業(yè)界領(lǐng)先的半導(dǎo)體器件供應(yīng)商兆易創(chuàng)新GigaDevice（股票代碼 603986）今日宣布，率先推出采用3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的SPI NOR Flash——GD25LE128EXH，其最大厚度僅為0.4mm，容量高達(dá)128Mb，是目前業(yè)界在此容量上能實(shí)現(xiàn)的最小塑封封裝產(chǎn)品，可在應(yīng)對(duì)大容量代碼存儲(chǔ)需求的同時(shí)，提供極大限度的緊湊型設(shè)計(jì)自由。

近年來(lái)，隨著物聯(lián)網(wǎng)、可穿戴、健康監(jiān)護(hù)、網(wǎng)通等應(yīng)用的快速發(fā)展，市場(chǎng)需求變化多樣，不僅要在精致小巧的產(chǎn)品形態(tài)中提供豐富的功能，還要具有極低功耗，以保障產(chǎn)品的長(zhǎng)時(shí)間工作。而SPI NOR Flash作為這些設(shè)備中重要的代碼存儲(chǔ)單元，需提供更小、更薄、更輕的產(chǎn)品選擇來(lái)滿足這些不斷變化的應(yīng)用需求。

GD25LE系列SPI NOR Flash是兆易創(chuàng)新旗艦型低功耗產(chǎn)品，此次新推出的3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH產(chǎn)品延續(xù)了LE系列的優(yōu)異性能，其最高時(shí)鐘頻率133MHz，數(shù)據(jù)吞吐量高達(dá)532Mbit/s，極大提升了客戶的系統(tǒng)訪問(wèn)速度和開(kāi)機(jī)效率，同時(shí)在4通道133MHz時(shí)，讀功耗僅為6mA，與行業(yè)同類產(chǎn)品相比，降低了45%的功耗，有效延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間。并且，更為重要的是GD25LE128EXH實(shí)現(xiàn)了128Mb容量產(chǎn)品上的超小尺寸，此前，業(yè)界128Mb容量產(chǎn)品的主流封裝為6mm×5mm×0.8mm WSON8，而GD25LE128EXH采用的3mm×3mm×0.4mm超小尺寸的新型封裝，面積縮小達(dá)70%，厚度減薄50%，能夠顯著節(jié)省85%的空間體積，并節(jié)省材料成本。

除了尺寸優(yōu)勢(shì)顯著提升之外，3mm×3mm×0.4mm FO-USON8 GD25LE128EXH與64Mb及以下容量的3mm×4mm×0.6mm USON8封裝產(chǎn)品引腳兼容，無(wú)需調(diào)整PCB布局即可快速升級(jí)容量至128Mb，對(duì)于不同容量需求的方案，進(jìn)一步簡(jiǎn)化了其兼容性要求的設(shè)計(jì)。

兆易創(chuàng)新存儲(chǔ)事業(yè)部執(zhí)行總監(jiān)陳暉先生表示：“作為業(yè)界領(lǐng)先的Fabless芯片供應(yīng)商，兆易創(chuàng)新不僅是創(chuàng)新技術(shù)的提倡者，同時(shí)也是先進(jìn)技術(shù)的踐行者。此次率先推出超小尺寸3mm×3mm×0.4mm FO-USON8封裝的128Mb SPI NOR Flash，完美匹配了業(yè)界對(duì)小型化和高集成度的要求，并且基于此封裝技術(shù)落地的首款產(chǎn)品GD25LE128EXH所具備的低功耗特性也使其適用于任何以電池供電的產(chǎn)品設(shè)計(jì)中。未來(lái)隨著智能設(shè)備的不斷升級(jí)，兆易創(chuàng)新預(yù)見(jiàn)大容量、小尺寸、低功耗的SPI NOR Flash產(chǎn)品將持續(xù)被業(yè)界需要。針對(duì)這一趨勢(shì)，公司正在規(guī)劃通過(guò)先進(jìn)封裝和存儲(chǔ)技術(shù)開(kāi)發(fā)其它容量、更小尺寸的存儲(chǔ)產(chǎn)品，為客戶提供更多樣化的選擇?！?/p>

GD25LE128EXH現(xiàn)已量產(chǎn)，客戶可聯(lián)絡(luò)銷售代表或授權(quán)代理商了解相關(guān)信息。另外，同系列3mm×2mm×0.4mm FO-USON8封裝產(chǎn)品GD25LE64E也即將在5月底提供樣片，具體詳情請(qǐng)聯(lián)絡(luò)銷售代表。