明在單層極限內(nèi)具有直接帶隙，這使它們成為光子學(xué)和光電子學(xué)應(yīng)用的理想選擇。

單層 TMD 由夾在兩層不同類(lèi)型原子之間的一層特定原子組成，這些二維材料不僅可以替代傳統(tǒng)電子或光子器件中的 Si 或 GaAs 等傳統(tǒng)材料，而且還具有獨(dú)特的物理特性，如自旋谷物理學(xué)，目前正在研究“谷電子學(xué)”和相干量子比特，此外，異質(zhì)結(jié)構(gòu)不受相鄰層之間晶格失配的限制，就像傳統(tǒng)半導(dǎo)體的情況一樣，可以通過(guò)堆疊各種二維晶體的各個(gè)層來(lái)創(chuàng)建，這使得以多種方式設(shè)計(jì)具有特定特性的納米光子學(xué)成為可能。

半導(dǎo)體材料的多功能性為光采集、傳感、量子技術(shù)、光開(kāi)關(guān)和生物診斷等領(lǐng)域的許多納米光子學(xué)應(yīng)用創(chuàng)造了新的機(jī)會(huì)。納米光子結(jié)構(gòu)是即將到來(lái)的經(jīng)濟(jì)前沿的催化劑，并且定位為量子革命的基石，因?yàn)樗郧笆菙?shù)字時(shí)代的基礎(chǔ)。